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一代湿法黑硅技术，其效率更高、成本更低，更兼容高效多晶PERC技术。保利协鑫TS+系列黑硅片开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成
举行，协鑫集团斩获五项大奖，协鑫集团董事长朱共山荣获2017年度人物大奖，保利协鑫D系列金刚线多晶片获得年度最佳光伏产品大奖，协鑫集成获得年度最佳智能工厂大奖，协鑫新能源获得年度光伏投资企业、年度

副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化
效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上，电池效率增益将再提升

、首席技术官万跃鹏、高级副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的
独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验

、首席技术官万跃鹏、高级副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面
陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上

声光电等多种互动形式展示协鑫在能源领域的创新及其应用。保利协鑫发布单面黑硅片新品——鑫多晶TS+系列单面黑硅片新产品。该类型硅片在保利协鑫最新研发的“鑫绒面”亚微米多孔制绒技术基础上

硅片,电阻率1～3˙cm,厚度180um的P型硅片,所有硅片除PECVD工艺外,其它都经过相同的处理过程。首先硅片经过HF和HNO3的混合溶液进行制绒,然后经过820℃～870℃的POCl3扩散,接着进行湿法
摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和

、首席技术官万跃鹏、高级副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面
陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验证，TS+黑硅在上一代黑硅的基础上

使用量更少，而且切出来的单晶硅片在厚端电池制绒环节更加容易，电池片效率不受影响，而多晶硅片则需要叠加黑硅技术或加入添加剂(添加剂成本低，但电池效率略下滑)，每片硅片的湿法黑硅过程需要额外增加0.2
直接叠加perc技术就可以把功率做到305W，后端电池制绒成本更低且单多晶组件的功率差已经越来越大。事实上，不仅perc技术在单晶上能带来更好的效果，其他技术创新在单晶硅片上应用的效果也更好。这就