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至30%一直以来，工信部等主管部门都希望通过政策，引导光伏企业减少单纯扩大产能的光伏制造项目，加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。本次政策修订的要点在于，2021年版本中，新建和改扩建多晶
只有多晶硅环节存在过剩风险，但目前，光伏制造所有环节均存在过剩风险，必须及时踩刹车。30%的资本金比例要求高不高?我们参照国务院发布的《关于调整固定资产投资项目资本金比例的通知》，对各行业固定资产投资

，试图将钙钛矿和晶硅做成混合叠层电池，但由于硅片尺寸限制以及制绒后不规则的表面无法有效进行钙钛矿材料的涂布，成本既下不来，基于166硅片的电池效率也只能达到26.8%。钙钛矿历史上第一次有可能拆掉太阳能
多晶硅和单晶硅之战最为经典。2017 年之前，多晶硅统治晶硅电池市场百分之八九十的份额。虽然效率更高，但成本也高的单晶硅始终缩于一隅，看多晶硅雄霸天下。2017年之后，「苦练内功」的单晶硅，技术显著进步

。类似于半片电池，叠瓦电池通常使用直接切割整片电池。切割过程中会引起边缘复合，从而导致太阳能电池效率降低。小尺寸电池有较大的周长面积比，这种情况使的边缘复合变得更加明显，除了开路电压VOC的损失之外，主要
化学蚀刻，最后热生长二氧化硅(SiO2)或多晶硅来钝化沟槽。建议在切割处进行强掺杂，通过表面场效应排斥边缘载流子。据报道，通过边缘湿化学处理，电池边缘生长SiO2可以起到钝化效果。介绍了对电池的两个几十

%，是目前全球国际太阳能电池效率的最高纪录。当前主流的P型电池接近理论效率极限，降本趋势放缓，N型电池普遍受到看好，市场认为未来发展空间将进一步加大。一、光伏技术历史和分类第一块太阳能电池1954年诞生
。相比薄膜电池，晶体硅电池有很大的性价比优势，适用度也相对广泛。从全球出货量看，晶体硅占95%以上，而薄膜电池只有5%以下，因此晶体硅技术占绝对的主导地位。晶体硅又细分为单晶和多晶技术，而隆基将单晶技术的

隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating Contacts)，是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳电池，同时兼具良好的接触性能，可以极大地提升
检测实验室标定全面积电池最高转化效率达到 25.4%，成为商业化全面积电池效率记录的保持者，为后续的 N 型 TOPCon 电池的扩产奠定基础。HJT 电池：传统晶体硅太阳电池的 p-n 结

。 TOPCon 电池：全称隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel Oxide Passivating Contacts)，是一种使用超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层作为钝化层结构的太阳电池，同时兼具良好的接触性能
机构日本 JET 检测实验室标定全面积电池最高转化效率达到 25.4%，成为商业化全面积电池效率记录的保持者，为后续的 N 型 TOPCon 电池的扩产奠定基础。 HJT 电池：传统晶体硅

年度报告指出，2018年以来TOPCon电池效率提升2.5个百分点，同期PERC提效幅度为1.3个百分点，PERC电池在周期中后段接近理论极限，提效进程明显不及TOPCon。n型TOPCon光伏电池更高的
环节看，TOPCon相比PERC增加/替换的主要设备为B扩散、隧穿氧化层及poly Si沉积设备，其余环节基本与PERC产线兼容。光伏设备专家介绍，老旧PERC产能改扩建TOPCon，可采用管式

多晶硅产量达50.5万吨，同比增长27.5%，硅片产量约为227GW，同比增长40.6%。电池片产量为198GW，同比增长46.9%，增幅最大。组件产量为182GW，同比增长46.1%。市场规模
涨幅为25%。根据协会分析，涨价原因除了外部全球通胀及大宗商品价格上涨、国内限电导致光伏企业减产进而推高产品价格外，还有一项关键要素是产品出现阶段性供需失衡，尤其表现在高纯多晶硅的短缺

型单晶硅PERC电池理论转换效率极限为24.5%，导致P型PERC单晶电池效率很难再有大幅度的提升，并且未能彻底解决以P型硅片为基底的电池所产生的光衰现象，这些因素使得P型硅电池很难有进一步的发展。与
P型硅相比，N型硅少子寿命更长，对Fe等金属有更高的容忍度，以N型硅为基底的电池片理论转换效率更高，且不会发生由于B-O复合体导致的LID(Light Induced Degradation)光致

。值得一提的是，该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜，可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收，同时兼顾载流子选择性收集，能够全面提升填充因子、短路电流及开路
电压，展现出了巨大的产业应用潜力。图1丨福建计量科学研究院国家光伏产业计量测试中心认证报告截图图2丨(a)中科院宁波材料所TOPCon电池结构示意图;(b

PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，首先在电池背面制备一层 1～2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同形成了钝化接触结构，为
%; 3. 电池效率损失分析 3.1 光损失(叠层电池) 长波长的入射光子能量小于材料的禁带宽度，导致入射光直接穿过电池低能量光子损失; 入射光能量远高于材料的

据安泰科的多晶硅价格公布，硅料已从年初87.6元/KG(单晶复投料)涨至现在的269.9元/KG，足足翻了3倍，而光伏组件的涨幅却不足50% 面对这种极寒情况有一种技术却在悄悄发展，渐成
的研究热潮。在随后的几十年间，多种薄膜电池材料被开发了出来，如硒化镉、锑化铟、碲化镉、铜铟镓硒、非晶体硅、砷化镓、以及近年来大热的钙钛矿等等。在NREL的太阳能电池效率追踪表中可以看到钙钛矿电池在

%，具备与晶硅电池效率可比且商业化基础。 1992年多晶硅电池转换效率取得17.1%的世界最高纪录。同年单晶硅电池取得22%的工业化量产世界最高转换率纪录(2011年世界最高纪录实验室效率24.5
)投入使用，生产太阳能吸收器，储热能水箱以及用于外太空的太阳电池，同步开始了太阳技术应用开发。 1988年夏普光伏组件首次应用于海洋信号传输系统;同年夏普非晶硅电池效率取得巨大突破和飞跃，达到11.5

大幅增长的需求来说，硅料的产能增幅非常有限，出现了拥硅为王的情况。行业数据显示，2021年全球多晶硅总产能约57万吨，而下游硅片整体产能跃升至300GW，对应多晶硅需求78万吨。供需不平衡之下
，硅料价格就被需求方逐步推高。截至6月14日，多晶硅最新价格达到12.93万元/吨，最近15天上涨11.82%，20天上涨21.25%，30天上涨26.80%，60天上涨46.97%。而在2021年1-5

完全能满足薄片化的需要，但硅片厚度还要满足下游电池片、组件制造端的需求。目前多晶硅片平均厚度在180um，P型单晶硅片和TOPCon电池的N型单晶硅片厚度都在175um，用于异质结电池的硅片厚度可降到
导电胶+低温固化的方案取代了常规的涂锡铜带+助焊剂+高温焊接的方案： A ●一方面降低了70%的电池片互联产生的串联电阻。 B ●另一方面避免了高温焊接带来的应力、焊接不良和隐裂等诸多问题，大幅

Silicon FBR-B(第二代流化床)技术生产粒状多晶硅，并宣称是国内唯一具备大规模量产能力的粒状硅生产企业。针对这一情况，保利协鑫向记者回应，公司是唯一具有规模化低成本高质量生产颗粒硅的企业。相比
的切换。正如过去七八年中，单晶技术打败多晶一样，在对光伏度电成本下降的不懈追求中，各环节都在尝试新的技术。实际上，光伏行业的新技术变革贯穿全年，这一点在资本市场也得到了充分映射。年初的异质结电池

晶科自主开发的N型HOT2.0高效电池技术，通过HOT隧穿层钝化接触和先进金属化等技术的开发导入，电池效率高达24.79%，再度创下大面积N型单晶硅单结电池效率的世界纪录;采用78片设计，延续叠焊技术
输出功率和转换效率。贺利氏相信，其超细线和出色接触性能的金属化解决方案及提供选择性发射极保护的产品能够帮助客户将PERC电池效率提高至24%这也是全行业的共同目标。赛得能源&中环艾能光储系统项目