(来源IRENA,2019.11)
另一方面，高功率组件可有效降低度电成本，但存在诸多限制。
第一，高效电池技术的应用可显著提升组件功率，但近年量产的多晶PERC、铸锭单晶PERC、单晶PERC等效
)、210mm(G12)等更大尺寸硅片。
(b)大尺寸快速普及
自2018年以来，硅片尺寸快速迭代，18年晶科率先推出G1硅片，19年韩华、隆基、中环相继推出M4、M6、G12硅片，大硅片迅速成为市场新宠
，产品零光衰，无应力，没有B-O效应引起的LID以及采用TCO膜抗PID最佳，保证长时间的耐久性和收益率。发电量高，相比同类产品能够增加8-15%的发电量，在所有商用电池技术中，发电量收益率最高
多晶组件平均单瓦发电量提升约7.3% ，双面HJT 组件相比普通多晶组件平均单瓦发电量提升约15%。通过LCOE核算，目前HJT组件相比PERC组件度电成本更低，考虑到HJT未来极具潜力的降本趋势
。
亮点1：从表中可以看到，2016年初，多晶60就已经能够做到275-280W的功率档次，这是来源于南京日托的MWT特别技术，因而日托也成为那一年多晶功率的领跑者。
亮点2：在大同
一期领跑者项目中，居然出现了多晶60的265W，无他且唯一，是阳光电源B9阵列采用的阿特斯多晶组件。原因未知，敢和多晶270W以及单晶280瓦同场叫板，或许有其独门秘籍!
亮点3：能把单晶60做到285和
了填充因子;电注入退火后测试电池效率提升了0.98%，效率达到20% 以上。
2017 年12 月，协鑫集成、上海神舟新能源采用PECVD/ALD 技术制备PERC 多晶硅太阳电池，效率分别达到
黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
。
通威：2018年四季度，乐山和包头一期各2.5万吨多晶硅生产线(实际产能达 3 万吨)投产，推动总的多晶硅产能达到8万吨。
大全新能源：随着2018-2019年新疆 Phase 3B 和
Phase 4A 等项目的陆续投产，公司产能规模大幅扩张，到2019年底预计达到7万吨。
新特能源：2019年5月，公司新建的3.6万吨多晶硅项目投产，使得总产能达到7.2万吨，实际产能可能能达到8万吨
安装短期内是负增长到低增长市场; 2020年以前，光伏产品是结构性供不应求。2020年以后，光伏产品是全面供大于求; 2020年以前，光伏技术单多晶路线此消彼长，技术的进步、迭代速度太快。2020
安装短期内是负增长到低增长市场; 2020年以前，光伏产品是结构性供不应求。2020年以后，光伏产品是全面供大于求; 2020年以前，光伏技术单多晶路线此消彼长，技术的进步、迭代速度太快。2020
，使得公司2019年度的经营业绩同比出现较大幅度下降。主要包括：a、受工艺落后淘汰、客户破产清算等因素的影响，公司对包括多晶硅铸锭炉、金刚线切片机等在内的光伏装备以及新型建筑节能专用设备、轻纺专用装备等
主导产品中的部分存货计提了存货跌价准备3,488.60万元。b、公司参股子公司四川欣蓝光电科技有限公司受光伏产业整体低迷、主要客户出现债务危机而回款困难等因素的影响，公司对该项长期投资计提了长期股权
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技术总结：
量产TOPCon的结果(中试)效率达到24%以上;
最具竞争力的量产TOPCon解决方案仍不确定;
当前的通用工业方法是在n型晶圆的正面形成B发射极的混合
解决方案;
仍然存在的挑战：
主要是由于丝网印刷金属化厚的高掺杂多晶硅层是必需的;
PECVD沉积工艺的绕度;
为了与一流的PERC生产线竞争，仍需要在整个工艺方案中节省大量成本。
天津中环半导体股份有限公司
TIANJIN ZHonGHUAN SEMIConDUCTOR CO.,LTD.
(天津新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路 12 号)
2019 年非公
设备与产业协会
WSTS指世界半导体贸易统计组织
半导体材料指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料
单晶硅指整块硅晶体中的硅原子按周期性排列的单晶硅，是用高纯度多晶硅为原料，主要通过直拉法和区熔法
