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太阳能电池和组件的转换效率并改善可靠性。此外，该材料展现的卓越透墨性可实现高速印刷，大幅提升产线的生产力达26%，从而通过增加总产能使电池组件制造商更具竞争力。杜邦Solamet PV19B是专为提升PERC
。杜邦新一代正面银浆Solamet PV19B的研发应用体现出杜邦在局部背钝化电池技术领域的不断创新。已经正式投入使用加上其转换效率提升显著效果，体现了该创新技术十足的含金量和美好前景。No.2中天光伏材料

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索比光伏网讯:进入2016年，太阳能光伏行业逐渐摆脱了往昔的阴霾，在国家政策大力支持之下，终于迎来了黄金发展期。与此同时，越来越激烈的行业竞争也加速了光伏行业的产业整合。随着光伏企业逐渐走出去的步伐

网址http://203.91.46.81:8012。完成在线申报后，需通过该系统打印《深圳市新能源产业专项申报项目及项目单位基本情况表》、项目资金申请报告及相关附件，并将上述材料胶装成册，编辑目录
，标注页码（纸质文本一式7份，加盖单位公章，同时以光盘形式附电子文本一式2份）报送至我委收文窗口（市民中心B区一楼行政服务大厅3-4号）。（八）我委从未委托任何单位或个人为项目建设单位代理我市新能源产业

导语：在今年三月份，欧洲ink"光伏学术界与产业界创建了CIGS Sharc25计划。其宗旨是研究和开发超过晶硅转换率的CIGS技术，其效率转换率将达到25%。在最近欧洲布鲁塞尔光伏技术平台年会
危机突破口是技术薄膜化。在晶硅技术转换效率和应用环境面临瓶颈的同时，欧洲学术界启动CIGS Sharc25计划的背景是什么？对中国光伏产业产生的影响是什么？CIGS在欧洲产官学界是已经关注非常久的新

，短期内光伏材料需求将大幅放缓，公司产能释放压力加大。关联交易和关联担保对公司影响较大。公司作为保利协鑫太阳能光伏产业链中关键一环，原材料绝大部分购自关联方，此外，截至2016年3月末公司对外担保
厂长，并于2006年成为总经理。彼于2008年调任为集团生产多晶硅之附属公司江苏中能硅业发展有限公司的基建常务副总指挥。朱先生于2009年晋升为公司之附属公司江苏协鑫硅材料科技发展有限公司的总经理，并于

发改委鼓励地方政府多措并举支持太阳能热发电发展 9月1日从发改委网站获悉，为促进太阳能热发电产业健康有序发展，近日，国家发展改革委发出《关于太阳能热发电标杆上网电价政策的通知》，核定太阳能热
2660MW 坑口电站项目，布局煤炭-发电-售电产业链，借助多业务协同优势，创造利润增长点。维持买入评级我们预计，公司于2016-2018年将实现当前股本下EPS 0.71元、0.84元

发改委鼓励地方政府多措并举支持太阳能热发电发展9月1日从发改委网站获悉，为促进太阳能热发电产业健康有序发展，近日，国家发展改革委发出《关于太阳能热发电标杆上网电价政策的通知》，核定太阳能热发电标杆
新能源产业及配套工程业务收入同比增长23.5%至88.46亿元。多晶硅产线实现超产；全年出售光伏电站310MW，成交金额27.42亿元。由于多晶硅生产用电量增加，外售电量减少，致电费收入同比减少7.74%至

所有的单结晶硅太阳电池。表一中列出了近几年IBC电池技术的研究进展。美国的SunPower公司是产业化IBC电池技术的领导者，他们已经研发了三代IBC电池，最新的MaxeonGen3电池应用145um
效率突破到25%以上。其中日本Sharp和Panasonic公司将IBC与HJ技术结合在一起，研发的晶硅多结电池效率分别达到25.1%和25.6%。在中国，随着光伏产业规模的持续扩大，越来越多的

太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目减少。单晶组件损失的光电流比多晶组件多，与多晶电池相比，单晶电池在紫外线区域较为出色的光谱响应被
LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现

多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。　　4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了
OFwek太阳能光伏网讯：本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼

单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的
索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失