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标准的测试方法来表征，因为它的输出功率不仅来自于正面还来自于背面的输出。背面功率的输出受到安装高度、倾角、地面的环境及反射率等影响。因此，如何准确的去标定双面电池组件的功率是目前的难点
背面的遮挡材料的反射率对测试的不确定有很大的影响。后续关注：背面的反射率很大程度上会因为环境的变化而不同。关于不同的安装环境对双面电池发电量的影响。

方法来表征，因为它的输出功率不仅来自于正面还来自于背面的输出。背面功率的输出受到安装高度、倾角、地面的环境及反射率等影响。因此，如何准确的去标定双面电池组件的功率是目前的难点。双面电池组件IEC测试方法
)*Iscfront根据辐照度G与Isc的线性关系: Gcomp=(1+0.2BiFi)*1000 Wm-2对于这种测试方法背面的遮挡材料的反射率对测试的不确定有很大的影响。

多晶硅电池），经第三方权威机构测试，其光电转换效率高达19.14%。2016年3月，晶科能源在发表的白皮书中表示，晶科致力于发展黑硅技术，通过特殊的表面陷光处理，使多晶电池绒面结构接近单晶，反射率和光学
数据表明，多晶产品转换效率20%瓶颈已经被突破。近两年，金刚线切在多晶领域大规模推广，有效降低了多晶的生产成本，但是因表面洁净度高，光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低

多晶硅电池），经第三方权威机构测试，其光电转换效率高达19.14%。2016年3月，晶科能源在发表的白皮书中表示，晶科致力于发展黑硅技术，通过特殊的表面陷光处理，使多晶电池绒面结构接近单晶，反射率和光学
明，多晶产品转换效率20%瓶颈已经被突破。近两年，金刚线切在多晶领域大规模推广，有效降低了多晶的生产成本，但是因表面洁净度高，光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低

第三方权威机构测试，其光电转换效率高达19.14%。2016年3月，晶科能源在发表的白皮书中表示，晶科致力于发展黑硅技术，通过特殊的表面陷光处理，使多晶电池绒面结构接近单晶，反射率和光学吸收率也优于单晶
转换效率20%瓶颈已经被突破。近两年，金刚线切在多晶领域大规模推广，有效降低了多晶的生产成本，但是因表面洁净度高，光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割带来的高

中表示，晶科致力于发展黑硅技术，通过特殊的表面陷光处理，使多晶电池绒面结构接近单晶，反射率和光学吸收率也优于单晶。2016年5月，晶科能源表示，其采用PERC和黑硅技术的高效多晶电池已进入量产阶段，2015
降低了多晶的生产成本，但是因表面洁净度高，光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割带来的高反射率，完美解决多晶硅片制绒难题，绒面结构接近直拉单晶产品。同时，PERC

），经第三方权威机构测试，其光电转换效率高达19.14%。2016年3月，晶科能源在发表的白皮书中表示，晶科致力于发展黑硅技术，通过特殊的表面陷光处理，使多晶电池绒面结构接近单晶，反射率和光学吸收率也
明，多晶产品转换效率20%瓶颈已经被突破。近两年，金刚线切在多晶领域大规模推广，有效降低了多晶的生产成本，但是因表面洁净度高，光反射率也高。黑硅电池技术可以提高多晶硅片表面的陷光特性，大幅降低金刚线切割