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针对多晶电池片，潞安太阳能将在低成本金刚线切割工艺的基础上，进一步采用黑硅及PERC技术，在完美解决金刚线切割多晶的制绒反射率问题后，提高多晶电池转换效率，届时多晶效率可达到20.8%。
氢钝化工艺，利用氢原子钝化硼氧复合体，由硼氧体钝化为硼氢非复合体，降低衰减，针对单晶多晶都有良好的抗光衰作用。

从第一道工序制绒到最后的成品筛选，整个生产线一气呵成。
电池制造分厂主任宋志成介绍，目前，黄河公司已建成电池产能400兆瓦，组件产能300兆瓦，生产的单晶电池最高转换效率达到20.8%，多晶电池转换效率最高可达18.89%，常规P型单晶电池平均转换效率最高达

目前，保利协鑫主要采取的是金刚线切多晶的方式，电池厂要在硅片加一道表面制绒工序，此黑硅片能同时实现硅片端的成本下降、电池提升转换效率的双重目标。
同期，隆基股份的单晶硅片出货8.68亿片，其中外销4.49亿片，自用4.19亿片，产销率99.06%;单晶电池组件的出货为2188MW，其中单晶组件对外销售1259MW，自用796MW，单晶组件产销率达

自2017年起，保利协鑫积极携手各大下游电池厂商共同推广黑硅电池技术，公司采用金刚线切多晶加黑硅制绒技术，实现了硅片端成本下降与电池端转换效率提升的双重目标。
同时叠加PERC工艺后，金刚线切割+黑硅+PERC的黄金组合促使多晶产品的转换效率达到20.2%至20.5%。截止六月底，保利协鑫金刚线切多晶硅片的比例已经超过30%。

今年以来，保利协鑫积极携手各大下游电池厂商共同推广黑硅电池技术，公司采用金刚线切多晶加黑硅制绒技术，实现了硅片端成本下降与电池端转换效率提升的双重目标。
同时叠加PERC工艺后，金刚线切割+黑硅+PERC的黄金组合促使多晶产品的转换效率达到20.2%至20.5%。截止6月底，保利协鑫金刚线切多晶硅片的比例已经超过30%。

万跃鹏认为，新的领跑者技术指标要求多晶组件效率超过17%，60片组件功率超过280瓦，金刚线切多晶匹配黑硅制绒技术，再叠加PERC技术将是行业首选。
万跃鹏认为，单多晶电池效率同步上升，常规电池工艺功率相差约10-15瓦，PERC电池工艺效率相差还是10-15瓦，多晶在PERC平台上仍然有竞争力。

长达近60米的生产线上，每块单晶硅太阳能电池片都要经过制绒、扩散、刻蚀、退火、镀膜、丝网印刷、测试分选7道精密工序。整个过程是全封闭式的，全部由高度智能化、自动化生产设备来完成。王秀鹏介绍。
工业4.0不仅是实现自动化，也是信息化、智能化，在生产过程中收集各道工序的工艺参数，实现整个生产过程的跟踪。我们选用的设备，属于行业中单机产能最大的设备。

一年来，公司完成电池产线多晶改单晶技改项目和电池第八代技术工艺导入，电池平均转换效率由18.3%提升至20.30%。
公司逐渐推广第八代电池工艺，在此基础上加快第九代电池工艺开发，预计2017年单晶电池平均效率达到20.23%，对比2016年的平均19.93%提高了0.3%，在物耗能耗等费用未增加情况下，全年增加收益1218

于宏伟在演讲中指出，此外，多晶黑硅技术也有优异的抗PID性能，还可解决金刚线切硅片的制绒问题，推进金刚线切在多晶的应用，降低成本。除衰减之外，组件的弱光性和温度特性也至关重要。
晶澳单晶组件因为工艺优化等原因，从第二年开始，年平均衰减率不超过0.65%，整体看下来，到第25年，衰减不会超过18.6%，而国际上的相应要求为19.8%左右，所以能为业主带来比较大的利益。

PV TECH报告显示，之前领跑者指标低造成单晶基本是普通电池，PERC产能开工不足，而多晶通过推广金刚线切加黑硅制绒后，直接对接PERC电池工艺。
其中，领跑者基地多晶组件和单晶组件技术指标分别提高至17%和17.8%，多晶组件一年内衰减率不高于2.5%，单晶组件不高于3%。

硅片仅仅是基础，需要经过处理以后才会具有导电、发电的特性;在制作电池片过程中需要制绒工艺使得表面凹凸不平，从而有利于光子的捕获;为了获得最良好的导电性能，电池片往往采用银浆导电。
单晶组件制造流程单晶电池组件的制造始于单晶炉，在单晶炉中将籽晶放于旋转轴上让硅晶体围绕其缓慢生长，经过缓慢的生长过程，一根根内部晶粒有序、排列方向一致的单晶棒就出炉了。

硅片仅仅是基础，需要经过处理以后才会具有导电、发电的特性;在制作电池片过程中需要制绒工艺使得表面凹凸不平，从而有利于光子的捕获;为了获得最良好的导电性能，电池片往往采用银浆导电。
单晶组件制造流程单晶电池组件的制造始于单晶炉，在单晶炉中将“籽晶”放于旋转轴上让硅晶体围绕其缓慢生长，经过缓慢的生长过程，一根根内部晶粒有序、排列方向一致的“单晶棒”就出炉了。

PV TECH报告显示，之前领跑者指标低造成单晶基本是普通电池，PERC产能开工不足，而多晶通过推广金刚线切加黑硅制绒后，直接对接PERC电池工艺。
其中，领跑者基地多晶组件和单晶组件技术指标分别提高至17%和17.8%，多晶组件一年内衰减率不高于2.5%，单晶组件不高于3%。