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低于平均值0.7%/年。综上所述，从NREL 实验室的统计报告中，无法判断出单晶硅和多晶硅谁的衰减率更大。(2)日本AIST光伏技术研究中心公布数据2015年10月份沈辉老师的一个报告中介绍了日本
AIST光伏技术研究中心的公布数据。　　表3：单晶硅和多晶硅的衰减率对比表从上表可以看出：10年、20年、25年的统计数据，多晶硅的衰减效率均低于单晶硅。然而，由于这是日本实验室的小范围、短时间实验数据

世界仅有的几家多晶硅组件生产厂家能生产的单块组件最高功率；4主栅光伏电池片：每片电池都有四条主栅来汇集电子，能有效的降低组件内部电池片的电流热损耗；1500V系统电压：目前世界能生产该电压等级的组件的
、运行数据等，甚至可以对电站内电气设备实施远程控制，其对大量数据的传输和分析、对信号传输精度的能力可见一斑。但是无线传输技术运用在电力工程行业始终还是有一点让人不是很放心，无论是与光纤传输、RS485

光伏电池有各种技术流派，晶体硅电池、薄膜电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿等等。在众多流派中，晶体硅电池一直牢牢占据霸主地位，自2006年以来市场份额一直在80%以上。然而，晶硅电池内也有竞争
单晶硅组件、系统的衰减率中值分别为0.36%/年、0.23%/年，远低于平均值0.7%/年。综上所述，从NREL 实验室的统计报告中，无法判断出单晶硅和多晶硅谁的衰减率更大。 2)日本AIST光伏技术

光伏电池有各种技术流派，晶体硅电池、薄膜电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿等等。在众多流派中，晶体硅电池一直牢牢占据霸主地位，自2006年以来市场份额一直在80%以上。然而，晶硅电池内也有竞争
单晶硅组件、系统的衰减率中值分别为0.36%/年、0.23%/年，远低于平均值0.7%/年。综上所述，从NREL 实验室的统计报告中，无法判断出单晶硅和多晶硅谁的衰减率更大。2）日本AIST光伏技术

单晶产能。光伏主流企业在单晶技术路线上的频频扩张与投资，使得单晶市场的扩张蓄势待发。根据TrendForce旗下新能源事业处EnergyTrend公布的最新数据，截止2015年，全球光伏中单晶硅片比例
，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在确保

单晶产能。光伏主流企业在单晶技术路线上的频频扩张与投资，使得单晶市场的扩张蓄势待发。根据TrendForce旗下新能源事业处EnergyTrend公布的最新数据，截止2015年，全球光伏中单晶硅
，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在

若干意见》（国发〔2013〕24号）的规定，为鼓励先进技术，抑制高能耗、低效率光伏产能，今后新上光伏制造项目应满足单晶硅光伏电池转换效率不低于20%、多晶硅光伏电池转换效率不低于18%、薄膜光伏
指标、变电站及运行管理中心用地指标、集电线路用地指标和场内道路用地指标。其中，光伏方阵用地指标中，根据方阵排列的不同方式，分别列出了固定式、平单轴跟踪式、斜单轴跟踪式和双轴跟踪式4种方阵用地指标表

，光伏方阵用地指标中，根据方阵排列的不同方式，分别列出了固定式、平单轴跟踪式、斜单轴跟踪式和双轴跟踪式4种方阵用地指标表；变电站及运行管理中心用地指标中，根据不同升压等级，分别列出了5种等别的用地指标表；集
电线路用地指标中，根据塔杆类型，列出了水泥杆和铁塔杆用地指标表。为便于实际工作中掌握光伏发电项目用地指标的测算方法，《指标》设了两个附录。附录A给出了直辖市和省会城市光伏阵列斜面日均辐射量参考值。附录B

。技术改造升级工程应在满足生产要求和安全环保的前提下，宜在原有场地内进行，尽量不新增用地。 1.2 本条说明了光伏发电站工程建设应遵循的原则。土地是有限的自然资源，是各类建设项目进行建设的重要物质基础和
〕132号)文件要求：对因安全生产、地形地貌、工艺技术等有特殊要求的建设项目确需突破土地使用标准的，用地单位应报请当地国土资源主管部门同意。国土资源主管部门应组织有关专家论证评估，集体决策，合理确定项目

道路用地指标附录A 直辖市、省会城市光伏阵列斜面日均辐射量参考值附录B 计算实例附加说明编制单位和主要起草人员名单附件《光伏发电站工程项目用地控制指标》条文说明　　光伏发电站工程项目用地控制指标为落实
设计规范》（GB50797-2012）等法律、法规、技术规范，编制《光伏发电站工程项目用地控制指标》（以下简称本用地指标）。　　1、基本规定1.1本用地指标适用于新建、改建和扩建地面光伏发电站工程项目。1.2

同样的农业生长环境，不同光伏组件下方的西红柿生长情形。　　（a）普通多晶硅组件下方的西红柿　　（b）双玻组件下方的西红柿　　图14不同组件下的西红柿生长情形通过两张照片对比，图13（a）中，由于普通
多晶硅组件遮光，西红柿对光照的需求得不到满足，西红柿茎杆较多较细，花朵较多，但是花朵常不挂果，结的果实小、少，难以生长；图13（b）中，双玻组件下的西红柿茎杆粗，果实多、大。同样对比的黄瓜，普通多晶硅

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在
、节能热场等技术的快速突破与推广应用，先进单晶制造商单炉投料量已经达到500kg以上，正在研发测试中的CCZ连续加料技术，能够实现边拉晶边加料，进一步大幅提高投料量和单炉产量，降低拉晶成本，在长晶环节逐渐