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，独特的低成本商业模式，良好的资金状况，以及与现有及潜在顾客的良好关系。伴随着去年全球经济状况的窘境和芯片制造不断进入更小尺度所带来的更加昂贵的制造成本，客户更加看重我们独特的甚高频去耦合的反应离子刻蚀
，为创新和研发预留了充足的资金，在不断改进现有产品性能的同时，对前段和封装三维期间的TSV刻蚀技术和设备的研发投入了很多的资源。这使我们能在一个更主动的位置，以争取更多的市场机会。很多亚洲一流的芯片

太阳能电池产业发展的全部重要设备。　　目前，在太阳能电池生产线的10种主要设备中，六种已在国内生产线中占据主导。其中，扩散炉、等离子刻蚀机、清洗制绒设备已达到或接近国际先进水平，性价比优势十分
明显。但是，多晶电池绒面制作的制绒机与进口设备还有一定差距，用于周边刻蚀的激光刻阻机及湿法化学刻蚀设备尚未成功开发。全自动丝网印刷机、自动分检机、平板式PECVD等三种设备近期内尚需完全依赖进口

（钛、铬、钼、铂）、非金属基底（二氧化锡、石墨、破碳）上都可成功制备性能稳定、重现性好的CdSe薄膜电极。在金属基底CdSe薄膜结合力强，界面电阻小，经过电极表面的化学刻蚀和光化学刻蚀获得了7％的能量
InP单晶电极，它们具有吸收太阳光能的最佳带隙，可以构成高效的光电化学电池。n-GaAs电极在多硒溶液中有较好的稳定性，经H2SO4-H2O2混合溶液的反复刻蚀，再吸附Ru3+离子后有效降低表面复合，使

显微术及自组装单膜层领域，但等离子光学研究社群中常用刻蚀而非剥离法来移除硅模版。硅晶圆模版是以离子束蚀刻法制作，刻蚀过程中等离子吸收的离子只会留在硅模版中，不会转移到沉积于模版上的金属薄膜。这种模版的
情形，研究团队制造了厚200 nm、具沟槽结构的银薄膜，并以离子束刻蚀切出一个狭缝，再以光照射狭缝产生表面等离子横越金属表面，最后抵达沟槽结构而散射光。测量散射光强度随沟槽间距变化的结果显示，表面等离子