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)强化高端产品供给。提升光伏产业材料供应水平。有序健康发展光伏玻璃，重点发展超薄光伏玻璃盖板(背板)和太阳能电池用高温玻璃基板。围绕晶硅、薄膜发电两种工艺，发展封装胶膜、减反射及导电发电用靶材

，2019年的单位耗硅量为4.3g/瓦，仅为2009年的31%。对原材料利用率的大幅提高，自然会带来利润空间的同步增长。目前降低耗硅量的主要方式为降低硅片厚度与减少切片损耗。硅片减薄：从产业发展趋势看
金刚线切割技术较传统切割法，有切割速度快、良品率高、单片损耗低等一系列优点。高水平的切割技术同样有助于硅片进一步减薄与增大，能够协助改进硅片产品设计，进而降低生产成本。可以看到，目前光伏产业上游的

非晶硅钝化技术与IBC相结合，开发出HBC电池。对比IBC，采用氢化非晶硅层作为双面钝化层，背部形成局部异质结结构或侧高开路电压;对比HJT，前表面无电极遮挡，采用减反射层取代透明的导电氧化物薄膜
%，成本下降有赖于以上三方面：1)硅片大尺寸和薄片化方向有助于硅片成本持续下降。TOPCon电池硅片从166mm向182mm和210mm发展，尺寸厚度从目前的170m持续减薄;2)银浆替代和用量下降推动

为4．3g／瓦，仅为2009年的31％［10］。对原材料利用率的大幅提高，自然会带来利润空间的同步增长。目前降低耗硅量的主要方式为降低硅片厚度与减少切片损耗。硅片减薄：从产业发展趋势看，硅片厚度
［11］切片减损：刀锋损失是硅料切割过程中主要的损耗来源。新一代的金刚线切割技术较传统切割法，有切割速度快、良品率高、单片损耗低等一系列优点。高水平的切割技术同样有助于硅片进一步减薄与增大，能够协助

钝化，降低背表面复合速率，增加光程，提升效率。但红外辐射光只有60-70%能被反射，产生较多的光电损失，在转换效率方面有明显的局限。 2) PERC电池技术。通过在电池背面附上介质钝化叠层三氧化
二铝和氮化硅作为背反射器，增加长波光的吸收，同时增大P-N极间的电势差，降低电子复合，提升光电转换效率，还可以做成双面电池。随着工艺成熟，设备国产化和成本降低，逐渐成为市场

方式，硅片每减薄20微米价格可下降10%，对应组件价格降低5-6分/Wp。异质结电池采用低温制造工艺，易实现薄片化，预计2030年厚度可降到120微米，据南京航空航天大学亚太材料科学院实验室研究
表明，硅片薄片化并不会影响转化效率。异质结电池内采用倒金字塔陷光结构相比行业内普遍采用的正金字塔陷光结构有更高的转化效率。倒金字塔陷光结构的优点包括更低的入射光反射率、更好的钝化效果、更大的斜光发电效率及更适合于超薄HJT太阳电池。 (本文为索比光伏网据嘉宾演讲整理，未经嘉宾审核)

，HBC在IBC电池的基础上，背面依次插入本征非晶硅钝化层和透明导电膜层，具有更好的钝化效果。另一方面，相比于HJT，HBC结合了正面无遮挡的技术优势，同时正面采用SiNx减反射层代替TCO，进一步减少
硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层，因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化层可以增加光学内反射作用，因此电池的电流 ISC 也会有显著

组件开发、双面电池单封组件技术开发、沿海组件设计开发、166大硅片组件开发等。 (3)封装材料研发方面：光伏组件焊带反光贴膜、光伏组件间隙反光膜、光伏组件绝缘隔离膜、光伏组件装饰贴膜的研发、高反射
率钛白粉母粒的研究与制备、抗PID-p聚烯烃封装胶膜的研发、75微米减薄款反光贴膜的研发、高粘结强度的白色EVA胶膜的研发、光伏组件用高光电转换效率封装胶膜的研发、单玻组件高抗PID的EVA胶膜开发

，HBC结合了正面无遮挡的技术优势，同时正面采用SiNx减反射层代替TCO，进一步减少了光学损失。 HBC的工艺难度大，设备成本高。HBC制备工艺包括：1)清洗制绒;2)双面本征非晶硅沉积;3)背面
、氧化硅等减反射率更高的材料，形成双减反层或三减反层，有助于减少载流子损失。多层膜工艺虽然被证明可提高转换效率，但不可避免地会增加工艺复杂度、加工时间与设备投入，因此与多层膜相关的制造工艺和设备仍在

巨大研发投入，亚玛顿不断推陈出新，通过采用先进的大尺寸薄型热钢化技术，将钢化玻璃减薄至2mm及以下，搭载高性能减反射镀膜技术，配合独特的光伏组件设计理念，创新开发了超薄双玻组件，助力光伏行业进入更薄、更轻、更耐久的轻量化;时代!

组件功率。多主栅圆形焊带可减少遮光面积，将光有效反射到电池上，提高组件短路电流，焊带区域光学利用率由5%以下提高到40%以上。多主栅技术兼容强，可叠加多晶、单晶、PERC、黑硅、HJT、双面、单玻、双玻
Nam集团提供了611MW Tiger双面透明背板组件。截至2020年底，Tedlar PVF透明背板全球出货量已超过2GW，是透明背板领导者。透明背板具备以下优点： (1)减重效果卓越：采用

趋势确定，供需格局将要反转薄片化发展趋势明确，异质结电池发展将继续减薄硅片厚度。薄片化有利于降低硅耗和硅片成本，但会影响碎片率，目前硅片切片技术已经完全能满足薄片化的需求，但硅片具体厚度还需要结合
和POE胶膜在逐步替代普通EVA胶膜。白色EVA 胶膜具有提高反射率的作用，采用白色 EVA 胶膜可用成本较低的玻璃背板替代成本较高的有机背板;POE胶膜具有高抗 PID 的性能，双玻组件通常采用的是

化发展趋势明确，异质结电池发展将继续减薄硅片厚度。薄片化有利于降低硅耗和硅片成本，但会影响碎片率，目前硅片切片技术已经完全能满足薄片化的需求，但硅片具体厚度还需要结合电池片、组件的需求而定。2019年
提高反射率的作用，采用白色 EVA 胶膜可用成本较低的玻璃背板替代成本较高的有机背板;POE胶膜具有高抗 PID 的性能，双玻组件通常采用的是 POE 胶膜。2019 年组件封装材料仍以透明 EVA

，组件转换效率可达到21.3%。搭配成熟的半片和多主栅技术，精选柔性的异形焊带和高反射网格贴膜背板等辅材，提高光线利用率，实现组件功率大幅提升，最高可达590W。尚德特殊优化的组件结构设计，拥有
减轻组件重量。除双玻封装外，还可根据项目地实际情况搭配透明背板，不仅拥有超高透光率和优异的抗PID性能，而且相较于双玻组件，可有效减重超过30%，兼容跟踪支架，有效降低度电成本。尚德Ultra V