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拉开序幕!浙江的不少光伏企业对此早有预见，并早早地做了应战准备。美国时间5月17日反倾销税初裁结果出来的时候，浙江正泰太阳能科技公司在A、B预警方案当中选择了其中一个方案，这一天他们公司在境外组装的
新兴市场。浙江光伏企业的目光由外到内周五这一天，浙江合大太阳能科技有限公司光伏陶瓷瓦生产车间，一片忙碌。开始批量生产的光伏陶瓷瓦将为这家公司带来新的核心竞争力。加上组件目前我们出口额占到总销售额的

战争早已拉开序幕！　　浙江的不少光伏企业对此早有预见，并早早地做了应战准备。美国时间5月17日反倾销税初裁结果出来的时候，浙江正泰太阳能科技公司在A、B预警方案当中选择了其中一个方案，这一天他们公司在
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索比光伏网讯:在前一章中我们较为详尽地介绍了太阳能电池制造过程中的一个重要工序P-N结的制作，即常说的扩散过程，并对制作P-N结的扩散炉进行了简单介绍。而在制造太阳能电池的工艺流程中，通常都在扩散
后进行刻蚀。在扩散过程中，硅片的周边表面也形成扩散层。周边扩散层使电池的上电极和下电极形成短路，必须将它除去。这个工序是太阳电池制作中必不可少的一步，周边存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降

索比光伏网讯:在太阳电池制备中，扩散是一道重要工艺，其主要目的就是形成Ｐ－Ｎ结。对硅进行扩散的典型做法是将硅片置于高温石英管中（通常为８００℃～１２００℃范围），并通入含有待扩散元素的混合气体。在
扩散到硅中去。箱法扩散，又称半开管扩散（如图４．３ｂ），是封管扩散的改进，采用一个石英或硅制成的带盖子的箱子，扩散时把硅片和杂质源一起放入箱内，盖上盖子送入扩散炉管中，炉管内的惰性气体起保护作用。封管

形成电极。2.要求：稳定良好的银-硅欧姆接触；高导电率较低成本；良好的焊接性、附着力、印刷性能以及适宜大规模生产的工艺性。与硅片连接牢固，对酸碱、水汽等的侵蚀有一定抵抗力。这些都对光伏" title
索比光伏网讯:一、基本信息1.组成：导电相银粉、无机粘结剂玻璃料、有机载体及改善电池性能的微量添加剂组成，其中有机载体包括有机溶剂和有机树脂，它通过丝网印刷或其他喷涂技术将承印在基底表面，干燥成膜后

作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失（powerloss）。本文对
长光截止的EVA，则会造成这部分光不能被高方阻电池吸收，那么封装损失肯定比同效率常规电池制作的组件的封装损失要大。因此，使用不同工艺制作的太阳电池需要选择与之相匹配的EVA，在透光率和抗紫外两者之间找到

索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失
段（450nm）的IQE是要高于常规电池的，而如果采用对短波长光截止的EVA，则会造成这部分光不能被高方阻电池吸收，那么封装损失肯定比同效率常规电池制作的组件的封装损失要大。因此，使用不同工艺制作的

）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
都采用深结而不是浅结。浅结电池已成为历史。　　PEsC电池的金属化由剥离方法形成Ti-pd接触，然后电镀Ag构成。这种金属化有相当大的厚／宽比和很小的接触面积，因此这种电池可以做到大子83％的填充

电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对光伏电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
工业大学光伏中心使用电阻率0.65cm、厚度280m的HEM（热交换法）多晶硅片制作电池，n+发射区的形成和磷吸杂结合，采用快速热过程制备铝背场，用lift一off法制备Ti／Pd／Ag前电极，并加双层

本周光伏产品价格小幅下滑，其中多晶硅价格下降0.08%至24.64美元/kg,156多晶硅片下降0.65%至1.074美元，125单晶硅片下降0.67%至0.886美元/kg；156多晶电池片下降
第一大省，江苏于2009年6月19日出台《江苏省光伏发电推进意见》(以下简称《意见》)，提出三年内光伏发电装机容量达到400兆瓦，其中2011年的装机容量为230兆瓦。点评：值得注意的是，《意见》同时

光伏界同行就硅片、电池片、先进组件技术和工厂自动化方面的设备技术和工艺创新进行了现场交流。精彩内容包括：从项目开发者的视角看光伏产业的趋势、首席技术官们就业界视点开展小组讨论会、西安太阳能技术
。近几年，随着中国清洁能源技术战略的实施，作为同时横跨新能源和节能环保两大产业的太阳能光伏行业呈现出了蓬勃发展之势。据政府规划显示，到2015年，中国大陆的太阳能装机容量目标将达到15GW；到2020

不是硅棒数量越多越牛B。当硅棒数量（包括还原炉尺寸）大到一定程度后，继续增加带来的节能效益变得微乎其微（如下图所示）。（单位还原电耗与硅棒数量、反应压力的关系，来源：GTAT研究报告）由上图可以发现
索比光伏网讯:在第一篇文章中，通过对多晶硅主要生产工艺（TCS改良西门子法、硅烷流化床法和冶金法）的比较我们发现：1.基于TCS的改良西门子法仍是多晶硅生产最主要的方法改良西门子法目前为全世界提供了