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索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失
的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

转印 (LTP) 工艺设计的 CypoSol L 新型油墨。这种环保型油墨（同时提供无铅和水性型号）可用于硅片正反面的印刷。用于光伏组件安装的多功能支架和底盘/连接器和接线盒的Ultramid
用于光伏连接器和接线盒的特种聚酰胺Ultramid具有稳定性佳、阻燃、耐热变形、尺寸稳定等优点，适用于加工制造可承受雨、热、化学物质、石头冲击的户外用零部件。新推出的Ultramid B High

光伏所做出的贡献不容否认的，他经常跟我谈，他做硅片，你的钢丝，钢线什么价格，我也问如果中国产业链你会降价吗？如果有人愿意，把我今天说的话再跟他们做一个传达。贸易保护主义是暂时的，落后的企业不可能靠政府
索比光伏网讯:世纪新能源网&PVMate，SNEC全球光伏领袖对话现场直播:我跟大家讨论的题目是《公平竞争，自由贸易共迎平价上网的太阳能光伏时代》，十年以前，从1989年以前开始涉足光伏领域，十年

）：PESC电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高

电池1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对光伏电池的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集
工业大学光伏中心使用电阻率0.65cm、厚度280m的HEM（热交换法）多晶硅片制作电池，n+发射区的形成和磷吸杂结合，采用快速热过程制备铝背场，用lift一off法制备Ti／Pd／Ag前电极，并加双层

本周光伏产品价格小幅下滑，其中多晶硅价格下降0.08%至24.64美元/kg,156多晶硅片下降0.65%至1.074美元，125单晶硅片下降0.67%至0.886美元/kg；156多晶电池片下降
0.21%至1.897美元，125单晶电池片价格与上周持平。组件跌0.23%至0.86美元。3月以来，多家光伏组件企业投资光伏电站谋求出路。德国市场一季度光伏装机1.9GW，低于预期。中国、日本等市场

天了，但到目前为止，他不仅没有拿到裁员补偿金，连3月份的工资也还没有着落。4月8日，赛维针对新余硅片事业部开始大规模裁员。按照赛维的裁员方案，在赛维工作不满2年的员工将全部被辞退，裁员工作必须在15日
之前完成。张晓华就是在此次裁员中被辞退的。2010年底，家住赛维新余总部所在地高新区附近农村的张晓华来到赛维硅片厂工作，每个月的平均工资不到2000元。工号在25000以后的员工都被裁掉了，我的工号是

索比光伏网讯: 据经济观察报报道，裁员风波还未平息，江西赛维LDK太阳能高科技有限公司(下称赛维)目前又陷入了欠薪风波之中。本报获悉，目前赛维依旧欠着部分员工3月份的工资，而裁员补偿金则要
在流传。欠薪风波张晓华(化名)从赛维离开已经将近20天了，但到目前为止，他不仅没有拿到裁员补偿金，连3月份的工资也还没有着落。 4月8日，赛维针对新余硅片事业部开始大规模裁员

光伏界同行就硅片、电池片、先进组件技术和工厂自动化方面的设备技术和工艺创新进行了现场交流。精彩内容包括：从项目开发者的视角看光伏产业的趋势、首席技术官们就业界视点开展小组讨论会、西安太阳能技术
2012年4月20日，西安（记者钱明今）全球领先的太阳能光伏设备企业应用材料公司今天在西安高新区太阳能技术研发中心隆重举办了2012西安创新峰会。应用材料公司来自中国大陆、台湾地区、日本

市场需求可能出现小回暖。图：光伏产业链现货价格数据来源：PVinsights从目前的原辅料价格和成本看，下降空间已经越来越有限。从各个环节看，硅料0.15美元/瓦、硅片0.15美元/瓦、电池片0.13
均维持在0.25%以内。本期受下游组件出货至欧洲、尤其是德国速度加快的带动影响，电池片厂家反映近日要货有所增加，现货消化速度加快，除单晶电池片维护出货之外，多晶电池片出货也有所好转，且近期B级低

索比光伏网讯:太阳能电池片的浅结构是实现高效太阳能电池的有效途径之一，通常所说的浅结是指太阳能电池PN结结深小于0.3um，利用浅结可以显著的降低太阳能电池片表面的少数载流子复合速度，提高短波段的
=I2dR；(1)dR=psdy/B；(2)式中ps为薄层电阻率；均匀光照下两条细栅线的正中间电流为零，向两侧线性增加，到达栅线处为最大值，因此：I=Jby，J为电流密度。横向功率损耗：通过减小栅线间距离可以