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玻璃体电阻降低； Na+的析出及移动过程（4）经过美国NERL（国家能源部可再生能源实验室）的研究无论采用任何技术的P型晶硅电池片，组件在负偏压下均有发生电势诱导衰减的风险。因为ink
：（1）采用非Na、Ca玻璃提高玻璃的体电阻，阻断漏电流通路的形成；（2）采用非乙烯醋酸乙烯共聚物的封装材料。特点：从材料上抑制PID效应，安全、可靠，但非Na、Ca玻璃的成本高昂。另外

的设计本着以下原则进行：1.如何减小入射光的反射和透射损失。2.如何是光生载流子尽可能多的被P-N结收集，一是光电流最大、暗电流最小。3.功率损耗小，成本相对低。栅线结构设计的好，竟是电池的串联电阻小
删线电流的采集效果好，串联电阻小并且功率损耗比两栅的低，做出来的组件功率衰减少而稳定。3、从生产角度上讲：三栅的串焊更直，连接强度大，在层压的时候在片与片不容易有移位，但是人工的工时增加、在焊接的

保持一致或限制在一个范围内，转移有源导体上多余能量。在光伏发电系统防雷模块或防雷器设计中，建立电源设备的保护系统，以便既能够吸收放电产生的长时间高幅脉冲，又能够达到低剩余电压水平。在总配电箱或子配电箱
内安装的过电压保护器采用大功率压敏电阻模块作为保护元件。设备保护防雷器内采用的是压敏电阻和充气式过电压防雷器的组合线路。大功率电路中的压敏电阻必须按照各种国家和国际标准不断地对其温度情况，即漏电流的流动

有以下特征：①在退火过程中，碱离子向玻璃表面移动；②表面容易与O2、SO2、H2O及HCL等反应；③表面强度低，容易产生Griffith裂纹；④在玻璃表面上容易进行离子交换；⑤表面上的玻璃态的Sio2
来自阳光工匠光伏网，违者本网将依法追究责任。上一篇：【刘工总结】光伏组件问题系列总结电池片串联电阻与并联电阻下一篇：【刘工总结】光伏组件问题系列总结温度对接线盒的影响（2月3日发布）

用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的

限制在一个范围内，转移有源导体上多余能量。在光伏发电系统防雷模块或防雷器设计中，建立电源设备的保护系统，以便既能够吸收放电产生的长时间高幅脉冲，又能够达到低剩余电压水平。在总配电箱或子配电箱内安装的
过电压保护器采用大功率压敏电阻模块作为保护元件。设备保护防雷器内采用的是压敏电阻和充气式过电压防雷器的组合线路。大功率电路中的压敏电阻必须按照各种国家和国际标准不断地对其温度情况，即漏电流的流动情况进行

。多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，多晶硅太阳电池片的光电转换效率可达12%～17%，多晶硅太阳组件的转换效率一般在13%～16%，稍低于单晶硅太阳电池，但其材料制造简便，电耗低，总的生产成本
转换效率可大幅提升，其太阳能能量转换效率可达25%～35%。整个装置的转换效率为17%～25%。聚光器将较大面积的阳光聚在一个较小的范围内，以增加光强，克服太阳辐射能流密度低的缺陷，把太阳电池放置

经过特殊设计才能满足太阳能电池组件的使用要求。铜绿产生的原因因为铜的电阻率低，对于功率的损耗小，价格相对银要便宜，且其延展性好，加工方便，所以接线盒内含铜器件比较多：汇流带是由纯度为
组件的影响铜绿会增大接触点的接触电阻，导致该点持续发热，消耗组件产生的电流，降低组件的输出功率，提高了接线盒内部温度，加速密封圈及盒体材料的老化，还会使与接线盒接触的背板以及EVA等老化速度加快

接线盒必须经过特殊设计才能满足太阳能电池组件的使用要求。2.0铜绿产生的原因因为铜的电阻率低，对于功率的损耗小，价格相对银要便宜，且其延展性好，加工方便，所以接线盒内含铜器件比较多：汇流带是由纯度为
十分重要。表现在接线盒上就是防水防尘等级、散热性能等方面。2.1铜绿产生机理铜与空气中的氧气、二氧化碳和水等物质反应产生的物质，颜色翠绿，俗称铜绿。化学式为：2.3铜绿对组件的影响铜绿会增大接触点的接触电阻

高的绝缘电阻值。所谓焊后残留物，即助焊剂中的焊后不挥发成分和残留的活性成分以及焊后反应生成的金属氧化物等。从物理学的角度看，这种反应生成物和残留物质有可能是各向同性电介质。对于此种电介质的分子可分为
，很少考虑助焊剂的安全性和对组件性能及可靠性的影响。其实助焊剂的助焊效果和它的腐蚀性能正比的的，即助焊效果越好，它的腐蚀性越强。选择助焊剂一般要求其为：无色或淡黄色透明液体，固含量低（＜2%），扩展率高

%，接近坡莫合金的本征各向异性磁电阻；有意思的是，在半导体Si上也观察到了横向光伏效应随磁场的变化，且相对变化幅度远远高于坡莫合金，最高可达3.5%，从而实现了Si中电子过程的低磁场调控。进一步，他们
，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)磁学国家重点实验室孙继荣课题组博士研究生王拴虎等通过在半导体与磁性金属之间建立强烈的关联，通过调控对磁场更为敏感的磁性金属实现了对半导体内部电子运动行为的低

坡莫合金的本征各向异性磁电阻；有意思的是，在半导体Si上也观察到了横向光伏效应随磁场的变化，且相对变化幅度远远高于坡莫合金，最高可达3.5%，从而实现了Si中电子过程的低磁场调控。进一步，他们确定了
低磁场调控，产生明显磁效应的磁场仅为几个奥斯特。他们发现，利用磁性金属和半导体构成肖脱基结，当以光激发非平衡载流子时，半导体中的电子和磁性金属中的空穴通过界面势垒和库仑相互作用形成电子-空穴对。当磁场