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为您找到 “<b>p<b>型硅片”相关结果224 个
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综合
晶科能源20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-05-04 09:21:41
5B. 选择性发射极电池 对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于
P
型
晶体硅电池的扩散层是N型导电层,使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷
晶科能源
晶硅
多晶电池
干货:20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-29 13:34:34
发射极的优势越来越小,个别选择性发射极技术如硅墨技术、激光选择性发射极逐渐被淘汰出局。 对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于
P
型
晶体硅电池的扩散层是N型
多晶硅
太阳能电池
光伏技术
20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-28 10:03:48
出局。对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于
P
型
晶体硅电池的扩散层是N型导电层,使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷,能够起到良好的场钝化效果,使用
钝化效果的是AlOx/SiNx钝化薄膜,一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高,能够提供较强的场钝化能力;另一方面,在高温烧结过程中,AlOx与
P
型
硅基片界面能够形成一层1~2nm厚的SiOx层
晶科能源
多晶电池
光伏电池
【技术】IBC电池技术及产业化
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-12 14:11:18
电池技术的研究进展 图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N
型
硅片
衬底的背面形成相间的P
太阳能电池
光伏技术
发电效率
【深度】2016最新单晶VS多晶对比分析
来源:索比光伏
发布时间:2016-03-21 08:37:59
空间与速度 下一页 另外,在品质方面,以往B-O复合体的存在导致
P
型
电池中单晶电池的衰减高于多晶电池,目前随着低氧
P
型
单晶的成功
单晶VS多晶
光伏组件
单晶VS多晶对比:单晶稳步提升市场份额
来源:索比光伏
发布时间:2016-03-18 15:20:48
晶电池效率绝对值高出6%,每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。 图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度 另外,在品质方面,以往B-O复合体的存在导致
P
型
电池中单晶电池的
太阳能电池
单晶硅
多晶硅
产业
【工艺】PERC光伏电池技术最新探究
来源:索比光伏
发布时间:2016-02-24 00:01:59
处于很低水平时,电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时,效率的提升幅度明显降低。2.实验 2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶
硅片
,扩散后方阻均为
所限,抛光效果有待提高。目前,制作常规厚度的PERC电池,是在去背结后进行背面抛光。企业生产时,普遍采用的是三线滚轮流水线去背结或抛光,酸液或者碱液可能漫过较薄的
硅片
,造成正面被腐蚀,破坏绒面和p
PERC电池
光伏电池
光伏技术
你了解N型高效单晶光伏电池技术吗?
来源:索比光伏
发布时间:2016-02-23 00:02:59
由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命,使其占据全球光伏市场约90%份额。理论上讲,不管是掺硼的
P
型
硅片
还是掺磷的N
型
硅片
都可以用来制备太阳能电池。但由于太阳能电池
光伏电池
单晶光伏
光伏技术
你了解商业化高效晶硅光伏电池技术吗?
来源:索比光伏
发布时间:2016-02-01 00:01:59
20/□以下。孔间距离也由2mm缩短为250m,大大减少了横向电阻。如此,在0.5cm和2cm的
p
型
硅片
上制作的4cm2的PERL电池,效率可达23-24%,比采用同样
硅片
制作的PERC电池性能有较大
晶硅光伏
高效晶硅
光伏电池
【干货】光伏组件功率为何不断衰减?
来源:索比光伏
发布时间:2016-01-21 14:12:07
型(掺硼)晶体
硅片
制作而成的光伏组件经过光照,其
硅片
中的硼、氧产生复合体,从而降低了其少子寿命。在光照或注入电流条件下,
硅片
中掺入的硼、氧越多,则生成复合体越多,少子寿命越低,组件功率衰减幅度就越
光伏要闻
【干货】光伏组件功率不断衰减的原因何在?
来源:索比光伏
发布时间:2016-01-20 23:59:59
、组件初始光致衰减分析1.1、组件初始光致衰减原理分析组件初始光致衰减(LID)是指光伏组件在刚开始使用的几天其输出功率发生大幅下降,之后趋于稳定的现象。普遍认为的衰减机理为硼氧复合导致,即由
p
型
(掺
硼)晶体
硅片
制作而成的光伏组件经过光照,其
硅片
中的硼、氧产生复合体,从而降低了其少子寿命。在光照或注入电流条件下,
硅片
中掺入的硼、氧越多,则生成复合体越多,少子寿命越低,组件功率衰减幅度就越大。1.2
光伏要闻
如何处理光伏企业
硅片
清洗废水?
来源:索比光伏
发布时间:2016-01-08 16:58:15
,再回到污水处理系统。 3 主要构筑物 (1)格栅井。钢混结构,半地下式,共1座,有效容积为4 m3。内设HZG-500型机械格栅,P=0.55 kW,b=5 mm。 (2)调节池。钢混结构,共
光伏企业
硅片
产业
光伏企业
硅片
清洗废水如何处理?
来源:索比光伏
发布时间:2016-01-07 23:59:59
。内设HZG-500型机械格栅,P=0.55 kW,b=5 mm。(2)调节池。钢混结构,共1座,净尺寸为8 m32 m5.2 m,有效容积为1 024 m3,停留时间为6.1 h。设PBX-8型平流
光伏要闻
全面解读:电价下调如何影响光伏产业
来源:索比光伏
发布时间:2015-12-23 09:15:55
过,据悉,2015年12月16日,天合光能宣布,经第三方权威机构测试,天合光能光伏科学与技术国家重点实验室以22.13%的光电转换效率刷新了156156mm2大面积
P
型
单晶硅太阳电池的世界纪录
大会开幕活动更加强化了未来中国的减排义务。 2.产业规模 (1)产业规模:2015年全球
硅片
产量中国大陆占76%; 图1.2015年全球
硅片
生产布局情况 (2)行业产值:2015年前
光伏装机容量
可再生能源
发电量
【聚焦】全面解读:电价下调如何影响光伏产业
来源:索比光伏
发布时间:2015-12-23 00:14:59
国家重点实验室以22.13%的光电转换效率刷新了156156mm2大面积
P
型
单晶硅太阳电池的世界纪录。目前市场化电池片,156单晶硅的转换效率平均高位在18.6%,156多晶硅的转换效率平均高位
的减排义务。2.产业规模(1)产业规模:2015年全球
硅片
产量中国大陆占76%; 图1.2015年全球
硅片
生产布局情况(2)行业产值:2015年前三季度中国光伏行业仅制造业总产值已超过2000亿
光伏政策
光伏并网
光伏电价
解析中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-26 08:25:38
光伏产业新兴国家,光伏产业发展迅速;同时作为第一人口大国,劳动力资源丰富,在劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据 较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速
在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下,2014年我国多晶硅产量仍达到13.2万吨,同比增长57%;
硅片
产量达到38GW,同比增长28%;电池片产量达到33GW,同比增长32%;组件产量达到
光伏产业
产业链
光伏行情
【解析】中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-26 00:01:59
第一人口大国,劳动力资源丰富,在劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是
在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下,2014年我国多晶硅产量仍达到13.2万吨,同比增长57%;
硅片
产量达到38GW,同比增长28%;电池片产量达到33GW,同比增长32%;组件产量达到
光伏产业
光伏市场
光伏行业
单晶or多晶:晶硅光伏市场谁笑到最后?
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-17 09:00:10
,提升空间有限。2025年,单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%,每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。 另外,在品质方面,以往B-O复合体的存在导致
P
型
电池中单晶电池的衰减高于
晶硅市场
单晶硅
多晶硅
产业
单晶or多晶:晶硅光伏市场 谁笑到最后?
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-17 00:05:59
晶电池效率绝对值高出6%,每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外,在品质方面,以往B-O复合体的存在导致
P
型
电池中单晶电池的衰减高于多晶电池,目前随着低氧
P
型
单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来
单晶硅
多晶硅
光伏材料
技术进步推进单晶电池扩大市场份额
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-16 16:49:17
,提升空间有限。2025年,单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%,每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。 另外,在品质方面,以往B-O复合体的存在导致
P
型
电池
中单晶电池的衰减高于多晶电池,目前随着低氧
P
型
单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来,随着单晶降氧工艺技术的进步,单晶中的氧含量大幅降低,低氧单晶的衰减优于多晶。如下图4所示,低氧单晶组件平均光衰低于普通
单晶硅
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