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为您找到 “<b>p<b>型硅料”相关结果53 个
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综合
一文看懂单、多晶电池光衰原理
来源:索比光伏
发布时间:2018-11-19 08:58:20
1.晶硅组件的光衰 硼(B)掺杂的
P
型
单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现,该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出
P
型
单晶硅
P
型
多晶硅电池
组件
PERC
光伏技术
多晶硅新增产能陆续投产 仅万吨级企业满产运行
来源:索比光伏
发布时间:2018-11-01 17:05:35
月中开始试生产。3B项目将于2019年1季度达到满产,届时
硅料
产能将达到3万吨/年,待去瓶颈化后,有望在2019年6月底前产能提升至3.5万吨/年。根据大全和当地电厂的协议,3B项目达到满产后电价将在
多晶硅
江苏中能
四川永祥
P
型
单晶硅电池衰减原因与改善措施
来源:索比光伏
发布时间:2018-07-09 16:19:49
电阻率,从而提高电池效率,同时还能够达到抑制光衰减的目的。 7)提高掺硼
P
型
直拉单晶硅棒的质量。 首先从多晶
硅料
的料源入手,避免掺入过多的其他不合格的次品
硅料
,如IC的废N型硅片或复拉的埚底料等,均会
单晶硅电池
光衰减原理
电池衰减
【科普】什么是光伏电池光衰?
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-19 17:05:11
废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的
P
型
单晶材料。尽管电阻率合适,但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们强烈要求不使用低电阻率N
型
硅料
。 3)一些公司拉
光伏电池光衰
电池片光衰
给你讲光伏组件的那些事儿
来源:索比光伏
发布时间:2016-11-24 10:53:28
的组件边框接地实现的,这就造成在单个组件和边框之间形成偏压,组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于
P
型
晶硅组件,通过有变压器的逆变器负极接地,消除组件边框相对于电池片的正向偏压会有效的预防PID
的出货量情况 普通晶硅组件的内部结构 光伏组件的转化效率 1功率 我们常说,采用255Wp光伏组件。下表的p为peak的缩写,代表其峰值功率为
光伏组件
光伏组件市场
光伏电站
晶科能源20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-05-04 09:21:41
5B. 选择性发射极电池 对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于
P
型
晶体硅电池的扩散层是N型导电层,使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷
晶科能源
晶硅
多晶电池
干货:20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-29 13:34:34
发射极的优势越来越小,个别选择性发射极技术如硅墨技术、激光选择性发射极逐渐被淘汰出局。 对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于
P
型
晶体硅电池的扩散层是N型
多晶硅
太阳能电池
光伏技术
20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-28 10:03:48
出局。对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于
P
型
晶体硅电池的扩散层是N型导电层,使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷,能够起到良好的场钝化效果,使用
钝化效果的是AlOx/SiNx钝化薄膜,一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高,能够提供较强的场钝化能力;另一方面,在高温烧结过程中,AlOx与
P
型
硅基片界面能够形成一层1~2nm厚的SiOx层
晶科能源
多晶电池
光伏电池
【工艺】PERC光伏电池技术最新探究
来源:索比光伏
发布时间:2016-02-24 00:01:59
的硅片原始厚度为180~190m,
硅料
消耗成本大幅降低,极大地促进了光伏产业的迅速发展。采用金刚线切割技术可以切割出厚度为100m的硅片,将超薄电池的工艺技术又推进了一步。Jan Hendrik
处于很低水平时,电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时,效率的提升幅度明显降低。2.实验 2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片,扩散后方阻均为
PERC电池
光伏电池
光伏技术
解析中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-26 08:25:38
光伏产业新兴国家,光伏产业发展迅速;同时作为第一人口大国,劳动力资源丰富,在劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据 较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速
,更具科学性;二是在因子分析的基础上进行聚类分析,可以将各国光伏产业链进行科学层次细分,从而使分析结果更深入。本文的研究力图构建一个具备系统性、层次性和科学性的评价指标体系。 光伏产业链包括
硅料
、铸锭
光伏产业
产业链
光伏行情
【解析】中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-26 00:01:59
第一人口大国,劳动力资源丰富,在劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是
;二是在因子分析的基础上进行聚类分析,可以将各国光伏产业链进行科学层次细分,从而使分析结果更深入。本文的研究力图构建一个具备系统性、层次性和科学性的评价指标体系。光伏产业链包括
硅料
、铸锭(拉棒)、切片
光伏产业
光伏市场
光伏行业
多晶VS单晶:市场风云 鹿死谁手?
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-13 00:02:59
; 图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶,但是目前
P
型
多晶量产效率也即将突破20%,因此从性价比看,
P
型
单晶还是不如
P
型
多晶,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为
光伏材料
多晶硅
晶硅市场
多晶硅片市场份额提高到88%的原因分析
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-12 10:02:45
突破20%,因此从性价比看,
P
型
单晶还是不如
P
型
多晶,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为B-O复合体的原因,衰减较大,但N型单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产N型单晶电池,需要重新引入
多晶硅片
市场份额
产业
硅片
揭秘多晶硅片市场份额提高到88%的原因
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-11 23:59:59
,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为B-O复合体的原因,衰减较大,但N型单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产N型单晶电池,需要重新引入设备,投资较大,在现有形势下,期望电池厂大量上N型
光伏要闻
【干货】保利协鑫游达:如何通过铸锭技术提升光伏组件效率
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-21 14:52:05
光衰现象。但研究表明,在N型硅片中,如果
硅料
中含有少量的硼,同样也发现了光衰现象,而且,其寿命恢复过程较
P
型
电池慢。类似谜题目前实验结果还较少,有待业界进一步研究。
扩散更加均匀。在硅片端,可以降低硅片掺杂浓度,提高硅片电阻率,使电池片PN结空间电荷耗尽区宽度增加;提高硅片掺杂均匀性,改善电阻率分布。 二、降低光致衰减(LID) 掺硼
P
型
晶硅太阳能电池经过光照
保利协鑫
游达
铸锭
光伏人物
浅析光伏电站中光伏组件衰减问题
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-31 11:16:06
硅棒制作中要避免使用低质量的多晶
硅料
;控制掺人过多低电阻n
型
硅料
,避免生产高补偿的p性单晶棒,因为硼氧含量极高,将导致光伏组件出现大幅度光致衰减;提高拉棒工艺水平,降低硼氧含量,降低缺陷密度,改进电阻率
光伏行情
光伏电池板的光衰减现象是怎么产生的?
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-17 11:50:28
早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的
硅料
。 2)在高纯多晶
硅料
中掺人过多低电阻率N
型
硅料
苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的
P
型
单晶材料。尽管电阻率合适,但硼一氧
光致衰减
PID
光伏技术
产业
中国光伏产业 在全球价值链下竞争力及路径
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 09:12:57
劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
包括
硅料
、铸锭(拉棒)、切片、电池片、电池组件、应用系统等6个环节。上游为硅原料、硅片等环节。中游为电池片、光伏组件等环节。下游为光伏装机,应用系统等环节。从全球范围来看,产业链6个环节所涉及企业数量
中国光伏产业
竞争力
光伏行业
全球价值链下中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 08:57:59
密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
性和科学性的评价指标体系。光伏产业链包括
硅料
、铸锭(拉棒)、切片、电池片、电池组件、应用系统等6个环节。上游为硅原料、硅片等环节。中游为电池片、光伏组件等环节。下游为光伏装机,应用系统等环节。从全球
光伏产业
光伏评论
解析光伏电池板为何产生光衰减现象
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-04 08:39:24
不但效率低,而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的
硅料
。 2)在高纯多晶
硅料
中掺人过多低电阻率N
型
硅料
苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的
P
型
单晶材料。尽管电阻率
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