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后进入n型衬底形成n+区,而未印刷掩膜层的区域,经磷扩散后形成p+区。通过丝网印刷技术来确定背面扩散区域成为目前研究的热点。图1早期IBC太阳电池2.1.2PCC太阳电池美国SunPower公司利用
德国ISFH研究所结合激光烧蚀及LFC技术开发出RISE(Rearinterdigitatedsingleevaporation)电池,见图3。电池以p型FZ2Si作为衬底,正面制作随机金字塔绒面,并

转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图4显示的是效率相近的常规电池（CellⅠ）和高方阻（CellⅡ）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在段
电流；不适合的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。封装试验及讨论不同氮化硅膜厚电池的封装对比选族三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

波长光的透射率为37.1%，而其他三种加入抗紫外剂的EVA对在360nm波长以下范围内的光是截止的。但现在电池厂家为提高太阳电池的转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱
焊接过程中存在虚焊、漏焊等焊接不良的问题，会造成较高的接触电阻，降低组件的输出电流；不合适的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论不同氮化硅

，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图四显示的是效率相近的常规电池（CellI）和高方阻电池（CellII）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在短波
的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落，无法收集电流，从而造成封装损失的增加。　　封装实验及讨论　　不同氮化硅膜厚电池的封装对比　　选取三组不同氮化硅膜厚、效率17.25%档的单晶

光伏产业园总规划面积6600亩，其中，A区占地600亩，以尚德厂区为核心进行续建、扩建；B区占地6000亩，园完区全是在一张白纸上全新规划，园区于2009年11月奠基。无锡新区管委会主动借助了市场的力量，将
、组件制造企业，同时，园区又顺势地向产业链上下游拓展，吸引韩国WONIK产业集团的光伏设备、西安隆基股份的单晶硅片、芬兰奥林集团的新型燃烧器、尊太逆变器、富智切割器等项目，产业集聚效应迅速突显

在上海第五届国际太阳能光伏大会中，友达针对地狭人稠、屋顶面积有限的都市型市场，推出SunFortePM318B00 高效率单晶硅太阳能光伏组件，这是全世界转换效能最高的光伏组件，效率高达19.5%，与
PM318B00光伏组件、多款环保光伏产品，以及针对十二五政策所提出的低碳园区规划服务，友达将透过全球最高效率的垂直整合一体化太阳能价值链，为客户提供低碳、先进及高质量的全方位的绿能解决服务方案。　　友达光电是

。此次在上海第五届国际太阳能光伏大会中，友达针对地狭人稠、屋顶面积有限的都市型市场，推出SunFortePM318B00 高效率单晶硅太阳能光伏组件，这是全世界转换效能最高的光伏组件，效率高达19.5
PM318B00光伏组件、多款环保光伏产品，以及针对十二五政策所提出的”低碳园区规划”服务，友达将透过全球最高效率的垂直整合一体化太阳能价值链，为客户提供低碳、先进及高质量的全方位的绿能解决服务方案。友达光电是