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甚至可以做到274瓦的水平，但是根据规则274瓦的组件只能标定为270组件，不符合诸多电站业主的设计要求。结果就是这样的组件没人要，甚至只能按照B级电池片出售，价格仅为正常电池的8折。由于行业内大量的
A级电池片的产品按照B级卖。我了解到效率18.6%电池片市场售价为0.8元/瓦，考虑0.9元的含税封装成本以后，对应组件售价恰好为1.7元。这是市场中存在1.7元组件的另一方面原因。而实质上我们前面已经

尴尬了，虽然只是效率略低，封装后的实际功率甚至可以做到274瓦的水平，但是根据规则274瓦的组件只能标定为270组件，不符合诸多电站业主的设计要求。结果就是这样的组件没人要，甚至只能按照B级电池片出售
效率，这就使得市场中必然存在着一些原本是A级电池片的产品按照B级卖。我了解到效率18.6%电池片市场售价为0.8元/瓦，考虑0.9元的含税封装成本以后，对应组件售价恰好为1.7元。这是市场中存在1.7

题目为《晶体硅太阳电池产业化技术的发展》。王老师是国内电池研究的最权威专家之一。根据目前的情况分析后，王老师认为：单晶PERC产品兼具成本与性能优势，是目前最有竞争力的产品，未来还具有很高的效率
太阳电池浆料技术的改进浆料的全面改进 2PERC电池 PERC电池工艺过程表3：台湾的PERC电池的厂商表4：台湾之外的PERC电池产能

存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴
需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶

255W。所有的技术规格书中都会标注标准测试条件的。下图为常州天合的光伏组件技术规格书一部分(250W，下同)。只有在标准测试条件(STC条件，辐照度为1000W/m2，电池温度25℃，AM
%以内。但目前这个数据还真的很难说，原因有三： 1)光伏组件出场功率是用实验室标准光源和测试环境标定的，但似乎国内不同厂家的标准光源是存在一定的差异的。那在A厂标定的250W的组件，到了B厂，可能

可能性高。Dash的空洞介于line和dot 之间，对Al的要求相对低一些，更容易实现。P型电池在PERC技术上进一步提升效率的路线还包括采用选择性发射极和局部B掺杂。目前Solarworld 公司
、PERC电池光致衰减（LID）目前单晶的光致衰减主要是B-O复合引起的，由于PERC电池具有更高的开路电压，导致其具有更高的衰减。降低 LID 的主要措施有：降低硅片氧含量市场主流数值为20ppma

解决方案亚太区销售总监汪伟表示，电池组件转换效率每提升1%，太阳能发电系统的总成本就会降低5%。领跑者计划的降成本目标与光伏组件休戚相关。就光伏组件而言，晶科能源研发经理刘增胜指出，未来组件技术的三大方向
，减少组件内部电能损耗，优化电池和封装材料匹配性、减少损耗等。如局部背钝化PERC电池、背接触式IBC电池等效率提升显著。此外，升级太阳能电池的关键原材料导电银浆也是增效的现实路径之一。以杜邦

解决方案全球总监汪伟表示，电池组件转换效率每提升1%，太阳能发电系统的总成本就会降低5%。领跑者计划的降成本目标与光伏组件休戚相关。就光伏组件而言，晶科能源研发经理刘增胜指出，未来组件技术的三大方向是降本
组件内部电能损耗，优化电池和封装材料匹配性、减少损耗等。如局部背钝化PERC电池、背接触式IBC电池等效率提升显著。此外，升级太阳能电池的关键原材料导电银浆也是增效的现实路径之一。以杜邦

既定目标的关键。借助互联网的开放性、无界性、平等性。本次大会汇聚多位光伏产业领袖及专家出席，并发表了精彩的演讲，完成了一场高端头脑风暴。我们相信，未来的光伏产业不仅仅是B端市场！更多的是人人都是发电厂
我国光伏产业发展继续保持高速增长，仅今年第一季度装机约为7.5GW，创造历史最高纪录。他预测，未来PERC电池技术会发展比较迅速，领跑者将成为中国光伏新主题。晶科能源研发总监刘亚峰晶科能源研发总监

晶硅太阳能电池封装方式导电背板高效组件 1 引言目前主流的晶体硅太阳能电池和组件技术早在上个世纪90年代已经基本成熟，性能和转化效率的提高主要依赖于材料的改进和工艺细节的优化，进一步提高的
空间已经越来越窄。电池和组件结构的重大创新被越来越多的光伏研究机构和企业所关注，背面钝化（PERC）电池、异质结（HIT）电池和背接触式电池等新型结构的电池被认为是最有发展前景的几种技术，并逐步从实

密度、更高的少数载流子寿命等特征，同时结合公司自主研发的错位品质专利技术，有效保证了M4的转换效率。　　而BBL组件采用的是无主栅背接触设计，可以和市场上广为接受的背接触式MWT组件技术相媲美
的高效组件技术。同等面积的BBL组件比常规组件输出功率高出5-7%，并具有多种可选输出电压。万跃鹏表示。　　赛维LDK新闻发言人彭少敏介绍，赛维LDK在市场竞争激烈的情况下，依然保持对研发的力度

设计，可以和市场上广为接受的背接触式MWT组件技术相媲美的高效组件技术。同等面积的BBL组件比常规组件输出功率高出5-7%，并具有多种可选输出电压。万跃鹏表示。赛维LDK新闻发言人彭少敏介绍，赛维
的直径（如200毫米到210毫米）和边距尺寸，但仍令客户出现选择性困难。规格不统一的话，单晶硅片厂商无法大规模地批量生产同一规格，如A公司要的是一个硅片尺寸，B公司要另一个尺寸，在我们生产端就要