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数万条IV曲线，在比较了几种最常见的钙钛矿太阳能电池结构以后，发现P-i-N反式平面结构电池更容易消除迟滞效应。电池结构如图2所示。我们通过实施成功的界面工程，以稳定、高导电、能带调控的重掺杂型无机界

多晶硅片是156mm*156mm，P型掺杂，厚度为20020m，电阻率1-3。首先在80℃下，浓度为10%的NaOH溶液中去除硅片表面机械损伤。随后采用不同条件（如表1）的PIII方法制绒。然后所有的硅片
共同作用，来降低电池的反射率。图4是每个实验条件的表面面积和扩散方阻的对比曲线。表面面积是通过AFM得到的，观察区域为5*5ｕm2。随着小山峰高度的增加，黑硅的表面面积增加，使P更易扩散到硅片内，导致方

按照提醒硅比较大的话，平方是成正比的，体现一个热激活的一个特征，就是说，热激活能就可以合成，更好一些所以由于它有这种分解性能，我们可以退火处理来降低。 P型硅高效雄健LID大于实际上就是主要集中在
，导致电流的一个降低，所以这样的话，我们如何来去除的两方面，如果是匹配硅电池的话，一个方式比较管用，加的比较小，从技术需要从残杂，另外一个氧含量，不是太好做，还有环城A型硅，但是要从现在的就是说，实验

硅棒制作中要避免使用低质量的多晶硅料;控制掺人过多低电阻n型硅料，避免生产高补偿的p性单晶棒，因为硼氧含量极高，将导致光伏组件出现大幅度光致衰减；提高拉棒工艺水平，降低硼氧含量，降低缺陷密度，改进电阻率
晶体硅的缺陷，从而彻底解决了掺硼的硅片，光伏组件的衰减问题。方法四：使用掺p的n型硅替代掺硼的p型硅片，n型硅片可以解决光致衰减问题，但是从现有技术和工艺来看，在转换效率和制造成本上没有优势

太阳能电池。存在负电荷Al2O3的低电阻率P型硅通过良好的背钝化，转换效率已经达到 20.6%。其中最优工艺是30nm的Al2O3薄膜上覆盖着200nm通过等离子增强化学沉积（PECVD）的硅氧膜
钝化替代品需要拥有和SiO2相同的特性，这是在未来工业生产晶体硅高效太阳能电池所必须的。另一种主要研究的替代品是氮化硅（SiNx），一般用化学汽相淀积（PECVD）法在约400℃时生成，而且在P型硅上