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出局。对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷，能够起到良好的场钝化效果，使用
钝化效果的是AlOx/SiNx钝化薄膜，一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高，能够提供较强的场钝化能力；另一方面，在高温烧结过程中，AlOx与P型硅基片界面能够形成一层1~2nm厚的SiOx层

扩散更加均匀。在硅片端，可以降低硅片掺杂浓度，提高硅片电阻率，使电池片PN结空间电荷耗尽区宽度增加；提高硅片掺杂均匀性，改善电阻率分布。二、降低光致衰减（LID）掺硼P型晶硅太阳能电池经过光照
均有相关。但电池片中的硼是引起电池片衰减的主要因素。研究表明，当硅中的硼含量从80ppbm降低至10ppbm后，硅片的光致衰减从1.35%降低至0.58%。而我们如果通过使用镓代替硼作为掺杂剂制备P型

按照提醒硅比较大的话，平方是成正比的，体现一个热激活的一个特征，就是说，热激活能就可以合成，更好一些所以由于它有这种分解性能，我们可以退火处理来降低。 P型硅高效雄健LID大于实际上就是主要集中在
我们的提高发电量一个最重要的方法，来提高电池的效率也就是高效电池，高效电池效率越高，就会碰到两个问题，一个是PID，一个是LID，越是高效电池越明显，在2005年左右，13%，14%，多晶电池，那时候

引到背面，这样电池的正负电极点都分布在电池片的背面，有效减少了正面栅线的遮光，提高了转化效率，同时降低了银浆的耗量和金属电极-发射极界面的少子复合损失。图1 P型硅MWT电池结构示意图
接近，当然在细节方面还是有所差异，图3是德国ISE研究所提出的一个p型硅MWT电池基本工艺流程。图3所示的MWT电池工艺流程，和常规电池相比，在清洗制绒前增加了一道激光打孔工艺，此外还采

发电效率、电站整体投资回报率等，都高于多晶硅片。单晶硅片制造的P型、N型单晶电池销量在23%和27%，而多晶电池则在20%上下。但国内客户更多的考虑是一次性的低廉采购成本，所以我们需要推出统一标准、效率更高、售价不变的产品给客户选择。当然，一时之间让国内下游客户接受我们这样的定位产品，确实需要一定时间。

光伏作为新能源的一种，受到了各国的极大重视。如何对现有常规P型晶体硅技术进行升级改造，提升效率和降低成本，是各厂家必须面对的问题。目前首要解决的问题就是要降低新电池成本、保持高效，以便大规模
扩还可以降低接触电极的接触电阻。这样通过重扩的孔洞将前表面发射极引入背面，实现把前表面收集的电子传导到背电极上，电池的P型电极和N型电极的细栅全部交叉排列在电池背面，简化了封装工艺。前表面依然采用优良

　光伏作为新能源的一种，受到了各国的极大重视。如何对现有常规P型晶体硅技术进行升级改造，提升效率和降低成本，是各厂家必须面对的问题。目前首要解决的问题就是要降低新电池成本、保持高效，以便大规模
的电子传导到背电极上，电池的P型电极和N型电极的细栅全部交叉排列在电池背面，简化了封装工艺。前表面依然采用优良的金字塔结构和减反射膜，以减少光的反射损失，从而达到了提高电池效率的目的。与传统