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效率晶体硅电池、新型薄膜电池技术、N型双面技术等技术研发进一步强化。诸多光伏企业正在以持续创新研发来迎接即将到来的新挑战。那么，光伏主流企业在技术研发投入上究竟有多大?这些新技术未来的市场规模如何

企业或新进的投资者在太阳能电池环节扩充产能的意愿较低，近两年来随着单晶替代多晶进程的加快，以及太阳能电池技术的发展，太阳能电池的产能扩张主要以高效单晶以及 PERC、黑硅、 N 型电池技术
、双玻组件等。综上分析，本轮我国光伏产能扩张主要系受全球市场持续增长带动，以及技术进步驱动下的高端产能扩张。太阳能电池产线扩张主要是单晶硅太阳能电池产能建设，以及 PERC、黑硅、 N 型电池技术

硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术
的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔（绒面）结构。位于背面的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内

结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒
的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内复合均低的优势），衬底减薄到约100m，以进一步减小体内复合

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
型导电反型层。对效率产生决定性影响的是在介电层中使用了银。该电池优点是工艺简单，但反型层的薄层电阻太高。（6）MINP电池——可以把这种电池看作是M1S电池和p一n结的结合，其中氧化层对表面和