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为您找到 “<b>N<b>型<b>电池”相关结果455 个
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综合
光致发光技术在检测晶体Si太阳
电池
缺陷的应用
来源:索比光伏
发布时间:2011-03-31 23:59:59
,晶向100,p型CZ太阳能级Si片。PL测试仪器的基本结构如图1,激光源波长为808 nm,激光装置中带有均化光器件,使光束在测量的整个区域均匀发光。由于载流子的注入,Si片或
电池
片中会产生电流使其
Si由于本身内部长程有序的晶格结构,其
电池
效率明显高于多晶Si
电池
,是Si基高效太阳
电池
的首选材料。然而,单晶Si内部杂质和晶体缺陷的存在会影响太阳
电池
的效率,比如:B-O复合体的存在会导致单晶
电池
的
光伏要闻
东工大硅量子点太阳能
电池
取得新进展
来源:索比光伏
发布时间:2010-03-12 09:30:13
的0.25有大幅提高,如果不考虑短路电流Isc仅为0.338mA/cm2这一点,I-V曲线呈现的特性与太阳能
电池
的特性接近。“Isc较小估计是因为电流漏到了取代透明电极的
n
型
结晶硅层上”(黑川
应用物理学会学术演讲会的会前新闻发布会上宣布的。 量子点是指粒径为10nm左右的半导体颗粒。仅有这种颗粒所在位置会出现像井眼一样的带隙。因可通过改变粒径控制带隙的大小,因此易于形成多接合型太阳能
电池
太阳能
光伏科技
太阳能道路照明装置的设计
来源:索比光伏
发布时间:2010-03-04 09:30:09
要求》(DB11/T542-2008),其中对于照明标准方面规定:乡村街道、道路维持水平平均照度在3-4lx,水平照度均匀度0.1~0.2,灯具的类型采用半截光型灯具。 2太阳能路灯设计 2.1现场
(主要是南侧或东、西两侧)是否有树木、建筑等遮挡,有树木或者建筑物遮挡可能影响采光的,测量其高度以及与安装地点的距离,计算确定其是否影响太阳能
电池
组件采光;对太阳能光照的一般要求是太阳能光照至少能保证
太阳能
光伏科技
太阳能转换效率研究回顾分析与未来展望
来源:索比光伏
发布时间:2009-12-28 15:26:59
,克服光腐蚀是Si光电化学
电池
研究的主要内容。在n-Si电极表面化学沉积Au,形成Au与Si表面渗合层,可减少光腐蚀;用电沉积法将聚丁基紫精修饰于p-Si电极表面,也使光腐蚀明显下降。
n
型
和P型外延硅
太阳能
转换效率
光伏要闻
中国太阳能
电池
产业展望:养精蓄锐实现Grid Parity
来源:索比光伏
发布时间:2009-10-09 09:18:01
该公司的举措进行了介绍:(a)改进形成电极的丝网印刷,把单晶硅太阳能
电池
的转换效率提高到接近18%;(b)借助利用激光形成微细布线的“Pluto技术”使单晶型的转换效率提高到18.8%,并且在2年内达到
太阳能
Parity
光伏市场
基于1stOpt的太阳能
电池
仿真研究
来源:索比光伏
发布时间:2009-07-04 15:39:30
太阳能光伏
电池
的工作原理加以说明。当
N
型
硅和P型硅结合时,
N
型
区的电子扩散到P型区,P型区的空穴扩散到
N
型
区,此时,
N
型
带正电,P型带负电,在硅半导体内部产生电场。当太阳光照在半导体P-N结上时,形成
太阳能
光伏科技
全球知名企业纷纷涉足有机太阳能
电池
领域
来源:索比光伏
发布时间:2009-06-30 00:10:28
。
n
型
半导体采用富勒烯衍生物、p型半导体采用聚3-己基噻吩(P3HT)形成体异质结构造。该材料类和结构本身在有机薄膜太阳能
电池
中很常见,但英特尔将电极制成了梳齿状并嵌入内部,使电子更易流动的同时,还
太阳能
光伏要闻
用于晶体硅太阳
电池
生产的PECVD技术进展
来源:索比光伏
发布时间:2009-06-15 14:52:15
,对于N 型发射区的非平衡载流子具有很强的吸引力,使得少数载流子发生复合作用,从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现,含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化
的均匀性是一项很重要的指标,目前市场上太阳
电池
标准订的越来越高,尽管有些色差片的效率很高,也只能按照B级片处理。各种设备的标称均匀性列于表3。 表3 各种PECVD法的均匀性比较
太阳能
产业
光伏组件生产设备
伊泰集团高效太阳能
电池
项目落户扬州
来源:索比光伏
发布时间:2009-03-26 08:15:58
行,并向何祚庥颁发市经济开发区经济发展顾问聘书。 伊泰应天项目分三期进行,一期投资1亿元,注册资本3000万元,将在市经济开发区建成标准实验室、超净车间,计划于今年5月建成年产24兆瓦
N
型
太阳能
电池
太阳能
光伏要闻
未来太阳能光伏并网发电对电网的影响
来源:索比光伏
发布时间:2009-02-19 09:47:44
系统中使用的控制器类型很多,如2点式控制器,多路顺序控制器、智能控制器、大功率跟踪充电控制器等,我国目前使用的大都是简单设计的控制器,智能型控制器仅用于通信系统和较大型的光伏电站。蓄
电池
:蓄
电池
是光伏发电
太阳能
光伏科技
光电是硅材料市场热点
来源:索比光伏
发布时间:2008-03-20 13:28:26
是光伏太阳能
电池
用硅晶体和化合物半导体材料;其二是LED发光管用蓝宝石衬底外延GaN(氮化镓)等。叶祖超告诉记者,太阳能
电池
用单晶重点解决大直径高寿命
N
型
中阻单晶,寿命达毫秒量级,直径8英寸;现普遍
多晶硅
产业
太阳能
电池
组件的简介
来源:索比光伏
发布时间:2007-12-21 14:39:44
磷可得
N
型
硅,形成P-N结。当光线照射太阳
电池
表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子,使电子发生了越迁,成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下
太阳能
光伏科技
太阳能光伏技术——晶体硅太阳能
电池
及材料
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:19:33
正面有20一40μm的SiO2膜,在膜上真空蒸发金属栅线,整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是:①保护
电池
,增加耐候性;②作为减反射层(ARC);降低薄膜复合速度:①在p-型半导体一侧产生一个n
太阳能 光伏
光伏科技
(二)2006年中国太阳级硅材料及硅太阳
电池
研讨会报告
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 15:08:57
非晶硅太阳
电池
14.5(始)±0.7b12.8(稳定)±0.7 美国USSC公司 0.27cm2面积 含镓的铜铟
电池
19.5±0.6 美国国家
太阳能 多晶硅
光伏展会
(一)2006年中国太阳级硅材料及硅太阳
电池
研讨会报告
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 14:54:58
太阳
电池
。}/I$Y2] nY}wj0Tl 目前市场上的主流
电池
仍然是晶体硅太阳
电池
,2005年市场份额占95%。其中多晶硅
电池
52.3%、单晶硅
电池
38.3%、带硅/片硅
电池
太阳能 多晶硅
光伏展会
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