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均需提供RTI值。而对于绝缘厚度，主要针对一些特殊背板材料，如涂覆型产品，涂层不能计入可靠绝缘厚度(RUI，Relied-Upon Insulation)。另外，测试相关方面，主要变化为将B序列的UV
衰减(LeTID，Light and elevated-Temperature Induced Degradation)检测方法：该测试从之前的IEC 61215-2标准提案中被独立出来，此次会议

。湿法黑硅在组件CTM方面有优势。 2019年多晶黑硅PERC量产平均效率21.5%，鑫单晶PERC量产平均效率可达到22.2%。多晶PERC的LeTID控制已有产业化技术，鑫单晶需进一步优化
一个结果。实际温度是超过了80度。所以说无论是掺B和掺Ga的，基本上是控制在2%以内，没有用抗光衰工艺的衰减幅度大，目前鑫单晶PERC是沿用多晶抗光衰工艺，当然多晶抗光衰工艺是否符合这样一个产品特性

过去一周，国际国内两个事件搅动了光伏行业组件制造商们及电站业主的神经。首先来自德国ISE研究机构 Dr Radovan等技术专家撰写的一篇名为《PERC电池LeTID衰减：会比PID造成更
200~350C的加热条件下使用高强度激光照射单晶电池，使户外曝晒下缓慢发生的再生过程在几秒钟内完成，B-O等缺陷被钝化，从而解决PERC技术带来的更高光衰问题，处理后的单晶PERC电池光衰明显低于

在参观展会或拜访业内厂家时，我们常常会发现，那么多有责任心的PERC生产技术人员竟从未听说过PERC组件可能会出现严重衰减，尤其是热辅助光致衰减(以下简称LeTID，又名电致衰减，简称CID)，这
太阳电池的主导衰减机制在参观展会或拜访业内厂家时，我们常常会发现，那么多有责任心的PERC生产科学工作者竟从未听说过PERC设备可能会出现严重衰减，尤其是热辅助光致衰减(以下简称LeTID，又名电

1.晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出
了该缺陷的结构(2003)。Axel Herguth提出了再生态理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对

上集成PERC技术存在诸多困难，其中包括光致衰减(LID)以及光致高温致衰减(LeTID)等效应。根据UNSW和一些其他研究机构的报道，多晶硅PERC 目前存在两种衰减模式:1)快速衰减模式，发
LeTID效应让这项技术备受关注。 CSI通过结合硅锭材料控制、电池工艺优化、先进的在线控制技术，实现了LID可控多晶硅PERC电池和组件的大规模生产，到2017年底产能超过了1GW，并将

技术拿出来可能是为了解决A问题的，但是实际上在B问题上起到了一个重大的作用。在多晶做了黑硅以后，四部曲的第二步是什么?毫无疑问一定是做PERC。在多晶上叠加PERC，阿特斯倒不是原创，在我们
几年应用的实例，很多问题都碰到过，也都解决了。当然这个PERC用于实际的光伏生产上遇到的最大问题其实是LID，或者是LETID的问题，这个问题在单晶上碰到，在多晶上也碰到。阿特斯在去年的年初，开始

、武汉帝尔等。 PERC电池的光衰，之前一直是困扰电池生产厂家和客户的问题，但通过业内的不断研究和突破，目前找到了两种方式来控制光衰达到了可接受范围。其一是降低或避免B-O对的出现，如使用掺镓
硅片、控制硅片内的氧含量;其二是对电池片通过在一定温度下进行光、电注入，使B-O对中性化不会吸附产生的少数载流子，从而减少光衰，设备厂家有Centrotherm、科隆威、Schmid、时创等。随着

更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减。而多晶PERC的
认为使用低温浆料，采用吸杂、高温退火及激光快速退火等手段可以抑制衰减。导致衰减的因素仍在研究中，除常规B-O对原因外，还有仍在研究中的未知因素，可能与多晶硅中更高的金属杂质含量有关。总体来说，单晶

研究认为，单晶PERC电池的衰减高于单晶BSF电池，其原因主要是由于B-O对导致的，目前已经通过光照退火成功抑制。多晶PERC电池的衰减表现为与温度相关的LeTID，其原因仍不明朗，但是似乎与多晶硅中
过多的金属离子有关。目前已经找到抑制LeTID的途径，包括高温、高光强辐照，但是其大规模应用还具有挑战性。对于多晶PERC电池的衰减原因，业界也正不断深入探索。武汉帝尔激光科技股份

晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减。而多晶
衰减解决方案。我国的光伏企业也相继推出了针对单多晶PERC电池的抑制衰减的工艺和设备。研究认为使用低温浆料，采用吸杂、高温退火及激光快速退火等手段可以抑制衰减。导致衰减的因素仍在研究中，除常规B-O对

原因主要是由于B-O对导致的，目前已经通过光照退火成功抑制。多晶PERC电池的衰减表现的与温度相关，其原因仍不明朗，但是似乎与多晶硅中过多的金属离子有关。目前已经找到抑制LeTID的途径，包括高温、高
相较其他晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减

Al-B-BSF掺硼铝背场 base1ms_1ms P型硅片 4BB4主栅 Multi wire多主栅 finger10m_10m栅线空心材料的改进实心结构的改进资料来源：B
机理与实证光衰及新型光衰(LID、LeTID) 背板的改进 EVA的改进双面发电双玻组件单晶PERC产品兼具成本与性能优势，是目前最有竞争力的产品，未来还具有很高的效率增长