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接触电阻率，并且支持超薄多晶硅层。 SOL590：SOL590系列采用最新银粉技术，可实现出色的接触电阻率和较低的固化温度。该系列低温银浆专为异质结(HJT)电池开发，具有优异的附着力和可焊性，可显著提高转换效率并减少银浆用量。(效率增益达0.1%以上)

层可以增加光学内反射作用，因此电池的电流 ISC 也会有显著的提升。作为第 3 代电池，目前 HJT(异质结)异质结电池研发进展迅速。PERC 快速推广之后， N 型电池开始受到业内
越来越多的关注和认可，在各类 N 型电池中， 异质结电池(HJT(异质结))由于效率更高，在一些 BOS 成本高的市场已具备一定的经济性。当前，业内 PERC 规模适中的企业投入 HJT(异质结)意愿

降本速度超预期;光伏政策风险。 05报告正文 1 HJT是电池片环节的平台级技术 1.1 高转换效率得益于电池材料和结构 异质结电池与同质结电池的差异：广义而言，p-n结由两种不同类型的
提高其光电转换效率，近年来HJT电池转换效率已在晶硅光伏电池中位居前列。 1.2 技术和工艺的延展性拓展提效空间纯异质结电池实验室转换效率已超过25%：在日本松下/Sanyo之外

摘要 异质结技术是目前硅光伏行业积极讨论的热门话题。Hevel最近成为首批采用其旧的微晶组件生产线用于生产高效硅异质结(SHJ)太阳能电池和组件的公司之一。根据Hevel自身的经验，本文将介绍从
上成本最高的部分称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统用在硅异质结(SHJ)技术上成为可能，并且最近已经由Hevel LLC实现。 SHJ太阳能电池的简单结构，结合其高效率和低温处理的优势，使

用M12而带来一定价值的环节，但设备的性能、制造碎片率与硅片厚度的不明朗均使得该价值的具体数额有很大不确定性，电池制造商仅可能在未来新上的产能上少量试水。 3)对于M12所期待的颠覆性电池技术HJT
设计仅略增加B面厚度，硅片厚度可保持与现有M2相同。采用M12硅片的组件，尺寸会再增加30%，很可能需要在背部增加加强杆导致与双面电池的兼容困难。 M12硅片为了保障电池、组件的制造良率与无隐裂

，光伏技术出现新的整合趋势，产业链上中下游的研发路线都在调整。可增效降本的双玻、双面、半片、MBB、多主栅和叠瓦等趋势更为凸显，代表未来趋势的PERC技术、金刚线切割、高效 HJT 异质结电池等高