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EL测试原理电致发光，又称场致发光，英文名为Electroluminescence，简称EL。目前，电致发光成像技术已被绝大部分太阳能电池和组件厂家使用，用于检测产品的潜在缺陷，控制产品质量
进行处理后显示出来，整个的测试过程是在暗室中进行。 EL图像的亮度正比于电池片的少子扩散长度与电流密度，有缺陷的地方，少子扩散长度较低，所以显示出来的图像亮度较暗。通过EL图像的分析可以有效地发现

发电效率要高一些。一般来讲目前工艺下国内单晶电池量产效率是20.2%左右， PERC可达到21.2%-21.5%;多晶电池量产效率一般是18.5%-19%左右。 3)组件采用A级标准电池片封装(EL
成像无缺陷)，组件的电池上表面颜色均匀一致，无机械损伤，焊点无氧化斑。 4)组件的每片电池与互连条应该排列整齐，组件的框架应整洁无腐蚀斑点。 5)组件的封装层中不允许气泡或脱层在某一片电池与组件边缘

，宽度为1.0mm)。光伏组件功率测试设备为Pasan太阳能模拟器;检验组件内部电池片隐裂设备为德国Ophelms公司的OPT200A型EL测试仪。基于不同串并联结构，相同材料匹配分别制作72片
整片组件和144半片多晶组件，每种类型制备2块组件，具体样品类型及数量见表1。 1.3实验内容实验一：测试2块72片多晶整片组件和2块144片多晶半片组件的EL及电参数，并进行对比

磷硅玻璃的目的是为了去除硅片表面形成的磷硅玻璃。采用CT管式PECVD炉在硅片表面形成氮化硅减反射膜，同时掺杂H元素，使缺陷减少，还可以保护硅片。丝网印刷是将含有金属的导电浆料透过丝网网孔压印在晶硅
):测量晶硅太阳能电池的电学性能; EL测试机:测试电池片质量。 1.2实验方法实验一:在生产前对原硅片进行分选，实验分为3组，每组400片，分别进行实验工艺和正常生产工艺。实验工艺调整扩散推进温度

所有优势。经改良的超细线（UFL）两次印刷工艺，可改善印刷适性以及高宽比，从而确保显著的效率增益（最多可提升 0.1%）。该两次印刷组合可在大规模生产中确保“零” EL 缺陷，同时还可提供 A+A
第十一届（2017）国际太阳能产业及光伏工程（上海）展览会暨论坛期间推出五款全新的金属化浆料。同时，贺利氏光伏还将针对不同的光伏电池技术，继续为光伏电池制造商提供高效解决方案。SOL9641B 系列将助力

行业所公认，但在组件和电池片两个方面组件产生PID现象的机理尚不明确，相应的进一步提升组件的抗PID性能的措施仍不清楚。 3电池片隐裂隐裂是电池片的缺陷。由于晶体结构的自身特性，晶硅电池片十分容易发生
%以内。但目前这个数据还真的很难说，原因有三： 1)光伏组件出场功率是用实验室标准光源和测试环境标定的，但似乎国内不同厂家的标准光源是存在一定的差异的。那在A厂标定的250W的组件，到了B厂，可能

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广，对传
方式对LID值的影响。1LID的影响因素影响LID的因素为：1)硼氧(B-O)复合体。B-O复合体是影响LID的主要因素之一，LID值与B浓度成正比，与O浓度平方成正比。2)晶体内部碳(C)含量。高浓度的

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广
晶体生长方式对LID值的影响。 1LID的影响因素影响LID的因素为：1)硼氧(B-O)复合体。B-O复合体是影响LID的主要因素之一，LID值与B浓度成正比，与O浓度平方成正比。2)晶体内部碳

/T9535）对于组件严重的外观缺陷有如下定义：a)破碎、开裂或外表面脱附，包括上层、下层、边框和接线盒；b)弯曲、不规整的外表面，包括上层、下层、边框和接线盒的不规整以至于影响到组件的安装或运行；c)一个
（优质）、B级（外观有瑕疵，性能良好可正常使用）、C级（性能欠佳，仍可在一定场合下使用）。外观缺陷一般肉眼可见，主要有以下几类：a)电池缺陷：如崩边、缺角、色差、轻微划伤、印刷漏浆、副栅断栅、栅线粗细

比不小于143.5W/m2。功率与质量比大于12W/kg，填充因子FF大于0.70。 3.组件采用A级标准电池片封装(EL成像无缺陷)，组件的电池上表面颜色均匀一致，无机械损伤，焊点无氧化斑
要求：所选用钢结构主材材质为Q235B，焊条为E43系列焊条。 2)力学性能要求：所选用钢结构主材的抗拉强度、伸长率、屈服点、冷弯试验等各项力学性能要求须符合《碳素结构钢》(GB/T700-2007)的

　　1.1 硅片裂纹　　硅片的微裂纹　　由于硅片生产中也会产生微裂纹，实际出厂中还是很多被通过了，在电池片表面镀上氮化硅膜后，很难检测出这种细小的裂纹缺陷　　1.2 组件端隐裂
1.4-1.6美金），他们采取了许多降本的方案　　a：抗氧化剂　　b：藕联剂　　c：其他添加剂　　以上纯度上从最初的99% ，更改到现在的80%左右　　杂质中包含，S，P，等，还有许多

中心，今天我将就光伏组件的物理损害对于整个电站的发电性能造成的影响做一个汇报。今天的报告分为以下五个部分，首先对于我们单位做一些简单的介绍，其次对于目前进行的主要的缺陷检测方法和一些电站的实际案例进行
，这两个队伍都是相对比较差的。我们把碎片数1到5片作了区分，然后是6片以上。首先看一下组件功率衰减与碎片数目的量化关系。可以看一下上下两端是两个不同的施工队所施工的屋面，做了EL的检测，基本上所有的边缘部位

：BHPV，B是建筑H是强度，是蜂窝结构原理。朱雪梅：我们跟踪非晶硅组件的实验，做了好几年，没发现问题。罗多：威海市民广场做科技鉴定，上去了200多名专家。朱雪梅：我说的还不是BHPV，是普通组件
上，上千人次蹦踩后，回来做EL等检测对比，没有任何变化。王志强：欧洲很多厂家在设计、安装中都是需要的，不踩踏是不可能的。孙韵琳：我们去国外电站学习时，并没有看到踩踏。预留合理通道，方便安装和