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已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行
钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的

（RIE）或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6／O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面
结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用

空间与速度下一页另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功
，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在确保

，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在
切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等

，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于
，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在

效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来
，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在确保利润的

，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池
，单晶电池片成本也连带下降。近期中国市场已出现主流单晶电池价格达到RMB 2.35/W，为市场首次出现单晶电池价格等于多晶电池价格，使得单晶硅片在组件端更高的性价比优势进一步凸显，单晶技术的快速进步在确保

多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹
；　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为

，发表于光伏新闻5月24日; 2.《20%以上转换效率多晶硅电池研发及产业化》作者：晶澳技术总监宋锋兵，发表于光伏新闻9月24日; 3. 《阿特斯领跑多晶电池技术率先实现湿法黑硅产业化生产》作者：阿特斯阳光电力邹帅; 4. 《协鑫硅王之路：布局硅片》发表于中国企业家杂志。

金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线
切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹;　　　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术　　四、电池环节　　单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶

线的电阻损耗，每根主栅线上都需要10~20个孔洞，总的激光打孔数量在30~60个，过多的孔洞数量会增加打孔的时间，同时可能会对硅片产生损伤。图2（b）是荷兰ECN提出的新型布局，每片硅片采用44共16
公司发明了图4（b）这样的焊带直接互联方式，关键点是电池片电极采用特殊的非对称布局，在串联成组件时，相邻的电池片沿中心旋转180度后刚好可以实现正负极的直线互联。其实从实际生产的角度，用传统的焊带

为Riecium 多晶组件的核心 Riecium 多晶电池使用的黑硅技术，这一技术使电池颜色一致，产品外表更加美观。电池平均转换效率超过18.3%，比行业平均单晶电池转换效率高出0.8%。该高功率
、B.Hoex等人采用PERL结构，基片采用1cmN型FZ硅片，表面制备倒金字塔陷光结构，正面扩散硼形成P发射结，然后在其上用Al3O3作为钝化层，上面沉积SiNx减反射膜。背面采用SiO2钝化层，再在背

功率比行业平均多晶组件高出15瓦，同时比行业平均单晶组件高出5瓦。技术核心为Riecium 多晶组件的核心 Riecium 多晶电池使用的黑硅技术，这一技术使电池颜色一致，产品外表更加美观。电池平均
都在背面，采用丝网印刷然后电镀的工艺完成。6、PERL太阳电池J．Benick、B．Hoex等人采用PERL结构，基片采用1cmN型FZ硅片，表面制备倒金字塔陷光结构，正面扩散硼形成P发射结，然后在其