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存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴
需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶

来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与
世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂

一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到

，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷
Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压

。太阳能电池，是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件，日前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅（包括单晶硅、多晶硅）、非晶／单晶异质结（HIT）、非晶硅薄膜、碲化镉（CdTe）薄膜及铜铟硒（CIS
）薄膜太阳电池等。其中商品化的晶体硅太阳能电池仍占主流，其光电转化效率已达25％，其计算的转换效率的极限值为31%，但受到材料纯度和制备工艺限制，很难再提高其转化效率或降低成本；而非晶硅太阳能电池虽然能

页四、光伏组件特征：1高效能晶体硅太阳能电池片2高透光的低铁钢化玻璃，具有优良的机械强度3标准的防水接线盒4经第三方测试验证，组件适应各种恶劣天气的高耐候性5可为客户量身定制或设计的产品2
，资金来源由业主自筹，具体如以下概算表：　　序号　　项目名称　　厂商　　单位　　数量　　单价　　（元／瓦）　　总价　　（万元）　　1　　P6／72／315W晶体硅组件　　块　　48　　7．5　　11．25

房屋等进行统一设计，美观大方，实现整体协调。四)高效性优化设计方案，尽可能的提高光伏系统的整体发电效率，减少不必要是能耗损失。达到充分利用太阳能、提供最大发电量的目的。五)经济性作为
更能直接影响到居民及家用分布式光伏发电系统的选址，其关键要素如下： A. 有无遮光的障碍物(包括远期与近期的遮挡) B. 盐害、公害的有无 C. 冬季的积雪、结冰、雷击等灾害

破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长，许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料，仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。近几年
%以内。但目前这个数据还真的很难说，原因有三： 1)光伏组件出场功率是用实验室标准光源和测试环境标定的，但似乎国内不同厂家的标准光源是存在一定的差异的。那在A厂标定的250W的组件，到了B厂，可能

、柔性交直流输电关键设备、高压直流输电关键设备、智能变电配电设备及系统、智能用电设备及系统、智能电网通信信息平台等。太阳能。重点发展薄膜太阳能电池、高效晶体硅太阳能电池及组件、新型太阳能电池、太阳能并网
》、项目资金申请报告及相关附件，并将上述材料胶装成册，编辑目录，标注页码（纸质文本一式7份，加盖单位公章，同时以光盘形式附电子文本一式2份）报送至我委收文窗口（市民中心B区一楼行政服务大厅3-4号）。（八

设备及系统、智能用电设备及系统、智能电网通信信息平台等。太阳能。重点发展薄膜太阳能电池、高效晶体硅太阳能电池及组件、新型太阳能电池、太阳能并网发电、太阳能玻璃、太阳能光热利用、太阳能光伏
索比光伏网讯:近日，记者从深圳市发改委网站获悉，深圳市发布了关于组织实施深圳市新能源产业发展专项资金2016年第四批扶持计划的通知，通知规定太阳能发电为重点扶持领域，重点发展薄膜太阳能电池、高效

11月2日上午2016国际光伏产业技术标准及智能大会在无锡君来世尊酒店一楼梅花大厅B举行，无锡尚德应邀出席大会，会上无锡尚德太阳能电力有限公司高级主任工程师陈如龙先生作了关于尚德高效晶体硅
;通过匹配扩散低表面浓度/低温烧结和副栅线宽减小8-12um，高度增加2-3um来优化电池正面金属化工艺。这系列工艺的优化使得单间电池的最高效率达到21.31%。在组件段，单晶组件减小了电学损失和降低

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表》、项目资金申请报告及相关附件，并将上述材料胶装成册，编辑目录，标注页码（纸质文本一式7份，加盖单位公章，同时以光盘形式附电子文本一式2份）报送至我委收文窗口（市民中心B区一楼行政服务大厅3-4号

索比光伏网讯:11月2日上午2016国际光伏产业技术标准及智能大会在无锡君来世尊酒店一楼梅花大厅B举行，无锡尚德应邀出席大会，会上无锡尚德太阳能电力有限公司高级主任工程师陈如龙先生作了关于尚德高效
晶体硅太阳能电池和组件技术进展主题报告。演讲先由PERC的研发背景引入：常规电池背表面光学和电学损失制约了效率的提升，而钝化发射极背接触电池（PERC）结构可大幅度提升电池效率：1、大幅降低背表面电学

光伏发电因清洁、安全、便利、高效等特点，被誉为迎接新能源时代到来的朝阳产业。近年，光伏产业在世界各地蓬勃发展，在我国，光伏产业已被列为重点支持发展的产业。然而，这样一个新兴产业却与徐州有着千丝万缕的
科技发展有限公司。前者是全球最大的多晶硅制造厂，后者则是全球最大的晶体硅方锭供应方。正是在这两家工厂的支撑下，保利协鑫仅用短短10年，便从一家名不见经传的企业，成长为全球最大的光伏材料制造商。光伏产业

光伏发电因清洁、安全、便利、高效等特点，被誉为迎接新能源时代到来的朝阳产业。近年，光伏产业在世界各地蓬勃发展，在我国，光伏产业已被列为重点支持发展的产业。然而，这样一个新兴产业却与徐州有着千丝万缕的
。前者是全球最大的多晶硅制造厂，后者则是全球最大的晶体硅方锭供应方。正是在这两家工厂的支撑下，保利协鑫仅用短短10年，便从一家名不见经传的企业，成长为全球最大的光伏材料制造商。光伏产业，世界看中国，中国

能力。新产品标志着更高效率、更大功率、更高电压、更高密度的行业领先地位。太阳能逆变器收入占营收的比重为47.47%，同比增长51.67%，毛利高达32.05%。光伏电站规模提升，驱动业绩持续高增长。2015
、0.97元，对应12.8倍、10.8倍、9.42倍P/E，1.31倍、1.19倍、1.08倍P/B。风险提示业务发展或低预期；行业估值中枢或现波动。森源电气重大事件快评：订单完成将增厚公司业绩

成本；代表全球最高功率密度的储能逆变器SC1000TL，可以与多种组合的储能电池相连接，功率达到1000KW，并具备虚拟同步发电机VSG运行功能和强大的能量管理能力。新产品标志着更高效率、更大功率、更高
EPS 0.71元、0.84元、0.97元，对应12.8倍、10.8倍、9.42倍P/E，1.31倍、1.19倍、1.08倍P/B。风险提示业务发展或低预期；行业估值中枢或现波动。森源电气重大事件快评

多晶硅技术是一种异质形核。虽然两者都可以获得高品质的小晶粒高效多晶硅锭，但是由于形核机理不同，两种技术生长的晶体硅存在一定的差异。本文通过EBSD晶向检测，PL缺陷检测等手段对比晶向分布、晶界比例、电池效率
每锭C15块挑选底部相同高度位置硅片进行形核对比如图1(b)与1(c)。可以看出两种技术都可以获得尺寸小而且均匀的晶粒分布。有籽晶高效多晶硅技术硅锭获得的小尺寸晶粒来源于底部碎小的硅料外延生长，而无