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超大规模集成电路的开发应用会来一次历史性的飞跃，带给我们的好处是最高档的PC机可以制做得很轻、很薄、很小巧。太阳能电池的外表面向阳的一面是富空穴的P型半导体，紧贴下面的就是富电子的N型半导体。在太阳光子的激发
太阳能电池测试条件是：阳光普照度为1000W/m2,大气质量AM=1.5，环境温度25℃。参照上图，A段区域的大气质量AM=1，那么AM1.5应在B段区域或C段区域。1、开路电压Voc、短路电流Isc

过量；而集成电路工艺中通常采用的是两步法，恒定表面浓度条件下形成预淀积扩散层，然后在恒量源扩散条件下进行扩散，使不同深度的杂质浓度比较均匀。4．1．2磷扩散中的主要化学反应常用的太阳能行业的扩散工艺中
扩散到硅中去。箱法扩散，又称半开管扩散（如图４．３ｂ），是封管扩散的改进，采用一个石英或硅制成的带盖子的箱子，扩散时把硅片和杂质源一起放入箱内，盖上盖子送入扩散炉管中，炉管内的惰性气体起保护作用。封管

两级式光伏并网发电系统，图1(b)为单级式光伏并网发电系统。两级式光伏并网发电系统中，并网逆变器只需进行逆变控制，光伏阵列最大功率点跟踪（MPPT）由前级DC/DC变换器完成，并网逆变器通过控制DC
，集成电路、数字信号处理器生产商、变压器、机壳机柜生产制造上等。其中核心器件为半导体功率器件，它在电路结构设计、逆变器性能表现等方面起到举足轻重的作用，但光伏并网逆变器行业与上游的关联性仍较低，上游行业的影响

高频化、高效率、高功率密度、高可靠性、智能化的方向发展。 3 光伏并网逆变器的分类光伏并网发电系统原理图如图1所示，其中图1(a)为两级式光伏并网发电系统，图1(b)为单级式光伏并网
。 (a) (b) 图1 光伏并网发电系统原理图光伏并网逆变器可以按照拓扑结构、隔离方式、输出相数、功率等级、功率流向等进行分类。按照拓扑结构分类，目前采用的拓扑结构包括：全桥逆变

、DS262、DS264、DS265、 DS271 E400SD、E500SD、E500ED－8、E400E－12 MNM444B、MWM454B、MWM442DM、PV600、 PV800
、日本等国家的极少数公司所垄断, 因而国内使用的多线切割机全部依赖进口，严重制约了我国半导体照明、光伏、集成电路制造等产业的发展。我国每年进口多线切割机约200台以上，而且随着全球光伏产业的不断发展

　　半导体产业步入上升周期，公司外围环境明显向好。鉴于市场的快速复苏，全球主要半导体厂商不断加大后续资本开支，SEMI日前的北美半导体设备B/B值表明已经连续8个月超过1，景气程度步入周期性上升
。　　半导体设备国产化趋势不可避免，公司享受市场先机。集成电路和TFT-LCD新建生产线投资巨大，其中设备占到70%左右的比例，考虑到成本方面的需求，许多8英寸及以下生产线均已出现国产设备的身影，而且随着

配套服务区项目开工　　美光再投3亿美元建超大规模集成电路加工生产基地　　华商网讯(马东方记者张维博)3月24日，美光半导体新测试项目暨“出口加工区B区综合配套服务区”项目开工仪式在陕西西安
出口加工区B区举行，这标志着美国美光科技公司再投3亿美元在西安高新区建设超大规模集成电路加工生产基地的战略再次提速实施。美光半导体新测试项目是西安高新区招商引资工作结出的又一丰硕成果，也是美光总部把美光

。该公司采用0.13微米到0.5微米的工艺生产集成电路芯片和电源分离器件。华润上华的集成电路和电源分离器件广泛用于消费电子、通信设备、个人电脑等市场应用。　越来越多的模拟和混合信号芯片设计人员开始
III-V 族外延晶圆和氮化镓 (GaN) 晶圆，主要用于制造高频电子产品和其他光电子器件。Tracit 则侧重于薄膜层转移技术，用于制造电源管理集成电路和微系统所需要的晶圆，以及通用电路的转移技术

干扰，符合有关 EN55022 (CISPR22) B 类 (Class B)电磁波辐射的规定。此系列电源模块的散热效率极高，加上底部焊垫板的裸露面积较大，因此即使在高温环境下操作也无需风扇气流
一家居领导地位的模拟电源管理技术开发商，所生产的电源管理产品种类繁多，其中包括易于使用的集成电路、可提高系统能源效率的PowerWise产品以及可提高太阳能系统发电量的SolarMagic产品

纯载流子浓度、少子寿命可以得出杂质的间接测量结果，FTIR可以得出间隙氧和替位碳的浓度，低温FTIR和PL可以得出B、P、Al的浓度，但是我们必须考虑到贯穿区熔硅锭的杂质分凝系数（SEMI MF
标准的测试方法。GDMS在高纯金属和合金领域的应用已有超过15年的历史（例如：ASTM测试方法 F 1953, F 1954, F 1710）。SIMS在集成电路领域的应用已经超过20年（例如：ASTM

创新技术不仅改写着半导体行业的发展轨迹，而且对整个世界都产生了深远的影响。美国国家半导体的成立与集成电路的诞生都发生在1959年。1966年，美国国家半导体将公司总部迁往加州圣塔克拉拉 (Santa
稳压器(LM2930芯片)。芯片性能的提升与封装及工艺技术有着密切的关系。美国国家半导体率先利用环氧树脂B作为模塑物料，可以阻止湿气渗透入芯片内。这是封装技术上的大跃进，并随后被其它厂商竞相

所提升。这意味着中国的半导体材料生产企业有着广阔的市场前景。　　周青云表示，半导体集成电路和半导体分立器件的主要原材料是硅单晶片，而生产硅单晶片的主要原材料是多晶硅，近几年多晶硅出现了供不应求的紧张局势
，影响了单晶硅片生产企业的发展，同时也影响了集成电路和分立器件生产企业的发展势头。为此我国需要开发先进的多晶硅生产工艺，提高多晶硅的产品质量。　　目前半导体材料对硅而言，其热点是在光电方面。其一

，国内坩埚厂家的标准与国际标准一致。但是，国内坩埚厂家主要列出了A1、Fe、Ca、Cu、K、Na、Li、B等8种杂质含量的指标，而GE标准除这8种元素外还列出了As、Cd、Cr、Mg、Mn、Ni、P、Sb
国产石英坩埚由于人力成本低，管理费用低，价格较进口坩埚低30％左右，这在太阳能级单晶生产上有一定的优势，但在生产集成电路级单晶的石英坩埚中，国产坩埚的占有率还很低，估计在20％以下。国产坩埚首先要

　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率
，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（HNO3），氢氟酸（HF），及一些缓冲酸（CH3COCH，H3PO4）组成。　　　　　　　　（B）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。　　抛光

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
，世界市场出现了供不应求的局面，发展更加迅速。1997年世界太阳电他光伏组件生产达122MW，比1996年增长了38％，是4年前的2倍，是7年前3倍，比集成电路工业发展更快，超出光伏专家最乐观的估计