光伏咨询搜索-索比光伏网

空间已经越来越窄。电池和组件结构的重大创新被越来越多的光伏研究机构和企业所关注，背面钝化（PERC）电池、异质结（HIT）电池和背接触式电池等新型结构的电池被认为是最有发展前景的几种技术，并逐步从实
线的电阻损耗，每根主栅线上都需要10~20个孔洞，总的激光打孔数量在30~60个，过多的孔洞数量会增加打孔的时间，同时可能会对硅片产生损伤。图2（b）是荷兰ECN提出的新型布局，每片硅片采用44共16

效应（PID，PotentialInduced Degradation）是电池组件长期在高电压作用下，使玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷狙击在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致组件性能
遮蔽的太阳电池组件，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量，被遮蔽的太阳电池组件此时会发热，这就是热斑效应。这种效应能严重的破坏太阳电池。有光照的太阳电池所产生的部分能量，都可能被遮蔽

/335W（60/72PCS）以上的电池组件。鑫单晶G2定位于高效硅片市场的主流应用，体现了保利协鑫以市场需求为中心的产品研发策略，将为高端客户提供最具市场竞争力的单晶产品。　　保利协鑫能源执行
，单晶硅片厂商无法大规模地批量生产同一规格，如A公司要的是一个硅片尺寸，B公司要另一个尺寸，在我们生产端就要用不同的生产装置。而如果A公司的效益不好，其可能采购硅片的数量不够，我们又会增加相应库存，并且这

2011年发布的第一代类单晶产品，鑫单晶G2平均光电转换效率提升了1.1%，硅片性能取得大幅度提升，可用于制备280/335W（60/72PCS）以上的电池组件。鑫单晶G2定位于高效硅片市场的主流应用
的直径（如200毫米到210毫米）和边距尺寸，但仍令客户出现选择性困难。规格不统一的话，单晶硅片厂商无法大规模地批量生产同一规格，如A公司要的是一个硅片尺寸，B公司要另一个尺寸，在我们生产端就要

。三洋公司在HIT太阳能电池的基础上，还推出了正反对称形的HIT双功率太阳能电池组件，这种组件能够利用正反两面的光照。和单侧光照射的构造相比，年平均增加6%-10%的输出。　　3、发射结钝化一全
、B.Hoex等人采用PERL结构，基片采用1cmN型FZ硅片，表面制备倒金字塔陷光结构，正面扩散硼形成P发射结，然后在其上用Al3O3作为钝化层，上面沉积SiNx减反射膜。背面采用SiO2钝化层，再在背

，Percium组件比行业平均60片电池组件高出15-20瓦。60片电池的 Percium 单晶组件功率比行业平均60片电池单晶组件高出20瓦。技术核心为Percium 单晶电池使用的最先进的背钝化
%。A-300电池采用n型硅材料作为衬底，载流子寿命在lms以上。正表面没有任何电极遮挡，并通过金字塔结构及减反射膜来提高电池的陷光效应。电池前后表面利用热氧钝化技术生成一层Si02钝化层，降低了表面复合

内逐步发展成为太阳能级多晶硅的主流制备技术。不同的冶金级硅含有的杂质元素不同，但主要杂质基本相同，主要包括Al、Fe、Ti、C、P、B等杂质元素。而且针对不同的杂质也研究了一些有效的去除方法
应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短

生产单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池芯片，太阳能电池窗和光伏电池幕墙，太阳能电池组件和供电系统等太阳能光伏产品；具有LED照明和大型LED显示屏工程施工能力。TOPRAYSOLAR品牌的多类型全系列
股份。公司参股23.93%子公司上海交大泰阳绿色能源主要从事电池片、电池组件系统的研制、销售以及咨询。　　36.方大集团（000055）方大集团股份有限公司（下称方大集团，深圳证券交易所A股代码

索比光伏网讯:目前，全世界生产的太阳能电池组件85%以上是基于晶硅，其中大多数是基于p型硅片。在p型硅片上加磷扩散发射极和铝背面场得到了常见的多晶或单晶太阳能电池，为绝大多数（95%）基于硅片的PV
忽略不计。在p-Cz材料中由于光照会形成B-O络合物，这在氧中是相当富集的，使材料的体载流子寿命降低。这将严重限制用这些硅片能得到的高效率。第二，发现n型材料对过渡金属杂质（例如Fe）灵敏度低得多。这使n

有限的公开资料，准单晶硅(Mono2TM)最早在2006年由BPSolar研制成功，2007年生产出准单晶太阳能电池组件并进行了可靠性测试，相关资产在2010年底被ALD收购后向市场推出基于
的填装方式如附图2a、2b所示，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度

数量级，可能发展为叠层钝化膜，如SiO2-SiNx、a-Si-SiNx等。光衰减效应的研究是维持电池稳定、高效的前提。目前对这方面的研究主要还是基于体材料内部B-O复合体来开展，进一步的
技术。设备主要依赖进口。丝网印刷工艺主要分正面和背面金属化工艺。其中正面栅状电极的设计思路主要从有效收集电流、减小遮光面积以及组件焊接方便来考虑；背面金属化的目标是在背面形成一层铝背场钝化层来提高开路

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电他的制造工艺中。以各种高效电池为代表，电池效率大幅度提高，商业化生产成本进一步降低，应用不断扩大。在