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。此时浆料内部必须迅速恢复其初始结构，黏度恢复初始黏度，浆料在硅片上形成一定的高宽形貌。从图2可以明显观察到：a、b、d、e四种浆料在OA-Ⅱ与OA-Ⅲ时，相差不大，在OA-Ⅱ阶段相位角均能
意味着要印刷出40m宽、30m高的栅线，而大规模的生产中往往高质量要让步于高效率，故高宽比会更小，约为70m宽，10m高。丝网印刷的尺寸和质量决定于印刷用模版、印刷参数、浆料性质和电池表面性

29.90%。我国已发展成为全球第一大光伏产品生产国及第一大光伏市场。 B、光伏行业用金刚线市场概况第一，光伏行业的增长状况直接影响金刚线的市场规模。据行业经验估计，每片硅片(约4W)需耗用
较小。另外，金刚线切割造成的损伤层小于砂浆线切割，有利于切割更薄的硅片。更细的线径、更薄的切片有利于降低材料损耗，提高硅片的出片率。2015年的硅片厚度多为 180m，砂浆切割的刀缝损耗大约

~90 ℃。如果采用纯碱制绒，OH-不断被消耗和硅酸盐不断产生的过程中往往发生剧烈反应，生成大量气泡，导致反应物OH-浓度减小，硅片表面无法与溶液充分接触影响制绒效率，容易造成金字塔尺寸的不均匀
首先用超声波清洗器清洗硅片，除去表面的油渍和沾污，然后采用无添加剂、异丙醇、A 与B型添加剂对比制绒效果，两种添加剂均为无醇添加剂。使用KOH 腐蚀溶液，其体积浓度为3%，添加剂比例为1.7%(V

三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。线缺陷：线缺陷指二维尺度很小而第三维尺度很大的缺陷，也就是位错。我们可以通过
：所谓体缺陷，是指在晶体中较大的尺寸范围内的晶格排列的不规则，比如包裹体、气泡、空洞等。一、点缺陷点缺陷包括空位、间隙原子和微缺陷等。 1、空位、间隙原子点缺陷包括热点缺陷(本征点缺陷)和

硅棒切割成符合要求的硅片的过程。线切割方式对切割脆性晶体切片的加工表面机械损伤层较浅；加工温度较低，适于切割易脆裂材料；切割绝缘体不会引起崩碎；可切割精密窄缝；适宜大尺寸切片，因此，线切割在硬脆材料的
标准对硅片进行分级并进行包装入库。通过分检将硅片分为A1、A2、B级和报废四个等级。四、影响切片工艺的七大因素1.切割液（PEG）的粘度由于在整个切割过程中，碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行

而移动，而丝网其它部分与承印物为脱离状态，保证了印刷尺寸精度和避免蹭脏承印物。当刮板刮过整个印刷区域后抬起，同时丝网也脱离基片，并通过回墨刀将浆料轻刮回初始位置，工作台返回到上料位置，至此为完整的一个
能及附着力，综合考虑贵金属成本和可获取性因素，银是比较适合作为太阳能电池电极材料的。因为先前的减反射膜已经形成正面的电性绝缘，所以银浆一般掺有含铅的硼酸玻璃粉（PbO-B2O3-SiO glass

价差缩小的原因分析：金钢线切割导入单晶硅，但是多晶硅遇阻降低氧含量连续投料薄片化新型的尺寸设计单晶硅片将完全用金刚线切割对于切片企业是个巨大的技术升级压力
Al-B-BSF掺硼铝背场 base1ms_1ms P型硅片 4BB4主栅 Multi wire多主栅 finger10m_10m栅线空心材料的改进实心结构的改进资料来源：B

只有183W，为标况下的73.2%。 2光电转化效率 1)效率的计算方法理论上，尺寸、标称功率相同的组件，效率肯定是相同的。光伏组件是由电池片组成，一块光伏组件通常由
破裂。晶体硅组件生产的工艺流程长，许多环节都可能造成电池片隐裂(据西安交大杨宏老师的资料，仅电池生产阶段就有约200种原因)。隐裂产生的本质原因，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。近几年

的组件输出功率只有183W，为标况下的73.2%。 2光电转化效率 1）效率的计算方法理论上，尺寸、标称功率相同的组件，效率肯定是相同的。光伏组件是由电池片组成，一块光伏组件通常由60片
，可归纳为在硅片上产生了机械应力或热应力。近几年，晶硅组件厂家为了降低成本，晶硅电池片一直向越来越薄的方向发展，从而降低了电池片防止机械破坏的能力。 2011年，德国ISFH公布了他们的研究结果

常规砂浆线多晶硅片。这样就从基础上保证了高效多晶电池的转换效率。图9. 双面钝化少子寿命对比测试经过先进制绒技术手段得到的绒面尺寸在亚微米范围。从SEM图片(图10A)观察，制绒后的绒面在
所示： (1)光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。 (2)(2)电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻

左右，优于常规砂浆线多晶硅片。这样就从基础上保证了高效多晶电池的转换效率。图9.双面钝化少子寿命对比测试经过先进制绒技术手段得到的绒面尺寸在亚微米范围。从SEM图片(图10A)观察，制绒后
所示： (1)光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。 (2)电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻，以及