导电膜，最后在TCO上丝网印刷电极，再固化，光再生，就制成了HIT电池。因此从工序上来讲，HIT电池核心工序就4步，清洗制绒、非晶硅镀膜、沉积TCO、丝网印刷，是所有电池工艺中步骤最短的。 2

氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷或电镀技术在电池两侧的顶层形成金属集电极，其结构具有对称性。 HJT电池转换效率已在晶硅光伏电池中位居前列：HJT电池量产之后，日本Sanyo/松下仍在持续研究

科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。 1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔(Nobel)物理奖。 1930年B.Lang研究氧化亚铜/铜太阳能电池，发表新

，未来10年行业比较认可的技术方向是HIT+钙钛矿做叠层电池(Tandem)。HIT到叠层只需要增加3道设备，4层膜，成本增加约0.2元/瓦。HIT可以升级到叠层，HIT产线和下一代叠层产线可以完全兼容
，HIT的设备、银浆、靶材的国产化都有重大突破，效率也提升到了24%以上。其中最关键的是MBB多主栅技术的引入，电池的单片银浆消耗量大幅下降，银浆成本下降。同时由于主栅更细，遮光更少，电池效率还得到提升

一次低温退火。 图一：(a)传统SHJ太阳能电池的剖面结构图。(b)SHJ电池的主要制造工艺步骤。 用于SHJ电池的硅片 与所有高性能c-Si太阳能电池的情况一样，硅片质量是实现高效SHJ电池

选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
，选择性发射极电池是比较理想的选择，即在电极接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。 传统结构的太阳能电池n+扩散层一般在40-50/sqr，而SE结构的太阳电池的浅扩散方阻一般在80-100

选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面

电池器件性能的关键因素，为了能够更加清楚地了解各膜层的表面形貌特征，本研究采用场发射扫描电子显微镜对器件进行观察. 图 1(b)为器件的SEM 截面图，可以看到：器件的各膜层之间都能形成较好的界面

有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善PN结形成
22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL太阳电池的主要特点和优势包括

，一气呵成。 利用光合作用造电池 近些年，科学家们开始尝试利用光合作用原理研制电池。比如将植物里的叶绿素提取出来，放到人工制备的膜里，光照时就会产生电。这就是叶绿素电池。 2004年，有报道说美国科