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杜邦的正银——产品技术分析来源:电子胶水●中国 发布时间:2013-11-12 15:02:18

添加某种东西需要特定高温烧结来说是有可能的,因为基于这个正面电极的原理,他除了正常的电极外还可以做选择性发射电极即SE电池,实现的方法很多,其中之一就是硅墨技术,而且也只有这个技术当年大规模使用过,只是
那个自然而然的是欧姆接触的。那么到底是不是做了第五主族元素参杂呢?大家可能首先想到光谱分析了,这个分析肯定有的,因为玻璃里可以有的,但不保证能参杂进去。这个时候最简单的方法就是把这个正银当背银试试,如果

光伏组件封装材料综述来源: 发布时间:2013-11-06 10:41:46

(superstrateprocess)制造而成(如图一中(b)和(c)所示)。为了确保组件的力学稳定性和对整个太阳能电池吸收光谱范围内的高透光率,并保护电池和金属电极不受外界环境侵蚀,必须在电池前表面
生产工艺由以下几个步骤组成:玻璃清洗和干燥;电池片串焊;组件层压,包括十字接头的焊接;固化;边缘密封和装框;安装接线盒;最后是功率测试。有三种工艺可以将电池矩阵固定在这些材料中。其中最常用的是真空层压工艺

用超声喷雾热解淀积系统合成CdTe薄膜及特性分析来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

,加HCl使溶液的PH值维持在11.5。薄膜淀积前,康宁玻璃(7059)衬底用如下处理方法彻底清洗:(1)用皂液洗,(2)用DDW冲洗,然后用丙酮超声冲洗10分钟,(3)在异丙醇中浸5分钟,最后(4
太阳能电池的高转换效率,CdTe制造的淀积方法及制备条件非常重要。有若干种薄膜淀积技术用来得到PV质量的p-CdTe薄膜,即电淀积、闭空间升华法(CSS)、喷雾热解、物理气相淀积、真空蒸发、气相输运沉积

晶硅太阳能电池与微电子之间的技术交流来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

和处理方法。很明显,微电子中的宝贵知识库可以被利用,然而必须认识到,对于潜在效率>21%的晶硅太阳能电池,在被清洗表面的允许污染程度最终将比CMOS加工中典型的清洗表面低。对于后者,1010cm-2

光伏焊带:产品性能综述及生艺比较来源:SEMI 发布时间:2012-12-16 23:59:59

越来越严格;b) 不断减薄的太阳能电池要求焊带屈服强度更低(Rp0.2%);c) 新太阳能板设计采用每一电池三条互连焊带以替代二条焊带,这反映了对于更小(更窄且更薄)焊带的要求不断增长。这又转而推动
典型允差:(a) 宽度允差:8m-15m ;(b) 厚度允差:8m-13m。太阳能板制造者通常寻求的PV焊带的机械性质是:●抗拉强度:<250MPa●延伸率:>20%●弯度:<0.5%●屈服强度

地面用光伏组件密封材料的标准检测来源: 发布时间:2012-11-30 12:47:20

最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1692 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定GB/T 1695 硫化橡胶 工频击穿电压强度利耐电压的测定方法(GB/T 1695-2005,ASTM D
149a-1997,NEQ)GB/T 2408 塑料燃烧性能试验方法 水平法和垂直法(GB/T 2408-2008,IEC 60695-11-10-1999,IDT)GB/T 2794 胶粘剂粘度测定方法

用ECR-CVD改善硅基异质结太阳电池的界面钝化的影响来源:SEMI 发布时间:2012-06-20 23:59:59

的生长条件后,制备了有光学抗反射TCO层的氢化微晶硅氧化物(c-SiOx:H)异质结太阳电池。其转换效率高达12%。这证明了这种简单加工方法的技术潜力。实验和结果实验中采用的ECR-CVD系统是单一
支架位于距等离子室孔25cm处。用涡轮分子泵把等离子室抽到高真空,残余气体压强接近310-6Torr。本研究中只报导生长p+薄膜,用的掺杂气体是硼(B),在氢气中体积浓度为0.5%。工艺气体经ECR区

太阳能硅片清洗及原理来源: 发布时间:2012-06-18 15:04:31

清洗方法有:化学清洗法、超声清洗法和真空高温处理法。1.目前的化学清洗步骤有两种:(1)有机溶剂(甲苯、丙酮、酒精等)去离子水无机酸(盐酸、硫酸、硝酸、王水)氢氟酸去离子水(2)碱性过氧化氢溶液去离子水

太阳能光伏刻蚀清洗设备来源: 发布时间:2012-05-23 15:43:19

等离子体刻蚀的几种基本方法示意图。(a)溅射法是由于能量离子的撞击而引起表面物质的原子急速蒸发和向外喷射的纯物理过程,这种方法选择性差,易引起器件损伤。(b)化学法是在化学方法刻蚀中,等离子体使中性原子基活化

太阳能光伏扩散制结设备来源: 发布时间:2012-05-22 16:06:24

目前的太阳电池工艺中,通常采用已经掺杂了一定量的硼的P型硅片作为原料,在硅片的一面通过扩散磷来形成P-N结,采用三氯氧磷(POCl3)作为扩散源提供磷原子。常用的扩散方法为石英管中进行的闭管液态源
扩散到硅中去。箱法扩散,又称半开管扩散(如图4.3b),是封管扩散的改进,采用一个石英或硅制成的带盖子的箱子,扩散时把硅片和杂质源一起放入箱内,盖上盖子送入扩散炉管中,炉管内的惰性气体起保护作用。封管