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Loss/晶体硅片腐蚀速率测试方法：称重法由英利牵头编制SEMI PV68-0815 Test Method for the Wire Tension of Multi-wire Saws/多线切割张力
发布牌。在委员会的全体努力下中国光伏企业近几年在国际光伏标准舞台上又赢得了更多的领导话语权！SEMI PV64-0715 Test Method for Determining B, P, Fe, Al

。另外，硅片切割环节因为切割的厚度以及破片率等方面的要求较高，进入也存在着一定的壁垒问题。相对而言，单晶硅拉制或是多晶硅定向浇铸、组件及系统封装与应用进入壁垒较低。目前，晶体硅光伏发电产业呈现出倒置
硅料、硅片、电池片、电池组件和运营应用系统5个环节。其中，硅料、硅片属于上游产业区;产业的中游环节是电池片、电池组件环节;运营应用系统为产业的下游环节。图表1：我国光伏产业链示意图

、电池片、电池组件和运营应用系统5个环节。其中，硅料、硅片属于上游产业区；产业的中游环节是电池片、电池组件环节；运营应用系统为产业的下游环节。　　图表1：我国光伏产业链示意图1、晶体硅原料生产晶体
电流直接发电。以硅材料的应用开发形成的光电转换产业链条称之为光伏产业。包括高纯多晶硅原材料生产、太阳能电池生产、太阳能电池组件生产、相关生产设备的制造等。（二）光伏产业链光伏发电产业链主要包括硅料、硅片

降低，导致光伏组件效率下降 B+2O BO2 左边少子寿命高，右边相反总结：硅片中的硼氧成分越高，在光照或电流注入条件下硼氧复合体越多，复合体越多
晶体硅的缺陷，从而彻底解决了掺硼的硅片，光伏组件的衰减问题。方法四：使用掺p的n型硅替代掺硼的p型硅片，n型硅片可以解决光致衰减问题，但是从现有技术和工艺来看，在转换效率和制造成本上没有优势

这一现象发生的主要原因是P型（掺硼）晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂，用稼代替硼能有效的减小光致衰减；或者对电池片进行预光照处理，是电池的初始光致衰减发生在组件制造之前，光伏组件
光致衰减机理 P型（掺硼）晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象是在30多年前观察到的，随后人们对此进行了大量的科学研究。特别是最近几年，科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关，大家基本一致的看法是光照或

趋于稳定。导致这一现象发生的主要原因是P型（掺硼）晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂，用稼代替硼能有效的减小光致衰减；或者对电池片进行预光照处理，是电池的初始光致衰减发生在组件制造
衰减。　　3 光致衰减机理 P型（掺硼）晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象是在30多年前观察到的，随后人们对此进行了大量的科学研究。特别是最近几年，科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关，大家基本一致

大手笔的收购，斥资3.5亿美金收购单晶组件厂Silevo 。该组件公司2007 年在美国硅谷创立，其核心技术和专利为一种基于N 型单晶硅片的高效晶体硅光伏电池结构---Triex。能以接近传统晶硅光伏
的量产生产线使用该技术生产的高效单晶电池和组件产品，目前量产电池片效率21.4%。国内单晶巨头隆基股份此前与杭州赛昂电力签2013~2016 年N 型硅片供货框架协议，总计划供货量超过3 亿片，协议

索比光伏网讯:王惠赵爱爽赵江雷张珂靳迎松麻增智译(晶澳太阳能有限公司河北省邢台市 055550)摘要：原子沉积的Al2O3膜可以应用为背钝化电介质层，来制作PERC钝化发射极的晶体
（SiOx），会导致70cm/s的背面复合速率（SRV），而如果只是130nm的单层Al2O3，会导致90cm/s的背面复合速率。关键词：晶体硅太阳能电池；表面钝化；高效电池；氧化铝。1、介绍硅太阳能电池现在

。生产单晶硅的常见的方法是提纯原材料，熔融物在严格控制的温度变化速率下凝固并生长出单晶以及最后将单晶锭锯成薄片并抛光。而在硅材料的生产过程中会造成很多缺陷，而这些缺陷势必会导致晶体硅片的少数
多晶硅电池，是硅基高效太阳电池的首选材料。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会影响太阳能电池的效率，比如：B-O复合体的存在会导致单晶电池的光致衰减；内部金属杂质和晶体缺陷（位错、同心圆等）的存在会成

，全称为山西晨洋光伏科技有限公司，成立于2011年1月，位于长治市漳泽新型工业园区，占地147亩，是一家从事节能技术研发，单晶硅棒、多晶硅锭、单晶多晶硅片、光伏电池、光伏组件、太阳能幕墙和光伏复位及配套
99.2%以上，电池成品率稳定在96%以上，电池碎片率控制在1%以下，电池设备的月度设备完好率控制在99%的水平，在国内处于领先。而且，我们从不会将B级产品当作级别较高的A级产品销售给用户。刘洋介绍道

由于具有无污染、安全、长寿、维护简单、资源永不枯竭和分布广泛等优点，被认为是21世纪最重要的新能源，有着不可估量的发展潜力。在2009年，我国多晶硅占全球总产能的25%左右，硅片占65%，太阳能电池占
要求也越来越高。随着半导体技术的进步，硅片的直径也经历了从70年代的2寸到本世纪的12寸，甚至16寸的发展过程。相对于硅棒(片)的尺寸，工艺上要求热场尺寸是其3倍。即，生产12寸的硅单品，就需要36寸