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业务进行了规划，为满足鑫阳光系统整体规划需要，公司将会加大上海奉贤产业基地863高效异质结电池研发投入、加快量产化进程，同时也将通过自动化智能化生产线替代上海奉贤产业基地的老旧产能，生产适应分布式业务
创新。为满足鑫阳光系统整体规划需要，公司将会加大上海奉贤产业基地863高效异质结电池研发投入、加快量产化进程，同时也将通过自动化智能化生产线替代上海奉贤产业基地的老旧产能，生产适应分布式业务发展需求的

证券市值（以下简称MVPHS）未能达到1500万美元最低市值的要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新
，中电光伏收到纳斯达克股票市场上市资格部的通知函，告知公司的MVPHS未能达到1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定

了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5
1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间

上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5月18日成功
的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间中电光伏的证券

研发遥遥领先，其它研究成果如德国Fraunhofer ISE的23%，ISFH的23.1%，IMEC的23.3%等等。最近，日本的研发人员将IBC与异质结（HJ）技术相结合，在2014年将晶体硅电池的
离子注入技术运用到IBC电池中，实现了22.1%和22.4%的转换效率。当然，离子注入技术的量产化导入，设备和运行成本是考量的关键。 2.2 陷光与表面钝化技术对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和

发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷扩散相比，为了获得
，成为行业关注和研究的热点。根据图1和2国际光伏技术路线图ITRPV2015的预测，随着背接触（BC）、异质结（HIT）等电池新结构，及激光、离子注入等新技术的引入，N型单晶电池的效率优势会越来越明显

（PCC电池）背接触电池是由Sunpower公司开发的高效电池，其特点是正面无栅状电极，正负极交叉排列在背面，量产效率可达19%～20%。这种把正面金属栅线去掉的电池结构有很多优点：（1）减少正面遮光
的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图1。　　图1（a）IBC电池基本结构图　　图1（b）IBC电池基本结构图这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡

空间已经越来越窄。电池和组件结构的重大创新被越来越多的光伏研究机构和企业所关注，背面钝化（PERC）电池、异质结（HIT）电池和背接触式电池等新型结构的电池被认为是最有发展前景的几种技术，并逐步从实
验室走向量产线。目前晶体硅电池产品量产的转化效率记录一直被美国Sunpower公司的全背接触式（IBC）电池所保持，其电池和组件的量产转化效率分别达到22%和20%以上，但其生产工艺过于复杂，生产成本较

节约更多的BOS成本。屋顶应用受有限的安装面积所限制，因此高效电池在这方面可以发挥着重要的应用。在所有的太阳能电池技术中，研究硅基异质结（HJT）太阳能电池具有重要的意义，因为其具有效率高(24.7
光伏技术组件所得到的实际输出发电量和标准测试条件下发电量的比值(PTC/STC)平均值；(b) 不同地理区域采用不同光伏技术组件模拟得到的输出功率　　(c) 在慕尼黑采用不同的光伏技术组件搭建5MW

特有的 PECVD设备能满足高效异质结电池的生产光伏技术在产生电能时可实现零CO2排放，因此被认为是重要的可再生清洁能源。光伏产业的目标是让光伏发电成本与传统的电网发电成本相比具有一定的
扮演着最重要的角色，因为它们在提供相同电量的情况下可以节约更多的BOS成本。屋顶应用受有限的安装面积所限制，因此高效电池在这方面可以发挥着重要的应用。在所有的太阳能电池技术中，研究硅基异质结（HJT

成为新一代高效背接触硅太阳电池的典型代表。　　2.HIT异质结高效N型硅太阳能电池　　所谓HIT结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化
非晶硅薄膜，以此改变PN结的性能。日本三洋公司最早在HIT电池技术上取得突破。　　2000年日本三洋公司研制出10平方厘米的HIT结构异质结太阳能电池。转换效率达到20.7% ，开路电压达到

积，进一步降低了载流子在电极表面的复合速率，提高了开路电压。较为出色的陷光、钝化效果，以及采用了可批量生产的丝印技术，使A-300成为新一代高效背接触硅太阳电池的典型代表。2.HIT异质结高效N型硅
10平方厘米的HIT结构异质结太阳能电池。转换效率达到20.7% ，开路电压达到719mV ，并且全部工艺可以在200℃以下实现。双面结构的HIT电池由于能接收到来自地面的反射光，不论地面是否光滑，它

（b））。虽然要想量产还需要稍加改进（NEDO），但昭和壳牌石油和SolarFrontier都在小尺寸电池单元中实现了19.7％的转换效率，突破20％大关指日可待。据SolarFrontier介绍
作为遮阳板使用的耐久性。　　夏普在转换效率方面逼近两强采用无机材料的各种太阳能电池也提高了特性。比如夏普正在开发的、组合异质结和背接触构造的单晶太阳能电池新一代Black Solar，小尺寸电池单元的

母公司昭和壳牌石油还在NEDO的展区展示了转换效率为17.5％的30cm见方的CIS型太阳能电池模块（图3（b））。虽然要想量产还需要稍加改进（NEDO），但昭和壳牌石油和SolarFrontier
验证其作为遮阳板使用的耐久性。夏普在转换效率方面逼近两强采用无机材料的各种太阳能电池也提高了特性。比如夏普正在开发的、组合异质结和背接触构造的单晶太阳能电池新一代BlackSolar，小尺寸电池单元的

晶圆两面形成非晶硅层的异质结构造的HIT太阳能电池（图1）。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失，因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响，有部分太阳光被遮挡，因此
很难提高电流值。　　图1：降低损失，使单元转换效率达到24.7％松下通过降低光学损失和载流子再结合损失等，使单元转换效率达到了24.7％（a）。与SunPower公司的单元相比，短路电流密度稍低（b

%转换效率的是在单晶硅晶圆两面形成非晶硅层的异质结构造的HIT太阳能电池(图1)。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失，因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响，有部分
稍低(b)。松下一直在设法提高太阳能电池单元的转换效率，2011年使厚度只有98m的HIT太阳能电池的单元转换效率达到23.7%，2012年提高至23.9%。该公司此次通过提高电极的宽高比以及抑制透明

转换效率为19.5％。该公司计划2011年内量产供货采用该单元构成的转换效率为16.47％的模块。由于三洋电机持有的HIT基本专利于2010年失效，受此影响异质结构造的开发在全球活跃
LG电子发布了组合异质结构造和背接触构造的单元研究成果（a）。阿特斯在金属贯穿式背电极构造的单晶硅单元上实现了19.5％的转换效率（b）。三洋电机领先一步