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参考值，附录B为计算实例。本用地指标由国土资源部土地利用管理司组织编制。第一章基本规定1.1 本用地指标适用于新建、改建和扩建的陆上光伏发电站工程项目。1.2 光伏发电站工程项目建设，应遵循节约优先的
。但因安全生产、地形地貌、工艺技术等有特殊要求，确需突破本用地指标的，应当按照规范开展建设项目节地评价的相关政策要求进行节地评价论证。1.8 光伏发电站工程项目建设在经济技术合理的条件下，应优先

方面，重点发展具有先进制造技术和制造工艺的中高端整机装备、系统和基础零部件，重点依托徐工机械、德尔汽车、辽宁翰石、驰宇石油、航天神坤、辽宁禾功、阜龙农机、中孚轻金属等企业，开展环保装备、石油钻井机械
、矿山开采设备、农业机械、压铸机、空压机、砼搅拌站等整机装备的研发，发展具有先进制造技术和制造工艺的液压缸泵阀、液压支架、液压系统、铝合金铸件等产品。在高档数控机床及自动化生产线方面，重点依托装备制造和

工程项目建设用地总体指标、光伏方阵用地指标、变电站及运行管理中心用地指标、集电线路用地指标、交通工程用地指标，附录A为光伏阵列斜面日均辐射量参考值，附录B为计算实例。本用地指标由国土资源部土地利用
分区用地规模。但因安全生产、地形地貌、工艺技术等有特殊要求，确需突破本用地指标的，应当按照规范开展建设项目节地评价的相关政策要求进行节地评价论证。 1.8 光伏发电站工程项目建设在经济技术合理的条件下

电线路用地指标、交通工程用地指标，附录A为光伏阵列斜面日均辐射量参考值，附录B为计算实例。本用地指标由国土资源部土地利用管理司组织编制。第一章基本规定1.1 本用地指标适用于新建、改建和扩建的陆上
、土地管理法律、法规及有关规定，严格执行本用地标准总规模和功能分区用地规模。但因安全生产、地形地貌、工艺技术等有特殊要求，确需突破本用地指标的，应当按照规范开展建设项目节地评价的相关政策要求进行节地评价论证

，推行生态设计，加强产品全生命周期绿色管理。支持制造业由生产型向生产服务型转变，引导制造企业延伸产业链条、增加服务环节。实施工业强基工程，重点突破核心基础零部件（元器件）、先进基础工艺、关键基础材料、产业
跨境维权救援机制。（十六）鼓励和引导企业加快产品服务升级。引导企业更加积极主动适应市场需求变化，支持企业通过提高产品质量、维护良好信誉、打造知名品牌，培育提升核心竞争力。支持企业应用新技术、新工艺

Fuse一项，即与组件串联的熔断器的最大电流等级。图2 . 组件背后技术参数标签上标明的串联熔断器的最大电流等级根据表3可知，由于光伏电池板制造工艺的不同，导致
n串为例)： Imax=(Isc1+ Isc2+ Isc3++ Iscn)*1.25 STEP2. 判定名义上的熔断器安培等级 NEC690.8(B)(1)(a)规定考虑过电流保护装置保险系数时

份额对比数据单晶VS多晶一、材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与多晶硅片
在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。因此，两种材料的生产工艺与结构决定了单晶具有以下优势： 1）单晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷。 2）单晶硅片比多晶硅片有更高的机械强度

数据单晶VS多晶一、材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能
、机械性能方面与单晶相比有显著差异。因此，两种材料的生产工艺与结构决定了单晶具有以下优势：1）单晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷。2）单晶硅片比多晶硅片有更高的机械强度，更低的碎片率。3）单晶硅电池比多

公布的单多晶份额对比数据【单晶VS多晶】一、材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致
单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。因此，两种材料的生产工艺与结构决定了单晶具有以下优势： 1) 单晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷。 2) 单晶硅片比多

黑硅在很宽的波长范围内具有反射率低、接受角广的优点，在太阳能电池领域倍受关注。本文将黑硅制绒工艺应用到N型硅基体上制备成的太阳电池效率高达18.7%。在N型黑硅表面可以制作高浓度硼掺杂的发射极且不
影响黑硅表面的光学特性，然后在黑硅发射极表面原子层沉积Al2O3，起到优异的表面钝化效果。　　1.引言黑硅表面有纳米级小山峰，反射率很低。通过优化反应离子刻蚀（RIE）工艺的参数来制作黑硅，由于其在很宽

这些国家和地区提高项目管理水平；利用银行或国外金融机构、财团贷款或出口信贷而建设的项目；工艺装置多而复杂，业主对这些工艺不熟悉的庞大项目。设计-建造（DB）模式即设计-建造模式（Design
的采购一般都由承包商与分包商和供应商单独订立合同并组织实施。在工程项目实施阶段，工程师则为业主提供施工管理服务。这种模式最突出的特点是强调工程项目的实施必须按照D-B-B的顺序进行，只有一个阶段全部

项目，引入PMC可确保项目的成功建成，同时帮助这些国家和地区提高项目管理水平；利用银行或国外金融机构、财团贷款或出口信贷而建设的项目；工艺装置多而复杂，业主对这些工艺不熟悉的庞大项目。　　设计-建造
的实施必须按照D-B-B的顺序进行，只有一个阶段全部结束另一个阶段才能开始。　　优点优点表现在管理方法较成熟，各方对有关程序都很熟悉，业主可自由选择咨询设计人员，对设计要求可控制，可自由选择工程师，可采用

可确保项目的成功建成，同时帮助这些国家和地区提高项目管理水平；利用银行或国外金融机构、财团贷款或出口信贷而建设的项目；工艺装置多而复杂，业主对这些工艺不熟悉的庞大项目。设计-建造（DB）模式即设计
。在工程项目实施阶段，工程师则为业主提供施工管理服务。这种模式最突出的特点是强调工程项目的实施必须按照D-B-B的顺序进行，只有一个阶段全部结束另一个阶段才能开始。优点优点表现在管理方法较成熟，各方对

cm2）电池的效率提升到18.3%，大面积（1.02 cm2）电池的效率达到16.2%；（2）无论是小电池还是大电池，其IV测试的迟滞效应都非常小，并且多批次数十个电池都表现出很好的工艺可重现性和器件
mW/cm2，环境温度：25℃，短路情况连续电流输出）（a）归一化效率衰减10%，（b）效率绝对值衰减统计图如图3-4所描述，通过简单改变扫描条件即可消除迟滞效应、以及良好的稳定性是保证我们的

1、晶体硅原料生产晶体硅原料在太阳能电池组件成本中占很大比例，尤其多晶硅材料是重要的细分行业。在生产高纯度的多晶硅技术方面，国际上传统的生产工艺主要有化学方法和物理冶金法，其中化学方法包括改良
西门子法、硅烷法、流化床法，我国大部分企业所采用的是改良西门子法。目前，我国千吨级且工艺较成熟多晶硅企业的完全成本约为50美元/kg。未来节省成本的空间就在于单位耗电量的降低、副产品四氯化硅的循环

原料在太阳能电池组件成本中占很大比例，尤其多晶硅材料是重要的细分行业。在生产高纯度的多晶硅技术方面，国际上传统的生产工艺主要有化学方法和物理冶金法，其中化学方法包括改良西门子法、硅烷法、流化床法，我国
大部分企业所采用的是改良西门子法。目前，我国千吨级且工艺较成熟多晶硅企业的完全成本约为50美元/kg。未来节省成本的空间就在于单位耗电量的降低、副产品四氯化硅的循环再利用（节省三氯化硅）、精馏环节的节省

，但无法和多晶比。从铸锭与拉晶成本看，单晶VS多晶，多晶占有非常大的优势且单晶永远无法赶超；　　三、切片成本对比金刚线切片工艺可以切的更薄、成本更低。单晶硅片已经普及了金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服
B-O复合体的原因，衰减较大，但N型单晶衰减基本为0，可是电池厂如果生产N型单晶电池，需要重新引入设备，投资较大，在现有形势下，期望电池厂大量上N型单晶电池线，难度较大。单晶VS多晶，多晶略胜一筹

，多晶对硅料要求不严格，单晶对料要求非常严格。目前单晶的成本虽有所降低，但无法和多晶比。从铸锭与拉晶成本看，单晶VS多晶,多晶占有非常大的优势且单晶永远无法赶超; 三、切片成本对比金刚线切片工艺可以
切的更薄、成本更低。单晶硅片已经普及了金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的

。目前单晶的成本虽有所降低，但无法和多晶比。从铸锭与拉晶成本看，单晶VS多晶,多晶占有非常大的优势且单晶永远无法赶超;　　三、切片成本对比　　金刚线切片工艺可以切的更薄、成本更低。单晶硅片已经普及了
金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线

IEC60529标准规定的IP65以上防护等级，完全可以放置在户外使用，如图1(b)所示。图1 风扇的防护工艺为了从实验的角度再次验证高防护户外风扇的防护性能，笔者选取了崭新的主流高防护户外风扇
差异，需要对两种风扇进行深入剖析，以改变人们对风扇的固有印象。 3.1 风扇高防护工艺介绍高防护户外风扇主要由框架﹑扇叶﹑PCB板、定子、转子、轴承六部分组成。风扇防护工艺主要是针对内部线圈及