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电站，该电站为目前亚太地区最大的光伏项目之一。项目位于越南平顺省虹峰，1A和1B期工程已于近期成功并入越南国家电网，预计每年将实现太阳能发电5.2亿千瓦时，节约标煤17.5万吨，减少二氧化碳
技术、产品最新动向通威：6月25日，通威将电池片价格大幅下调，本次调价主要变化如下：多晶电池片价格稳定。单晶PERC电池单双面同价。按照尺寸定价。单晶PERC电池156.75尺寸价格为1.16元

摘要：丝网印刷线在生产过程中产生了间歇性串阻偏高、效率偏低的现象，EL测试图像部分区域呈现黑雾状，针对此问题从烧结炉和丝网工艺2个方面进行分析，解决了该问题。烧结是太阳能多晶电池片成为成品的最后
一道关键工序，其决定着太阳能多晶电池片的效率和合格率，而烧结炉直接影响着烧结工艺的成败。本文着重分析研究了由于烧结炉引起的烧结EL不良现象。 1丝网印刷烧结工艺烧结就是将印刷了浆料的硅片经过烘干

会更进一步提升至70张)，而多晶为59片(出片量数据均包含B片)。由于单晶的“长晶”成本更高，更细的金刚线带来的出片量的提升明显更有利于单晶硅片的成本降低，所以我们现在看到的就是：单晶企业普遍
片/kg的水平，多晶小方锭的出片量提升至59片，此时一张单晶硅片中包含长晶成本50➗65=0.76，一张多晶硅片包含铸锭成本25➗59=0.423元(上述出片量数据均包含B片)。在长晶环节

200m20和180m20两种，TTV30m,弯曲度15m，大晶粒晶向1005。　　技术方面，凤凰光伏在理论上得出，准单晶A区比普通多晶高0.1%0.2%，准单晶B区比普通多晶高0.40.6%，准单晶C
锭中A、B、C区制成的电池片获得了不同的技术参数，具体如下：　　A区：占硅锭比例为16%，转换效率为16.61%；　　B区：占硅锭比例为48%，转换效率为17.02%；　　C区：占硅锭比例为36

初始光衰为1.6%（质保3%）B. 电站运营年限均为20年根据以上的假设条件，我们通过数学模型对单、多晶系统进行平准化度电成本LCOE测算。首先我们测算不同价格的组件度电成本差价，然后我们测算为了确保
光伏发电平价上网的进程。由于目前领跑者标准对多晶企业门槛很高，逼着多晶电池片和组件企业加大研发创新力度，不断提高多晶效率。在过去的一年多时间里，多晶技术在持续降成本的同时，进一步提高了组件功率和质量。例如

存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴
需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶

来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与
。第二，黑硅技术的设备成本降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配

一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显
降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片

，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷
的设备成本降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能

本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善
，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。 1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括： A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。 B.电阻损耗，电池片本身的

OFwek太阳能光伏网讯：本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼
单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带

索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失
组件CTM不同的内在原因。1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的

后会产生效率衰减，研究表明，掺硼太阳能电池的衰减与B-O复合体在少数载流子的激发下形成有关。所以，降低LID主要从降低硼含量和氧含量入手。（1）降低B（硼）含量尽管光衰强度与光照强度和补偿度
地降低了此类产品的光致衰减，有效提高了组件的转换效率。在我们的研究中，掺镓多晶电池片效率衰减图如下图所示。　　从技术上来讲，虽然掺镓技术可以明显的降低光衰提升组件效率，但由于镓的低分凝系数，会

建设成为可能。据了解，在新能源+互联网+融资租赁的创新模式中，绿能宝颠覆过去光伏行业B2B的行业特性，将光伏新能源投资引入C端消费领域，突破了光伏行业的高投资门槛的限制，让个人得以参与进来。个人投资者最低投资
16.7元，即可拥有一块多晶电池片；投资1000元，即可拥有自己的光伏发电板，并获得约8%11.9%的年化收益，获得稳定收益的同时为环保事业作出贡献。而对于融资方，自2015年1月上线以来，已经有26个

迹象都没有。随着上游硅料报价开始松动，下游电站启动又未达预期的影响，硅片价格有下滑趋势，尤其是单晶硅片价格已经下滑，但仍然无人问津。先前出货较好的B级片，也出现了出货不畅的现象。不少企业资金仍然非常紧张
国内电池片价格报价小幅波动。目前多晶电池片17.4-17.6%基本维持在2.3-2.35元/瓦，一线厂家现货报价继续坚挺，价格出现小幅波动的主要是二三线厂家，主要原因还是订单不稳定。一线企业基本已经满产

是由B-O复合体或Fe-B复合体产生的，它的现象是组件在初始一个月的时间内发电效率迅速下降至临界值时趋于稳定，经过长期监测初始光衰后的电池片经过长期光照会有缓慢回升的现象：初始光衰一般情况下
老化衰减，单晶、多晶电池片晶体结构不一样，因此，理论上单多晶组件在承受热应力及温湿度变化方面会存在差异。电站衰减实例：上图为宁夏中卫地区同一电站2013年单晶与多晶发电量与2012年发电量衰减情况如右

索比光伏网讯:5月20日，陕西有色光电科技有限公司/荷兰Tempress Systems B.V.于上海新国际博览中心TempressSystemsB.V.展台签署签订380MW多晶电池片扩散炉
分支机构。最后，陕西有色光电科技有限公司总经理范江峰先生与TempressSystemsB.V.公司总经理AlbertHasper先生代表双方签署了采购合同。原标题:陕西有色光电科技有限公司与荷兰Tempress Systems B.V.签订380MW多晶电池片扩散炉生产设备采购合同