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的前电极输出到外电路，驱动负载运行。图1 n-PERT双面电池(a)和单面电池(b)的结构示意图如图1(a)所示，n-PERT双面电池的结构为：金属电极、前表面减反膜、硼掺杂发射极、n型
的面积~3%;而单面电池的背面电极采用全金属覆盖，如图1(b)所示。图2 n-PERT双面电池(a)和单面电池(b)的发电原理示意图图2为双面电池和单面电池的发电原理示意图。如图所示，当

存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴
需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显影响，导致5%以上的LID。通过降低硅片氧含量、改变掺杂剂、对电池进行退火处理等措施，可以将PERC电池的光衰显著降低，例如单晶

来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的“B-O对”导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，“B-O对”与
。第二，黑硅技术的设备成本降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配

一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷会产生更明显
降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能同时兼顾硅片

，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%），主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴需要运行更远的距离才能被背电极收集，B-O对与杂质、缺陷
的设备成本降低，电池和组件端的进步也促进了该技术的发展。黑硅除了能解决外观问题之外，还能形成奈米级的凹坑、增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以推升转换效率。故金刚线切搭配黑硅技术的工艺，能

钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的
载流子复合几个方面着手。 (1)减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液

结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用
方面着手。（1）减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率

包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶
本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善

。光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大；B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。本文设计实验主要针对以上两点
OFwek太阳能光伏网讯：本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼

差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大;B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析
索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失

太阳电池中电子和空穴在准一维传输时所满足的半导体基本方程进行器件模拟。PC1D对计算机软、硬件要求较低，操作简单，可以输出载流子浓度、电流密度、I-U特性、量子效率和反射率曲线等多种物理量关系图。新版
的PC1D完善了材料物理模型和特性等参数，对晶体硅电池模拟具有很高的准确性和可靠性。反射模型如图2所示。在模拟中，硅的体电阻率设为3cm；背面场反射率为92%，即I4/I3=92%；前表面反射率平均值

发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷扩散相比，为了获得
PERL电池结构示意图　　图7 PassDop激光掺杂示意图（a）基体硅背面（b）沉积磷掺杂的a-SiCx钝化层（c）激光开槽形成局部重掺（d）沉积Al背电极日本三菱电机的n-PERL电池则采用双面受光

的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出。结构见图1。　　图1（a）IBC电池基本结构图　　图1（b）IBC电池基本结构图这种背电极的设计实现了电池正面零遮挡
。EWT电池的主要工艺流程如图3（b）所示：　　图3（b）EWT电池主要工艺步骤下一页 2.2、PERL电池PERL

; b.对双玻组件进行的改良设计并不一定是最佳的选择为了和传统组件的标称功率相一致，一些双玻组件在设计的时候会采用高反射率的白色底层封装材料，或者采用更高效的电池片等。这无形中增加了双玻组件的材料成本
公布检测认证结果。 b.光伏发电项目采用的光伏组件、逆变器及关键产品，须通过国家认监委批准的认证机构认证且与认证送检产品保持一致。 c.对国家组织实施的领跑者计划项目，委托第三方检测认证机构进行

数值，更详细、具体的技术指标需要行业的专业机构来补充。这一点上，《意见》给出了非常明确地指导性建议：a.企业生产的关键产品必须通过第三方检测认证，并由第三方检测认证机构公布检测认证结果。b.光伏发电
面积就不同，因而，如果采用传统组件转化效率计算方法来计算双玻组件的转化效率，那么当前领跑者计划中的技术指标是双玻组件很难达到的；b.对双玻组件进行的改良设计并不一定是最佳的选择为了和传统组件的标称功率