月-9月衰减率相对较低，而10月到次年3月衰减率相对较高;此外，所有衰减率都高于实验室测试的衰减率，大同月报把原因归于名义转换效率和名义衰减率是依据组件在实际运行工况下的运行功率计算的。实际运行工况下

左右，由于功率较高，能够有效摊薄组件 和 BOS 成本，TOPCon 电池 23%的效率已经和 PERC 电池 22%效率的系统 端成本持平，加上 TOPCon 组件高双面率、低衰减特性，综合
发电能力更强， 已经成为更具有优势的选择;HJT(异质结)成本较 TOPCon 高 1.4 元/片，目 前效率以及组件功率跟 TOPCon 相当，双面率和抗衰减能力也相当，性能相近 的情况下系统端成本高

年的衰减仅8%，PERC在15%，整个生命周期内低衰减可以多发约5%的电量，对应约1毛2的单瓦溢价。 三、温度系数低：组件表面温度每升高1℃，组件实际输出功率会下降一定比例。HIT下降约0.25
%，PERC下降约0.37%，HIT单瓦发电量比PERC高约4%，对应约1毛钱的单瓦溢价。 四、双面率高：HIT电池双面率可以达到95%，PERC一般在75%左右。由于HIT电池正面功率也高，因此叠加

功率衰减8%、4%发电增益的假设下，判断HJT电池非硅成本的临界范围约0.4-0.5元/W，预计当异质结电池性价比优势逐步显现之后有望实现对主流路线的替代。 02支撑评级的要点 HJT电池实验室
功率衰减8%、4%发电增益的假设下，我们认为目前HJT电池在组件端可享有约0.25-0.39元/W的溢价空间。 组件溢价构建HJT电池非硅成本空间：在合理的组件溢价空间下，我们测算得到当前HJT电池的

约8分/瓦的溢价，在欧美日等高BOS地区，高效率带来的溢价会更高，这也是HIT目前主要市场在欧美日的原因。 低衰减：按8%折现率计算，低衰减溢价=0.37*利用小时/1000*不含税电价*(1-
、H2O2、HF、添加剂等，主要是大宗化学品，非常成熟。添加剂目前还是进口为主，有企业在尝试国产化，进口添加剂成本约8分/片，如果国产化成功，可以降到2分/片。 PECVD：主要是TMB、B

一次低温退火。 图一：(a)传统SHJ太阳能电池的剖面结构图。(b)SHJ电池的主要制造工艺步骤。 用于SHJ电池的硅片 与所有高性能c-Si太阳能电池的情况一样，硅片质量是实现高效SHJ电池
过程和后处理的细节。因此，已经提出使用测量的寿命/电阻比值作为硅片和异质结质量的累积表征值。最近的研究还表明，对于Voc 750mV的SHJ电池必须使用寿命电阻率大于4ms /cm的钝化

)表征结果表明：电池片的背钝化效果恶化，组件功率明显衰减;越靠近组件边框，电池受到的电势越大，Na+迁移率越高，因此边框周围的电池片发生PID衰减的概率更大，如图3所示。 图1 PID测试后

测试方法 - 第1-1部分 晶硅组件 - 脱层：该标准研究了PID环境对组件封装工艺的影响。项目负责人展示了在实际电站现场，由于PID效应带来的功率衰减及组件脱层的照片，并提出了相对应的实验室模拟测试
均需提供RTI值。而对于绝缘厚度，主要针对一些特殊背板材料，如涂覆型产品，涂层不能计入可靠绝缘厚度(RUI，Relied-Upon Insulation)。另外，测试相关方面，主要变化为将B序列的UV

接插头。 31、组件是如何质保的? 答：常规晶硅组件提供10年有限产品质量保证，即十年之内可以维修或者更换，此外还提供25年的峰值功率有限保证，即保证组件峰值功率衰减程度在一定范围内 32、组件

，此外还提供25年的峰值功率有限保证，即保证组件峰值功率衰减程度在一定范围内。 32、组件失效有什么特征? 答：晶硅组件常见的时效现象有电池片碎裂、热斑、EVA黄变、背板开裂、蜗牛纹等问题肉眼可见