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本届展会将持续至当地时间8月31日，欢迎大家莅临圣保罗北方会展中心一道新能B2 10展台参观交流。
搭载TOPCon 3.0 plus电池的DAON 3.0系列组件最高功率达640W，组件转换效率高达23%，具有低隐裂风险、低工作温度、低光致衰减、高转换效率、高双面率、高弱光发电等特点，已在客户端收获广泛好评

N 型硅片掺杂物质为磷，硼含量极低，因此由硼氧对(B-O)导致的光衰(LID)基本可以忽略，可提升电池片使用寿命和长期发电量。
基本无光衰且可薄片化：目前在产的异质结电池基本均为N 型硅片衬底，因此也具备N型硅片相对于目前主流P型硅片的固有优势，如无光致衰减(LID)和可薄片化(异质结结构本身亦对可薄片化有所贡献)。

导致的光致衰减问题，可获得更高的投资回报，IRR可达9.6%。
100μm或更薄的硅片，生产过程不产生氨氮废水，且弱光性能好，具有薄膜电池的优点，在阴雨天气发电效果好，双面率达95%以上，发电量提高10%以上，此外，HJT光照稳定性好，不会出现光照衰退的现象，不存在B-O

由此，光伏产品的终端已从过去的to B属性转变为to B兼具 to C的属性。分布式面对消费端市场，市场前景广阔。
由于P型单晶硅PERC电池理论转换效率极限为24.5%，导致P型PERC单晶电池效率很难再有大幅度的提升，而N型具有转化效率高、光致衰减低、温度系数低等优势，有望接棒P型成为下一代电池技术主流。

而一道新能N型电池因为采用了N型硅片，硅基片内不会产生B-O复合体，没有光致衰减问题，可以实现零LID。
2.更低功率衰减传统的P型单晶硅会存在光致衰减效应(LID)，在光照下，P型硅片内的硼(B)等杂质会和氧发生反应，生成B-O复合体，导致P型电池和组件的功率在初始运行的前几个月内大幅下降，高达2.0%

TOPCon 电池与无氧化硅钝化电池 I-V 对比上图电池Ref(a)( b)是无氧化硅钝化的电池，其中电池b比电池a增加了背表面重掺杂的n + -poly-Si层，而TOPCon
电池结构 5.1 因其特殊的能带结构，超薄氧化层可允许多子隧穿而阻挡少子透过，在其上沉积一层金属作为电极就实现了无需开孔的钝化接触结构; 5.2 无需激光开孔，采用N型硅片无光致衰减

IEC 63342 晶硅光伏组件的高温辅助光致衰减(LETID)测试(项目组长Max Kntopp) 目前草案处于DTS准备阶段高温辅助光致衰减(LETID)是导致晶硅光伏电池及PERC组件衰减的一种重要机制
Mike Kempe) IEC 61853-2/AMD1* 光谱响应、不同入射角响应及组件额定工作温度测试 (项目组长：Werner Hermann) IEC 63342 晶硅光伏组件的高温辅助光致衰减

IEC 63342晶硅光伏(PV)组件的高温辅助光致衰减(LETID)测试(项目组长Max Kntopp) 目前草案处于CD准备阶段，即将提交高温辅助光致衰减(LETID)是导致多晶硅光伏电池及PERC
Zen Villanueva认为对于光谱适配，使用等级A的光谱适配并不意味光谱失配影响一定小于等级B或等级C，但是会给测试实验室带来50-100万美元的额外投资负担。

同时，产品零光衰，无应力，没有B-O效应引起的LID以及采用TCO膜抗PID最佳，保证长时间的耐久性和收益率。
航天光伏技术总监沈禛珏表示：MILKYWAYPLUS+异质结新产品电池相较于其他电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片

➢ N型硅片掺磷，没有P型硅片的硼氧对、铁硼对等复合中心，光致衰减很小; ➢ N型硅片少子为空穴，空穴比电子更难被俘获而复合，对金属杂质不敏感; ➢ HIT表面TCO膜为导电体，电荷不会在电池表面聚集
PECVD：主要是TMB、B2H6、PH3等气体，非常成熟，成本占比可以忽略。 PVD/RPD：氩气、靶材。先导、映日、壹纳等国内厂商已经突破，价格大幅低于海外厂商，未来需求放量，价格还有下降空间。

N型硅片掺杂物质为磷，硼含量极低，因此由硼氧对(B-O)导致的光衰(LID)基本可以忽略，可提升电池片使用寿命和长期发电量。
基本无光衰且可薄片化：目前在产的异质结电池基本均为N型硅片衬底，因此也具备N型硅片相对于目前主流P型硅片的固有优势，如无光致衰减(LID)和可薄片化(异质结结构本身亦对可薄片化有所贡献)。

常州天合的刘依依等单晶硅中掺杂有Ga、B、Ge三种元素，降低硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减;同时提高了电池片的机械强度。
铸锭工艺发展的主要趋势是提升最终电池的转换效率和降低生产制造成本，在未来的发展中主要是以下几个方向： a)在高效半熔工艺基础上加大对籽晶的保护，努力做到籽晶保留面积达到100%，提高整锭电池效率0.1%左右; b)

更优的弱光效应由于N型基体材料高的少子寿命;选用掺磷的N型硅材料形成的电池则没有光致衰减效应的存在。因此，N型晶体硅电池的效率不会随着光照时间的加长而逐渐衰减。N型电池前表面没有任何电极的遮挡。
在类似中东这种高温地区，尤其要重视组件的抗LeTID(光热衰减)性能，而N型双面组件由于：1)采用N型硅，没有P型硅中B-O缺陷复合，具有高少子寿命，受LeTID衰减影响较p型硅小;2)N型双面组件可以让部分近红外光透过

N型硅片内部没有B-O复合对，光致衰减较P型硅片大幅改善【2】，且其少子为带正点的空穴，一些常见的金属离子例如Fe+，Cu+，Ni+对其体寿命的影响较小，N型硅片的少子寿命往往高于P型硅片。
【9】反应产物B与B2O3对石英器件的腐蚀严重，在恒温区外快速冷却凝固，易造成尾管堵塞，引起常压扩散石英炉门与石英炉管的粘连，维护成本高。

简单来说，P型单晶由于硼氧复合体的原因，头2-3个月会出现光致衰减达到峰值，即初始光衰(LID)现象。 LID问题，众多提供解决方法的光伏企业中，来自隆基的声音最大。
具体思路表现为，在200~350C的加热条件下使用高强度激光照射单晶电池，使户外曝晒下缓慢发生的再生过程在几秒钟内完成，B-O等缺陷被钝化，从而解决PERC技术带来的更高光衰问题，处理后的单晶PERC电池光衰明显低于没有经过再生处理的常规单晶电池

图片来源：PI Berlin 光致衰减(LID)：光致衰减广为人知、也是人们了解最多的衰减形式。这种衰减基于硼氧化合物形成的基础之上。可以通过表一列举的几种措施部分消除这种现象。
3a和3b为不同部位的测试示例, 顶部是mc-Si PERC组件，底部是Cz-Si组件，如图所示，出现了严重衰减。