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，组件转换效率高达23%，具有低隐裂风险、低工作温度、低光致衰减、高转换效率、高双面率、高弱光发电等特点，已在客户端收获广泛好评。此外，一道新能自主研发的轻质叠瓦组件也在本次展会中大放异彩。该组件采用耐
，一道新能德国子公司、一道新能澳洲子公司陆续建立。未来，一道新能也将继续加速推进拉美、日本、东南亚、中东等光伏市场的整体布局，在全球双碳的目标之下抓住发展机遇，为地球的可持续发展贡献一道力量。本届展会将持续至当地时间8月31日，欢迎大家莅临圣保罗北方会展中心一道新能B2 10展台参观交流。

)，占我国新增光伏装机量约 53.4%，历史上首次突破50%。其中，户用光伏新增装机量 21.6GW,占我国新增装机量的 39.4%。由此，光伏产品的终端已从过去的to B属性转变为to B兼具
高、光致衰减低、温度系数低等优势，有望接棒P型成为下一代电池技术主流。进入2022年，光伏电池片的技术迭代正式迎来了新的时代，TOPCon、HJT、IBC等转换效率更高的电池技术将从实验室迈向产业链，在

了无需开孔的钝化接触结构; 5.2 无需激光开孔，采用N型硅片无光致衰减，兼容中高温烧结; 5.3 主要提升的钝化是背面钝化，背面采用1-2nm的高质量SiOx层结合掺杂非晶硅进行高温晶化退火从而
填充因子;8. TOPCon 电池与无氧化硅钝化电池 I-V 对比上图电池Ref(a)( b)是无氧化硅钝化的电池，其中电池b比电池a增加了背表面重掺杂的n

) IEC 63342 晶硅光伏组件的高温辅助光致衰减(LETID)测试(项目组长Max Kntopp)【鉴衡参编】 IEC 62759-1 光伏组件-包装运输测试第1部分组件包装单元的物流与运输
为功能性要求，并将增加相应示意图在条目5中阐明绝缘距离DTI的概念以及相关材料的测试要求以及附录B内容明确各项术语定义及测试要求，并允许新颖的组件型式设计(如减小电池片间隙)，具体修改内容仍在进一步讨论

(PV)器件的等效电池温度(ECT) IEC 60891 光伏器件 I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 IEC 63342晶硅光伏(PV)组件的高温辅助光致衰减(LETID)测试 IEC
T1的偏差值从5s改为3.12s; 依旧需要讨论的问题：是否需要删除ClassIII组件的几个测试; 超大组件是否启用新的附录; 关于B序列中紫外老化测试时两块组件是否可以并联并行

(PV)组件的高温辅助光致衰减(LETID)测试：检测 (项目组长：Max B. Koentopp / Christos Monokroussos) 目前草案处于CD阶段。高温辅助光致衰减
光伏器件第5部分：用开路电压法确定光伏(PV)器件的等效电池温度(ECT) IEC 63109 通过电致发光成像定量分析测量的二极管理想因子IEC 63342晶硅光伏(PV)组件的高温辅助光致衰减

了在极冷和极热地区也能有稳定的收益率。同时，产品零光衰，无应力，没有B-O效应引起的LID以及采用TCO膜抗PID最佳，保证长时间的耐久性和收益率。近日，东方日升的半年财报显示，报告期内，公司
效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势，成为后PERC时代最可能的替代者。目前各大企业的异质结投产比例在逐年上升，预计在2021年

，光致衰减很小; ➢ N型硅片少子为空穴，空穴比电子更难被俘获而复合，对金属杂质不敏感; ➢ HIT表面TCO膜为导电体，电荷不会在电池表面聚集，无电位诱导衰减; 松下25年的户外实证数据显示HIT25
是TMB、B2H6、PH3等气体，非常成熟，成本占比可以忽略。 PVD/RPD：氩气、靶材。先导、映日、壹纳等国内厂商已经突破，价格大幅低于海外厂商，未来需求放量，价格还有下降空间。靶材核心成分是氧化铟

电池的光衰有效控制。研究人员也发现光致衰减实际上是载流子(Carrier)引起的光衰，LID也就可以称之为CID，高剂量光照或高电流注入均可以加速再生过程，生产出B-O光衰基本被消除的PERC电池
本文参考相关文件，分析认为： 1) P型PERC电池的光衰明显高于常规BSF电池，因此需要进行再生处理; 2)单晶PERC电池的光衰以B-O光衰为主，原理上可通过光注入、电注入及掺Ga来解决

异质结电池基本均为N型硅片衬底，因此也具备N型硅片相对于目前主流P型硅片的固有优势，如无光致衰减(LID)和可薄片化(异质结结构本身亦对可薄片化有所贡献)。N型硅片掺杂物质为磷，硼含量极低，因此由硼氧
对(B-O)导致的光衰(LID)基本可以忽略，可提升电池片使用寿命和长期发电量。同时，可薄片化意味着同片数的电池对应更少的硅用量，有助于在硅成本方面形成比较优势。多方面优势带动产业化热情：出于

侯炜强过改进铸锭炉的结构和对工艺优化，形成的准单晶技术，促进了铸锭工艺的进步。常州天合的刘依依等单晶硅中掺杂有Ga、B、Ge三种元素，降低硼氧复合体的产生，从而降低了电池的光致衰减;同时提高了电池片的
，努力做到籽晶保留面积达到100%，提高整锭电池效率0.1%左右; b)通过共掺杂技术，解决多晶电池的光衰问题，为提升电池效率的PERC工艺奠定基础; c)铸造更大尺寸的多晶硅锭也是未来发展的方向，G8

N型基体材料高的少子寿命;选用掺磷的N型硅材料形成的电池则没有光致衰减效应的存在。因此，N型晶体硅电池的效率不会随着光照时间的加长而逐渐衰减。N型电池前表面没有任何电极的遮挡。电极和硅片是采用定点
这种高温地区，尤其要重视组件的抗LeTID(光热衰减)性能，而N型双面组件由于：1)采用N型硅，没有P型硅中B-O缺陷复合，具有高少子寿命，受LeTID衰减影响较p型硅小;2)N型双面组件可以让部分近

问题【1】也是p-PERC电池发展无法避免的障碍，因此国内光伏行业对各种更高效率前景以及无光衰的高效N型电池的关注程度，研发投入不断增加，N型电池的市场份额也有一定的增长。 N型硅片内部没有B
-O复合对，光致衰减较P型硅片大幅改善【2】，且其少子为带正点的空穴，一些常见的金属离子例如Fe+，Cu+，Ni+对其体寿命的影响较小，N型硅片的少子寿命往往高于P型硅片。另外，N型电池组件还具有弱光响应好

加大了行业对组件LID现象的争议。简单来说，P型单晶由于硼氧复合体的原因，头2-3个月会出现光致衰减达到峰值，即初始光衰(LID)现象。 LID问题，众多提供解决方法的光伏企业中，来自隆基的声音
200~350C的加热条件下使用高强度激光照射单晶电池，使户外曝晒下缓慢发生的再生过程在几秒钟内完成，B-O等缺陷被钝化，从而解决PERC技术带来的更高光衰问题，处理后的单晶PERC电池光衰明显低于

在参观展会或拜访业内厂家时，我们常常会发现，那么多有责任心的PERC生产技术人员竟从未听说过PERC组件可能会出现严重衰减，尤其是热辅助光致衰减(以下简称LeTID，又名电致衰减，简称CID)，这
太阳电池的主导衰减机制在参观展会或拜访业内厂家时，我们常常会发现，那么多有责任心的PERC生产科学工作者竟从未听说过PERC设备可能会出现严重衰减，尤其是热辅助光致衰减(以下简称LeTID，又名电

PERC电池的光衰有效控制。研究人员也发现光致衰减实际上是载流子(Carrier)引起的光衰，LID也就可以称之为CID，高剂量光照或高电流注入均可以加速再生过程，生产出B-O光衰基本被消除的PERC
1.晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出