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性能参数测量，然后开始初始光致衰减实验( 光照强度1000 W/m2，时间6 h);完成光致衰减后，测试各片电性能参数，与光致衰减前进行计算，得到初始光致衰减值=( 光衰前转换效率光致衰减后转
太阳电池基体和表面对光生载流子的复合程度，表明了光生载流子的利用率。少子寿命直接影响太阳电池的开路电压、短路电流等电性能参数;若要提高太阳电池的转换效率，必须尽可能提高少子寿命。测试不同电阻率的掺镓硅片

弱光发电能力提高又可带来： A. 低光强时组件相对转换效率提高 B. PERC组件对近红外光转换效率更高本文会结合小系统与模拟做一些细节讨论。尤其需要注意的是，组件的衰减对发电的结果有很大的
影响，不同企业在PERC组件的光衰控制水平上有所不同，因此实证结果宜结合组件衰减情况一起考虑。初始光衰控制不好的产品在单Wp发电能力上甚至会低于常规组件。二单块组件的发电实证使用IV多通道

提高又有 a)低光强时组件相对转换效率提高与 b)PERC组件对近红外光转换效率更高两层原因。如以下韩华公司的宣传的示意图，单晶PERC组件更高的功率与更好的发电能力会使其全天的功率输出曲线与
反映不同组件的发电能力。本文会结合小系统与模拟做一些细节讨论。尤其需要注意的是，组件的衰减对发电的结果有很大的影响，不同企业在PERC组件的光衰控制水平上有所不同，因此实证结果宜结合组件衰减情况一起

，实现了双面受光、双面发电，背面功率与正面功率相比不低于75%，产品背面可带来最高25%的发电量增益。Hi-MO2首年光衰可低于2%，平均年衰减低于0.45%，均优于常规组件。此外，2017年11月
直拉法硅片，集成正反面钝化及反光衰等先进的工业钝化发射极触点电池技术。在多晶PERC上，2015年11月，天合光能大面积P型多晶硅PERC太阳电池光电转换率达到21.25%，创造了新的世界纪录

摘要：随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高，其光衰也随之提高，成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈。本文介绍了近年来对掺硼晶硅太阳电池的光衰减问题及衰减机制，指出硼与间隙氧的存在是引起掺硼晶硅太阳电池光照
恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅

，也有可能是电池生产工艺的问题。对电池生产线上出现的黑斑片与正常片做光衰实验对比，发现两组电池的衰减基本都在允许范围内，说明黑斑片的产生与硅片材料质量无关。通常硅片中容易出现黑芯片，黑芯片呈现圈形
太阳电池片及组件存在的隐性缺陷。由于电池片中有缺陷区域没有发出红外光，故在EL图像中呈现黑斑。 3 结果与讨论 3.1EL黑斑通过EL测试，我们选出效率为19.15%和19.37%两个档位的黑斑片

高效的新型晶体硅太阳电池。其主要优势有：1) 采用低温技术，整个烧结工艺可在200 ℃左右完成，减少能耗，降低成本;2) 光电转换效率高;3) 稳定性好，没有形成B-O复合体而导致的光衰效应
结产生的光生电子会朝着电池正面电极运动，空穴朝着背电极运动。如果电子运动到正面电极之前未被缺陷或杂质复合就会被电极收集，进而形成电流流至外电路。因此，这对浆料的要求较高，如形成良好的欧姆接触、低的

工艺的问题。对电池生产线上出现的黑斑片与正常片做光衰实验对比，发现两组电池的衰减基本都在允许范围内，说明黑斑片的产生与硅片材料质量无关。通常硅片中容易出现“黑芯片”，“黑芯片”呈现圈形年轮状，其
太阳电池片及组件存在的隐性缺陷。由于电池片中有缺陷区域没有发出红外光，故在EL图像中呈现“黑斑”。结果与讨论 EL黑斑通过EL测试，我们选出效率为19.15%和19.37%两个档位的黑斑片

，也有可能是电池生产工艺的问题。对电池生产线上出现的黑斑片与正常片做光衰实验对比，发现两组电池的衰减基本都在允许范围内，说明黑斑片的产生与硅片材料质量无关。通常硅片中容易出现黑芯片，黑芯片呈现圈形
太阳电池片及组件存在的隐性缺陷。由于电池片中有缺陷区域没有发出红外光，故在EL图像中呈现黑斑。 3 结果与讨论 3.1EL黑斑通过EL测试，我们选出效率为19.15%和19.37%两个档位的

初始都有光致衰减现象，但不同批次功率衰减幅度差异较大，1%～3.7%都有，因此改善初始光致衰减现象显得非常必要。通过以上分析可知，组件初始光衰幅度主要取决于电池光致衰减，电池光致衰减则由硅片的硼
内部串联的电池片产生电流失配，由此I-V曲线出现台阶。在组件生产的质量检验过程中，对组件I-V曲线出现台阶的问题组件进行统计研究，也进一步验证了组件的初始光致功率衰减是导致I-V曲线异常的内在原因