DSC的原料相对低廉且广泛，制作工艺简单，工序少，且不需要大型设备，成本核算仅为硅太阳电池的1/5-1/10。具有很好的发展前景。
2刻槽埋栅电池
刻槽埋栅电池是由澳大利亚新南威尔士大学StuartR.Wenham等人在1988年最早研制成功的。刻槽埋栅电池的最大特点是采用激光刻槽，然后二次扩散重刻槽区，使之形成选择性发射极，然后在采用化学镀和电镀的方法制备前电极。
刻槽埋栅电池的优点在于：1、采用沟槽制备前电极，可以吧前电极栅线做得很细，从而减少了阴影阻挡;2、采用选择性发射极，重扩的接触区域减少了接触电阻，提高电池的填充因子;3、采用蒸镀、化学镀、电镀制备金属电极，可以获得致密的电极材料，从而减小了电极的电阻率。但是从产业化的角度来看，刻槽埋栅电池还有一些技术问题需要解决。首先制备电极的时间较长，工艺稳定性不好，还需要开发研制多光束激光开槽设备以提高产业化效率等。
刻槽埋栅电池的改良是亟需解决的，目前刻槽埋栅电池主要有简化刻槽埋栅电池、混合结构刻槽埋栅电池、双面刻槽埋栅电池。
(1为混合结构刻槽埋栅电池，2为双面刻槽埋栅电池，3为简化刻槽埋栅电池)
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