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光速来袭！全面解读！鉴衡认证为您带来IEC TC82 WG2 2021年春季会议一手信息！

来源：索比光伏发布时间：2021-04-24 08:32:23

月在布伦瑞克WG2会议上提议把RSML加入到IEC 61215 ED2系列中到2020.4月纽尔卡斯会议上决定把RSML在FDIS前移除，再到2021.1针对对薄膜组件技术(CdTe，a-Si

异质结电池机理研究取得重大突破！科学家发现非晶硅接触层的损耗机制，有望大幅提升异质结电池效率

来源：索比光伏发布时间：2021-03-24 09:11:09

/千瓦时的价格发电。当今最高效的硅太阳能电池核心部分是小于10纳米的选择性非晶硅(a-Si:H)接触层，这些接触层负责分离光产生的电荷。HZB使用这种硅异质结太阳能电池可实现24%以上的效率，做成
串联太阳能电池后，最新报告的效率记录为29.15%。这种异质接触系统具有相当大的潜力，然而，科学家现在还不清楚这接触层如何实现电荷载流子分离，以及它们的纳米级损耗机制是什么。 a-Si:H接触层的特点是

硅太阳能电池异质结电池

PERC、HIT、TOPCon等高效电池量产工艺比较及经济性分析

来源：索比光伏发布时间：2021-03-18 08:41:32

交叉排列，本征非晶硅薄膜(i:a-Si)作为双面钝化层，具有优异的钝化效果。双/多结叠层电池(Tandem / Multi-junction)：将带隙不同的两个或多个子电池按

TOPCon PERC HJT

伟大的变化——光伏行业的能级跃迁

来源：索比光伏发布时间：2021-02-18 08:57:36

，硅料价格如坠机一般从200美元/kg跌到20美元/kg。晶体硅路线的成本降速远超薄膜路线，硅料价格的雪崩导致a-Si、镝化镉等太阳能薄膜电池路线的退出，奠定了晶体硅的主流地位。从应用材料到正泰

光伏发电光伏技术革新

异质结电池技术：下一代光伏电池方向

来源：索比光伏发布时间：2020-09-28 10:57:04

电池产能接近3GW，但主要参与方当前的规划产能已经超过16GW，具有长期投资价值。异质结电池全称为本征，同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的

异质结电池技术薄膜异质结电池

光伏行业深度研究之异质结电池专题报告

来源：索比光伏发布时间：2020-07-01 08:50:53

制备 a-Si:H 薄膜的三个重要优点。加之 PECVD 的低温工艺使得对制备薄膜时衬底要求不高，大大扩大了该方法的使用范围。日本松下采用 HWCVD 法沉积非晶硅薄膜。HWCVD 以加热的

HJT 异质结太阳能电池

光伏迎扩建潮设备需求旺盛

来源：索比光伏发布时间：2020-05-20 14:58:49

三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT或SHJ。HIT电池同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的(背面的高低结亦然

组件产能东方日升自531

HJT电池光致衰减(增益)的研究

来源：索比光伏发布时间：2020-04-21 08:47:33

，均表现为光致增益，而非光致衰减。研究了焊接过程中光+热对HJT电池的影响，发现同样有光致增益的表现，且对其进行LID与LeTID测试，仍然表现为增益。东方日升研究认为，一方面是由于a-si:H

HJT 太阳能电池光伏技术

细数光伏行业的“跳跃间断点”

来源：索比光伏发布时间：2020-04-07 08:41:51

上升通道。在过去十年的行业发展过程中出现过两次跳跃间断点。第一次是2009-2010年冷氢化西门子法制硅料，硅料价格的雪崩导致a-si、CIGS和镝化镉等等薄膜路线的退出(first solar

光伏技术光伏企业光伏行业

伟大的变化—光伏行业的“跳跃间断点”

来源：索比光伏发布时间：2020-04-06 09:18:59

摩尔定律硅料硅片光伏市场

2.57%反倾销率英利、阿特斯等台湾产光伏产品最终裁定！

来源：索比光伏发布时间：2020-03-25 08:28:57

不包括由非晶硅(a-Si)，碲化镉(CdTe)或硒化铜铟镓(CIGS)生产的薄膜光伏产品;不包括表面积不超过10,000mm 2的晶体硅光伏电池，它们永久集成到非发电功能的消费品中，并且会消耗集成晶体硅

光伏电池光伏关税美国光伏市场

光伏政策要变？来自USTR官方报告中的光伏关税总结

来源：索比光伏发布时间：2020-02-12 09:29:04

实施关税配额，为期四年，配额不变，每年不超过2.5吉瓦的太阳能电池进口量被分配在所有国家中，除了那些被特别排除在外的国家。 201保障不包括以下产品： (1) 非晶硅(a-Si)、碲化镉(CdTe

光伏关税多晶硅美国光伏市场

【中银电新】HJT：有望开启光伏新一轮技术革命（光伏异质结电池系列报告之一）

来源：索比光伏发布时间：2020-02-04 16:41:38

a-Si:H薄膜和P型掺杂a-Si:H薄膜以形成p-n异质结，在硅片背面依次沉积厚度为5-10nm的本征a-Si:H薄膜和N型掺杂a-Si:H薄膜形成背表面场，在掺杂a-Si:H薄膜的两侧再沉积透明导电

异质结电池光伏技术

HJT设备有哪些革新空间多大？

来源：索比光伏发布时间：2020-02-04 14:31:11

平行化、PECVD和PVD的单个承载工艺、在线工艺和通过合理系统设计缩短工艺周期。例如，在INDEPtec的技术里，单个空腔承载允许硅片处在同一个承载上，前表面和背面a-Si:H可以同时进行沉积，即

太阳能电池 HJT 光伏设备

世界光伏发展史

来源：索比光伏发布时间：2020-01-20 15:34:34

的工作基础上制成世界上第一个非晶硅(a-Si)太阳能电池。 1979年世界太阳能电池安装总量达到1MW。 1980年ARCO太阳能公司是世界上第一个年产量达到1MW光伏电池生产厂家;三洋电气公司

光伏发展简史爱因斯坦光电效应

涨疯了！HIT凭啥被称为“下一代商业光伏生产候选技术”？

来源：索比光伏发布时间：2020-01-10 14:57:55

a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。图表1：HIT太阳能电池结构

HIT 光伏技术

异质结技术:通往高效组件大规模生产之路

来源：索比光伏发布时间：2019-12-30 10:40:57

背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术，因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过，依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
征和掺杂的a-Si:H层。厚度只有几纳米的超薄本征a-Si:H层对SHJ电池的性能有着至关重要的影响。这些层的作用是通过化学钝化c-Si硅片表面上的悬空键以形成Si-Si和Si-H键来抑制表面复合的

异质结高效组件 Hevel

特稿之行业标杆：晶科谋局

来源：索比光伏发布时间：2019-07-19 09:30:04

主流竞争方，那些市场份额有限、拥有制造业传统的公司制定的全球战略是从p型向n型的重大转变。这与十年前的a-Si / uc-Si和CIS / CIGS投资极为相似。当时，许多公司表示几乎没有(主要
是中国的)n型内部投资经验，它们几乎完全依赖设备供应商的专业知识。毫无疑问，与a-Si/uc-Si和 CIS/CIGS薄膜产品一样，n型电池可以大批量生产。但是，问题并不是能效潜力(如a-Si和

晶科组件供应商光伏企业

nTOPCon领跑双面技术时代

来源：索比光伏发布时间：2019-07-01 09:28:50

。 ▲图4. n+ Poly，p+ Poly和a-Si:H三者的钝化接触性能图4显示了n+ Poly，p+ Poly和a-Si:H三者的钝化接触性能。可以看出n+ Poly和a-Si:H的钝化

TOPCon 太阳能电池双面

INDEOtec新一代异质结电池研发设施获得设备认证

来源：索比光伏发布时间：2019-06-30 20:05:44

。 INDEOtec指出，两个项目的重要验收测试里程碑都比预计期限提前完成，超出了对内置和a-Si∶H掺杂层的预期值。弗劳恩霍夫太阳能系统研究所光伏生产技术部门负责人Jochen Rentsch表示

弗劳恩霍夫太阳能光伏

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