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综合
APSTL宣布在晶体硅衬底上取得进展(图)
来源:索比光伏
发布时间:2008-12-01 17:14:59
μm。 他说,TCSS晶圆可以降低硅晶圆基的PV制造设备投入,使之可以与最新的薄膜技术相媲美。薄膜PV方法需要廉价的沉积工具,可以沉积多晶硅,或者Cd-
Te
、CdS、CIS和CIGS
APSTL
晶体硅
光伏要闻
第十七届国际光伏科学与工程大会(PVSEC-17)
来源:索比光伏
发布时间:2007-12-05 11:22:36
公布各自的战略。尤其美国First Solar在Cd-
Te
型方面取得了快速增长这一内容不容错过。 第三天傍晚,美国应用材料将介绍使用第8代玻璃底板的双层构造薄膜硅太阳能电池的开发状况。强调
太阳能
光伏
多晶硅
电池
(一)发展碲化镉薄膜太阳电池的几个关键问题
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-14 22:23:01
0.06mg/GWh。 虽然实验表明碲化镉薄膜太阳能电池组件的使用是安全的,但是建立寿命末期电池组件和损毁组件的回收机制可以增强公众的信心。分离出的Cd、
Te
太阳能 光伏
光伏市场
太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-08 17:25:55
)。同样,增加氧偏压,减小源-衬底间距也能使电阻率降低。另一方面,反应室内氧偏压也能增加电导率,因为氧气与
Te
反应生成TeO2,而TeO2由泵系统从反应室中排除,这有利于生成富Cd层的CdTe
尼龙丝网将CdS浆印刷在玻璃衬底上并烘干。印刷好的CdS膜在N2气中680C下,烧结30min左右即可完成CdS薄膜的制备。接着在CdS薄膜上制备CdTe薄膜。类似于CdS薄膜,将相同重量的Cd和
Te
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