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。LED产业主要原辅料有衬底材料(高纯Al2O3、GaAs/蓝宝石/SiC衬底)、MO源、高纯气体、光刻胶、金/银线、荧光粉、封装胶、环氧树脂等。目前，本土企业几乎可生产全部原辅料产品，但在高端原辅料
工艺水平，争取尽快实现光纤预制棒的国产化。激光材料激光技术领域的发展，离不开性能优异的激光晶体材料及其元器件。虽然我国拥有丰富的用于制造激光晶体材料的稀土资源和基质晶体资源，但我国制造的大部分激光晶体技术含量

特别突出。采用新材料技术(如SiC等)的功率器件，由于其具有转换效率高、集成度高、温升小的特点，将会有很好的发展前景。另外由于锂电池等新型储能设备在电动汽车中的广泛应用，和电池监控系统配套的半导体厂商也
新技术？哪些技术有望促进新能源市场的良性发展？给相关的电子、半导体产品带来什么机会？ 2013年新能源技术有四大发展趋势：1)高效率，高可靠性的电能转换器件和模组逐渐成熟和市场化；2)结合传感技术

与此前已发起的对美、韩多晶硅产品的双反调查进行合并调查。此次双反调查主要是针对用于生产晶体硅光伏电池的太阳能级多晶硅，而用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。数据
环境评估机构（SEA）审核的太阳能发电项目装机量有1.29GW。绝大部分太阳能项目计划并入国家北部电网（SING），约有2.9GW。另外，有400MW的项目计划并入中央电网（SIC）。　　点评：SIC

迫切需要寻找新的途径。直到六十年代人们才发现等离子体可用于去除残留碳化物，并可成功地用于等离子体去胶工艺中，随后很快发展了半导体器件工艺中的干法刻蚀技术。2.干法刻蚀干法刻蚀是把材料的被刻蚀表面暴露于
上的，光刻胶与欲刻蚀材料两者会同时被刻蚀，因而刻蚀选择性偏低。而且被击出的物质并非挥发性物质，这些物质容易沉积在被刻蚀薄膜表面及侧壁上，因此采用完全物理方式的刻蚀方法在半导体器件制程制造过程中很少

孤岛效应"测试等各种新规范。在对硅基MOSFET等新材料的要求方面，SiC技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得MOSFET(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管
逆变器总效率的差值也将被考虑在内，即需要将逆变器的静态功率转换率考虑在内。图二：联网光伏逆变器的电子元器件"在检测所制定的标准时，静态和动态情况均应被考虑在内。"然而，很少有光伏逆变器的产品目录或是

关键技术研究。三是LED衬底材料及碳化硅晶体制备技术创新。重点开展碳化硅（SiC）原料提纯技术，3～4英寸及以上高质量SiC晶体生长技术，大尺寸蓝宝石晶体生长及产业化制备技术。研究规模化生产工艺流程，形成
煤电高纯氧化铝蓝宝石LED器件和煤电碳化硅碳化硅晶体LED器件产业链。　　《规划》特别指出要加强光伏产业人才队伍建设。充分发挥区内大学、研究院所和企业技术中心等现有研发力量，建立产学研用结合的人

、国家基金委等专项、重大科研项目，开展了2-4英寸SiC半绝缘、导电型晶体生长技术研究，建立了PVT晶体生长平台，开发了碳化硅晶片的精细加工、表征和器件研发成套技术。最后，上海硅酸盐研究所所长罗宏杰向
、能源等领域与国内外尖端企业密切合作，建立以产研论坛、互访参观为纽带的紧密沟通渠道，引导研究所体制、机制的转型，推动材料尽快走向器件。路甬祥副委员长强调，只有在文化上走在前头，才能在行动上走在

再生能源电力并网损耗降低50%，例如光伏逆变器。这将有待于利用基于碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）的创新半导体器件实现。　　这些新型半导体器件未来还可用于台式机和笔记本电脑
德国联邦教育与研究部（BMBF）资助，旨在开辟可再生能源电力高效利用的新途径。NEULAND代表具备高能效和成本效益、基于宽带隙化合物半导体的创新功率器件。该项目旨在系统成本不大幅提高的前提下，将可

。英飞凌科技(中国)有限公司家电及工业功率器件市场经理陈子颖特别强调提高太阳能发电系统的要点在于逆变器。尽管近年来太阳能电池制造企业一直致力于提高太阳能电池的光电转换效率，但是就2010年2月太阳能电池的
逆变器身上。"美国国家半导体亚太区核心市场业务发展总监张耀强指出，太阳能发电系统面对的最大挑战是优化逆变器性能。"　　功率器件决定逆变器高下而太阳能逆变器性能提高则更依赖于功率开关器件, 想获得高效的

没安全风险。　　并网逆变器需要在不降低功率等级的前提下，紧密匹配电网的相位和频率。在并网时，逆变器能够把负载用不了的电能回送至电网且无须借助体积庞大、成本高昂的能量存储器件。基于安全考虑，并网的
0.40美元/ kWh，并以10年寿命周期来计算，其所节省约为逆变器自身成本的一半，因此效率的重要性不言而喻。　　一旦输出功率确定了，则最高转换效率和最低功率器件损耗讲的就是一回事。考虑到光伏面板

　　本田技术研究所与罗姆共同开发出了电动汽车和混合动力车使用的高功率电源模块。其最大特点是仅由SiC器件构成。为全球首创。主要采用了罗姆的SiC元件技术和本田技术研究所的电源模块技术
技术研究所，还与日产汽车共同进行着SiC器件和逆变器的研究开发。在逆变器方面，最近日产汽车刚发布了只有二极管为SiC的逆变器。目前使用SiC的汽车电源系统的研究开发相当活跃。SiC器件的使用有助于实现高效、小型的电源系统。

：（１）低成本（２）导电（或绝缘，依结构设计而定）（３）热膨胀系数与硅匹配（４）非毒性（５）有一定机械强度比较合适的衬底材料为一些硅或铝的的化合物，如SiC，Si3N4
，SiO2，Si，Al2O3，SiAlON，Al等，从目前的文献看有以下一些衬底: （１）单晶硅（２）多晶硅（３）石墨包SiC （４）SiSiC （５）玻璃碳（６）SiO2膜

。太阳电池本来是晶体硅的应用领域，挑战者称，太阳电池虽然是高品位的光电子器件，但不一定要用昂贵的晶体半导体材料制造，廉价的非晶硅薄膜材料也可以胜任。1．2非晶硅太阳电池的理论与技术基础的确立无定形
材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的

采用吸杂、钝化、背场等技术。近年来吸杂工艺再度受到重视，包括三氯氧磷吸杂及铝吸杂工艺。吸杂工艺也在微电子器件工艺中得到应用，可见其对纯度达到一定水平的单晶硅硅片也有作用，但其所用的条件未必
kaneka公司采用PECVD技术在550℃以下和玻璃衬底上制备出具有pin结构的多晶硅薄膜电池，电池总厚度约2尸m，效率达到10％；德国Fraunhofer太阳能研究所使用SiO2和siN包覆陶瓷或sic