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雨后春笋般在参展商的新产品阵营中出现。据了解,目前保利协鑫高效单晶N型、P型硅片，英利单晶双玻350WSeries，阿特斯DymondCS6X-335M-FG，中盛单晶SmartFlex组件、单晶
既奠定了基础，也引发了新问题。据了解，截至2016年第一季度末，我国累计光伏发电装机容量达到5031万千瓦。巨大的装机需求带动产业化生产的多晶硅电池转换效率提升至18.5%;单晶硅电池转换效率提升

出局。对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷，能够起到良好的场钝化效果，使用
钝化效果的是AlOx/SiNx钝化薄膜，一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高，能够提供较强的场钝化能力；另一方面，在高温烧结过程中，AlOx与P型硅基片界面能够形成一层1~2nm厚的SiOx层

钙钛矿太阳能电池结构以后，发现P-i-N反式平面结构电池更容易消除迟滞效应。同时，通过实施界面工程，以稳定、高导电、能带调控的重掺杂型无机界面材料在电极附近分别抽取电子和空穴，并在大面积范围内控制消除界面
2013年被science评为十大科技进展之一。钙钛矿太阳能电池仅仅花了6年时间其光电效率便达到了22.1%，与商业化多年的硅基电池、多晶硅电池、CIGS、CdTe等化合物薄膜电池相当。但是，钙钛矿电池

几种最常见的钙钛矿太阳能电池结构以后，发现P-i-N反式平面结构电池更容易消除迟滞效应。同时，通过实施界面工程，以稳定、高导电、能带调控的重掺杂型无机界面材料在电极附近分别抽取电子和空穴，并在大面积
次被报道，在2013年被science评为十大科技进展之一。钙钛矿太阳能电池仅仅花了6年时间其光电效率便达到了22.1%，与商业化多年的硅基电池、多晶硅电池、CIGS、CdTe等化合物薄膜电池相当

晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的
衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来，随着单晶降氧工艺技术的进步，单晶中的氧含量大幅降低，低氧单晶的衰减优于多晶。如下图4所示，低氧单晶组件平均光衰低于普通

中，少子的扩散长度远远大于势垒宽度，因此电子和空穴通过势垒区时因复合而消失的几率很小，继续向扩散区扩散。在正向偏压下，p-n结势垒区和扩散区注入了少数载流子。这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而
受到高温后出现膨胀造成隐裂现象。（2）成像特点：由于单晶硅的解离面具有一定的规则，通过EL成像图可以清晰地看到单晶硅电池片的隐裂纹呈现x状图形；多晶硅电池片由于晶界的影响有时很难区分是多晶硅的晶界还是

提高占多晶硅电池0.5至0.9%年度平均电池效率提高的50%左右。仍无需改变p型多晶硅生产当我们着眼于2016年SMSL内部电池技术时，画面与今年看到的类似，唯一真正的变化是一组选定的SMSL进行
组件额定功率的强劲提升。几年前，对于60片六英寸p型多晶硅电池，组装为组件的标准是标准额定功率为235W左右。快进到2015年，这一标准提高到260-265W，对于工艺流程配置没有大的改变。由于更好的