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前言：德国哈梅林太阳能研究所(ISFH)与汉诺威大学日前宣布研制出了效率达到26.1%的太阳能电池，结果经过ISFH检测中心的认证。ISFH称这是目前世界上效率最高的p型硅太阳能电池，也是欧洲目前
26.1%效率的电池采用了FZ法的p型单晶硅片，电池面积4cm2，开路电压726.6mV，短路电流密度42.6 mA/cm2，填充因子84.3%。 ISFH的Rolf Brendel教授表示，我们的

不低于19%和21%。此前工信部发布的2017年我国光伏产业运行情况显示，P型单晶及多晶电池技术持续改进，常规产线平均转换效率分别达到20.5%和18.8%，采用钝化发射极背面接触技术(PERC
3月1日，工信部印发《光伏制造行业规范条件(2018年本)》，强调严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。在新建和改扩建企业及项目产品应满足的条件中，要求多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别

太阳电池主要包括以下六种。 2.1钝化发射极背场点接触(PERC)电池家族新南威尔士大学(UNSW)MartinGreen领导的小组提出PERC结构的单晶硅太阳电池，在P型FZ硅片上实现了
制备金属接触区，从而形成PERT电池，其结构如图2c所示。它可以实现高电导和低背表面复合速率，改善了开路电压和填充因子，在4cm2的P型MCZ硅片上取得24.5%的高效率。而PERC太阳电池结构如图

在补贴逐步下滑的倒逼之下，近年来光伏发电技术获得了长足的进步。从最直观的发电效率来说，光伏电池效率在近年来节节攀高，P型单晶电池世界纪录已经接近于24%，多晶电池世界纪录已经超过22%。从
完成了产线升级，而没有跟上脚步的厂商或面临被淘汰的困境。近日即将退市的台湾太阳能硅晶圆厂绿能科技就曾表示，目前台湾电池厂客户多专注于生产单晶硅电池，这导致多晶硅片失去了内需市场。事实上多晶硅并非

转换效率超过25%的单晶硅太阳电池主要包括以下六种。 2.1 钝化发射极背场点接触(PERC)电池家族新南威尔士大学(UNSW)Martin Green领导的小组提出PERC结构的单晶硅太阳电池，在P型
先采用轻硼掺杂，而后再采用定域重硼掺杂制备金属接触区，从而形成PERT电池，其结构如图2c所示。它可以实现高电导和低背表面复合速率，改善了开路电压和填充因子，在4cm2的P型MCZ硅片上取得24.5

很快发现，哪怕使系统端多发5%的电量，在当时的成本下，都能显著的降低度电成本。双面的方案迅速被设计院及业主采用。P型双面和N型双面同时站上了高效竞争的舞台。这一逻辑可从5.31政策制定后的紊乱
市场。随着金刚线切割的进入，降低了硅片成本，同时PERC电池结构的引入，高效单晶和传统多晶的转换效率进一步拉大，使单晶具备了与之前多晶性价比媲美的竞争性。N型双面制造厂商迫于成本压力，寻找产品优势和亮点

)上海浦东机场分布式光伏项目该项目由浙江优太新能源有限公司投资，南京羲和太阳能电力有限公司建设。项目主要位于浦东机场P1、P2停车库屋顶，总容量为1.7MW，占用面积约1.5万m2，采用太阳能和
采光顶铺装面积：约7000 m 装机容量：240 kWp 年发电量：223.6 MWh 银川火车站光伏应用：风雨棚一体化电池类型：单晶硅电池 建成时间：2011年12月

更高。目前，PERC技术成为P型电池效率继续提升的主要方法，但PERC技术应用在多晶及单晶电池片上的效率表现有所差异。单晶电池产线在导入PERC技术后，可使转换效率绝对值提升1%以上，即单晶
电池记录的保持者，创造了多项世界纪录。在单晶PERC上，2014年，天合光能凭借其大面积P型单晶PERC太阳电池21.40%的效率创造世界纪录，并在一年后以22.13%的转换率刷新该记录。2016

，从而降低少数载流子浓度。背钝化材料在钝化膜材料的选择上。氧化铝(Al2O3)由于具备较高的电荷密度，可以对P型表面提供良好的钝化，目前被广泛应用于PERC电池量产的背面钝化材料。除氧化铝外
的光学损失; (2)高质量的背面钝化，这使得PERC电池的开路电压(Voc)和短路电流(Isc)较之常规电池邮大幅提升，从而电池转化效率更高。目前，PERC技术成为P型电池效率继续提升的主要方法

衰减的主要因素，并对如何减小或避免光衰减的改善措施进行了分析。晶体硅太阳电池是最重要的光伏器件，近年来一直是硅材料研究界和光伏产业界的重点关注领域。众所周知，常规的晶体硅太阳电池都是基于P型掺硼硅
晶体硅太阳电池材料和器件方向的研究热点之一。本文着重阐述了现有的P型晶体硅太阳电池光衰减的机理与抑制(或消除)光衰减的措施。 1 衰减机理 Fischer和Pschunder在1973年发现了掺

受益于氧化铝钝化硅表面技术的革新，最近钝化发射极和背表面电池(PERC: Passivated Emitter and Rear Cell)概念在硅光伏工业领域显示出了复苏迹象，并推动了P型太阳能
实现采用P型提拉法硅片太阳能电池的大规模生产，平均效率超过20.5%。不仅如此，实验结果还显示，同样的技术应用在基于种晶定向凝固法制备得到的高质量多晶硅(多晶硅)片的太阳能电池上，并结合陷光技术后，其

构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT
太阳能电池。图表：HIT太阳能电池结构示意图资料来源：OFweek行业研究中心在电池正表面，由于能带弯曲，阻挡了电子向正面的移动，空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅