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摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
实验采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法

，单晶电池扩产以单晶PERC为主。 2017年底全球单晶PERC电池产能超30GW，根据现有扩产计划估算，预计2018年底将达到60GW。上游产能跟进将进一步推动单晶硅片、高效组件降价，使用高效组件的
电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。 HIT目前最大的障碍来自于关键设备为实现国产化，但中国制造2025扶持的就是中国装备制造业，可见的短期未来在装备制造领域我们必将持续的、深入的不断获得更了不起

领跑者计划的带动下，各种先进技术开始竞相进行技术创新与升级，PERC、黑硅、MWT、N型双面、异质结等技术呈现百花齐放的局面。在这些先进技术之中，性价比极高的PERC技术脱颖而出，正在逐渐成为领跑者基地
最多。可见，大多数多晶组件刚满足领跑者效率指标，而单晶组件中超越领跑者效率的比例相对更多。从组件技术路线看，2015大同领跑者基地采用了包括PERC、黑硅、N型双面等多种技术路线的新型组件，如图3

全国单体较大的光伏发电扶贫项目之一。山西省晋能光伏技术有限责任公司晋中2000兆瓦异质结高效单晶电池和组件项目集团晋中2000兆瓦异质结晶硅高效电池及组件项目，采用了国际上最前沿的n型单晶硅

p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷过程中
NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为190±10μm，电阻率为2±0.5Ω·cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法单面

尚有630支撑，630过后则只剩PERC、N型组件有较强的领跑者订单需求，届时常规单晶组件价格可能也将明显开始受影响。由于第三季寒冬已在眼前，已经陆续传出一线组件厂取消外包订单、二线厂开始下调组件
本周硅料市场只有小量订单签订，买方多维持观望，而部分硅料大厂也还在坚持。但受到多晶硅片企业大幅下修开工率影响，有成交的菜花料订单已全面低于每公斤100元人民币。另一方面，由于单晶硅片的需求、价格还

摘要：p型单晶硅太阳电池在el检测过程中，部分电池片出现黑斑现象。结合x射线能谱分析(eds)，对黑斑片与正常片进行对比分析，发现黑斑片电池与正常电池片大部分表面的成分相同，排除了镀膜及丝网印刷
实验采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理，硅片的厚度为19010m，电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散，等离子增强化学气相沉积(PECVD)法

瓦0.23元美金以上。N型电池片也因为领跑者得标量优于预期，而使得近期订单热度高。不同于单晶电池片需求旺盛、议价能力较强，海外多晶电池片已先一步感受到多晶需求偏弱的压力，价格稍有让步，18.6
在单晶硅片龙头厂隆基五月价格释出之后，整体单晶硅片价格大致稳定，本周持稳在国内每片4.45元人民币、海外0.61元美金，而低阻单晶硅片则是国内每片4.5元人民币、海外0.62元美金。多晶硅片

转换效率在全球范围内处于第一梯队。公司在 PERC 技术的应用上已经较为成熟，在此基础上再开展了黑硅制绒技术与新金属化技术研发，并且与中国科学院新能源技术研究所合作开展更高效率的N 型单晶电池研究
利润总额4.29亿元，较上年增长96.35%;归属于上市公司股东的净利润3.87亿元，较上年增长89.76%。从财报分析，公司业绩大幅增长的原因是光伏行业的快速发展拉动单晶硅生长炉的销量大幅增长

。晶硅(cSi)电池价格在2017年更健康稳定，其主要原因是原材料和晶片成本较高、单晶硅片供应有限，但需求强劲。中国：得益于领跑者计划，中国保持了全球最大硅电池生产商的地位，同时也成为了全球单晶电池
%，主要为单晶PERC。一个明显的趋势是从单晶PERC开始，随后是越来越多的N型电池。2018年单多晶PERC电池将双双继续增长。虽然N型技术也已开始发展，但仍不成熟，预计今年无法腾飞。

投资商基本没有光伏制造端产能，其报出的低价可能会倒逼制造端提供更低价格的高效组件。据测算，P型或N型的单晶PERC单双面310瓦至370瓦规格组件，必须要降到2.5元/瓦之下，倒推到硅片端，其价格要降到3元/片以下。也就是说，单晶硅片还需要进一步降低价格。

，其报出的低价可能会倒逼制造端提供更低价格的高效组件。据测算，P型或N型的单晶PERC单双面310瓦至370瓦规格组件，必须要降到2.5元/瓦之下，倒推到硅片端，其价格要降到3元/片以下。也就是说，单晶硅片的还需要进一步降低价格。