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为您找到 “N型<b>单晶”相关结果278 个
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综合
用原子层沉积方法制作氧化铝钝化膜的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-11 23:59:59
(Al2O3)薄层在p型或
n
型
硅表面提供了钝化良好的表面态。在低电阻率P型硅上已经证明了利用低温等离子的ALD 其SRVs13cm/s。氧化铝层中的固定负电荷密度导致P型c-Si表面存在一个累积层
光伏要闻
2015年SNEC光伏新品大盘点
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-02 11:03:45
适用于
单晶
和多晶太阳能电池的背银浆料。SOL205B浆料的最新构成使得浆料中的银和玻璃化学物质在经过高温前后都具备更高且持久的附着力。不仅如此,SOL205B浆料还有助电池制造商优化主栅线附着力,从而
SNEC
光伏展会
电池片制作工艺对硅片中同心圆的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-01 15:01:19
将硼掺杂到直拉工艺的熔料中,从而生产出P型硅片。为了制造太阳电池,必须掺入
n
型
杂质,以形成p-n结。磷是常用的
n
型
杂质,现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有硅片的加热炉
电池片
同心圆
光伏科技
MWT背接触晶体硅光伏技术概述
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:55:17
新技术,包括PERC、
N
型
和黑硅技术等,叠加起来的效果甚至要好于单个技术增益的相加。目前很多国际国内光伏厂商都对MWT背接触技术给与了重点关注和浓厚兴趣,阿特斯、天威新能源和英利等大型光伏企业都先后和荷兰
ECN合作,其中阿特斯和天威新能源已经宣布实现了一定规模的量产,英利也在展会上展示了其
N
型
高效MWT电池组件的样品。在2014年上海光伏会展中,新成立的南京日托光伏科技有限公司首次亮相并展示了其
晶硅太阳能电池
导电背板
光伏技术路线讨论——为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-09 09:25:36
型硅基聚光电池。而很妙的是,在聚光的条件下,聚光电池,会出现非线性增长。4倍聚光导致闭路开环电压增长了10%!因而这一
n
型
光电池就呈现出24.5%的转化率!很希望有新型更高效的,如砷化镓薄膜等聚光
,中国科学院理论物理研究所陈应天研究员独立自主开发的4倍聚光+跟踪+
n
型
光伏电池转盘式发电技术。已做到的指标是: 1)峰值功率售价低。当前在内蒙古多伦地区,包括聚光漏斗在内的光伏组件、跟踪装置、逆变器
薄膜电池
聚光
光伏科技
【光伏技路线术讨论】为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-08 23:59:59
高效硅基电池:硅电池的转化率越高,所消耗的多晶硅就越少。目前用的是美国SunPower公司供应的转化率为22%的
n
型
硅基聚光电池。而很妙的是,在聚光的条件下,聚光电池,会出现非线性增长。4倍聚光导致闭路
开环电压增长了10%!因而这一
n
型
光电池就呈现出24.5%的转化率!很希望有新型更高效的,如砷化镓薄膜等聚光电池的出现。4)在所有上述介绍的绿色技术中,最为核心的技术是太阳能炼硅。太阳能炼硅有一系列
光伏要闻
高效硅基异质结太阳能电池量产的关键因素
来源:索比光伏
发布时间:2015-02-25 11:10:48
了25.6%的记录,这在硅基太阳能电池技术中是最高的。 与传统的P
型
单晶
/多晶太阳能电池相比,
n
型
单晶
衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率,而且只需要很少的工艺步骤。同时,HJT具有独特
异质结
太阳能电池
光伏科技
电池片为什么会发生光衰减现象 影响因素有哪些?
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-27 14:06:02
)在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率
N
型
硅料苰IC的废
N
型
硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P
型
单晶
材料。尽管电阻率合适,但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的早期光致衰减。我们
光伏要闻
【刘工总结】光伏组件问题系列总结——电池片为什么会发生光衰减现象 影响电池片光衰减的因素有哪些?
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-26 23:59:59
用低质量的硅料。2)在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率
N
型
硅料苰IC的废
N
型
硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P
型
单晶
材料。尽管电阻率合适,但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的
光伏要闻
全球光伏发展简史
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-24 23:59:59
。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p
型
单晶
硅光伏电池,这种电池抗辐射能力强,这对太空电池很重要;Hoffman电子的
单晶
硅电池效率达到9%;第一个光伏电池供电的卫星先锋1号发射
光伏要闻
新原理太阳能电池取得进展,转换效率达到8.1%
来源:索比光伏
发布时间:2015-01-04 23:59:59
限制的情况。以往的太阳能电池是采用p型和
n
型
半导体的组合(pn结)等来分离载流子,新型太阳能电池完全不采用pn结,而是利用强介电性材料内部残留的具备自发极化特性的晶粒和晶界来分离载流子。基于这一原理的
光伏要闻
【刘工总结】光伏组件封装材料总结之—电池的特性与设计
来源:索比光伏
发布时间:2014-12-09 23:59:59
晶体硅电池表面四棱锥型的结构根据Snell 法则硅表面的绒面结构能使光间接的被硅吸收,公式如下:1,2 分别是光在硅表面的入射角度,n1,n2 为反射系数。(iv)电池背面的高反射会使背部的吸收减少,假如电池
光伏要闻
HJT技术:引领高效太阳能光伏电池生产(图表)
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 14:33:59
批次中iVoc均匀性仍在0.84%以内。与传统的P
型
单晶
/多晶太阳能电池相比,
n
型
单晶
衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率而且只需要很少的工艺步骤。同时,其独特的无PID(电势诱导衰减)和无
HJT技术
太阳能光伏电池
HJT技术:引领高效太阳能光伏电池生产
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 11:50:35
,优异的均匀性并不仅仅局限于一个生产批次。在六组连续的生产批次中iVoc均匀性仍在0.84%以内。 与传统的P
型
单晶
/多晶太阳能电池相比,
n
型
单晶
衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率而且
高效电池
HJT
光伏电池
组件
光伏电站价值提升策略之组件选型-
单晶
VS多晶
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-28 23:59:59
);实际两家电站第一季度发电量对比情况为多晶比同心差异为-6.52%。与计算模拟结果非常接近。目前多晶电池产业化水平在17%-17.5%;
N
型
单晶
电池的产业化水平在21%-24%; P
型
单晶
光伏要闻
国家战略新高地:高效太阳能电池技术
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-16 09:01:59
太阳能电池。截至2013年底,太阳能电池产品中,晶体硅太阳能电池(主要是P
型
单晶
硅电池和多晶硅电池)占据市场主导地位,市场占有率超过90%;薄膜电池的市场占有率不到10%;新型电池及新概念电池大多
,可能需要我们实现从常规P型晶体硅技术,到P型晶体硅的PREC/PERT技术以及
N
型
电池技术(含
N
型
双面、异质结、背接触、异质结背接触电池)的转变。同时,薄膜电池与晶硅电池相比,在光电转换效率、成本和
太阳能电池
薄膜电池
电池政策
光伏热点:多晶硅市场将死?
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-03 08:57:46
差(2013年数据)。 目前,量产型多晶硅电池效率水平为17%-17.5%;
N
型
单晶
电池的产业化效率水平是21%-24%;国内P
型
单晶
电池产业化水平为18.7%-19.2%,海外则为19.2
多晶硅
单晶
硅
光伏组件
保利协鑫
产业
光伏行业热点观察:多晶硅市场将死?
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-02 23:59:59
据)。目前,量产型多晶硅电池效率水平为17%-17.5%;
N
型
单晶
电池的产业化效率水平是21%-24%;国内P
型
单晶
电池产业化水平为18.7%-19.2%,海外则为19.2%-20%。以成本计
光伏要闻
杜邦:
N
型
硅或将取代P型硅地位
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-02 15:42:59
(
N
型
硅对铁等重金属杂质有较高的容忍度);
N
型
硅电池和组件的初始光诱导衰减几乎为零(在
N
型
硅基底中没有硼氧原子对(B-O)形成)等。据国际光伏技术路线图(ITRPV)预计,
N
型
单晶
硅太阳电池的市场份额
杜邦
N
型
硅
P型硅
导电浆料
组件封装材料
光伏要闻
不同硅片电阻率对磷扩散的影响研究
来源:索比光伏
发布时间:2014-06-25 23:59:59
并对半导体加以正向偏压(p型)或反向偏压(
n
型
并加以光照)进行表面腐蚀去除已经电解的材料,通过自动装置重复腐蚀-测量循环得到测量曲线,然后利用法拉第定律,对腐蚀电流进行积分就可以连续得到腐蚀深度。尽管
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