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为您找到 “N型<b>单晶<b>高效电池”相关结果75 个
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综合
2016年上半年光伏企业沉浮录
来源:索比光伏
发布时间:2016-07-31 23:59:59
用于250MW的超高效异质结光伏电池,1.61亿元用于500MWh储能电池项目的募资,此外10亿元用于补充流动资金。其中在1.6GW的项目涵盖了PERC(叠加黑硅)和
N
型
单晶
双面电池等两类技术。相比于
光伏要闻
【盘点】2016年上半年光伏企业沉浮录
来源:索比光伏
发布时间:2016-07-30 11:14:59
电池技术上,而是对PERC(叠加黑硅)、
N
型
单晶
双面电池、超高效异质结光伏电池等技术方向进行了全面布局。在光伏补贴下调时代,
高效电池
组件开始迎来市场机遇。协鑫的这一举动,不仅让企业在实现光伏一体化的道路上
光伏企业
光伏发电
光伏电站
全球首届
n
型
单晶
硅双面发电光伏组件与电站设计创意大赛
来源:索比光伏
发布时间:2016-06-29 14:53:30
可靠性高的双重优势。 根据国际光伏技术路线图(ITRPV2015)预测(图一)及NREL的
高效电池
研究表明(图二),随着电池新技术和工艺的引入,
n
型
单晶
硅电池的效率优势会越来越明显,且
n
型
单晶
光伏展会
太阳能电池组件
n
型
单晶
硅
晶科能源20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-05-04 09:21:41
5B. 选择性发射极电池 对晶体硅电池而言,提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是
N
型
导电层,使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷
晶科能源
晶硅
多晶电池
干货:20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-29 13:34:34
。选择性发射极技术能够同时兼顾高扩散层方块电阻以及填充因子,该技术在电极区域形成的是重掺杂的
N
型
层,极大降低了与金属电极的接触电阻,有益于改善填充因子,同时在受光区形成的是轻掺杂的
N
型
层,能有效降低
N
型
层
多晶硅
太阳能电池
光伏技术
20.5%以上效率多晶电池量产技术路线
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-28 10:03:48
是重掺杂的
N
型
层,极大降低了与金属电极的接触电阻,有益于改善填充因子,同时在受光区形成的是轻掺杂的
N
型
层,能有效降低
N
型
层的载流子复合,改善短波段的光谱响应,提高开路电压和短路电流。2010左右,该
晶科能源
多晶电池
光伏电池
2016我国光伏产业预计全年新增20GW以上
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-27 08:52:19
,金刚线切割技术将得到进一步应用,PERC电池、
N
型
电池规模化生产进一步扩大。与此同时,我国近99%光伏产品采用晶硅技术,新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢,技术路线单一化程度偏高,产业后续发展隐患
全球主要光伏市场,如日本补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响,企业扩产仍需理性。 B 发展趋势(二) 产业投资持续增强 技术水平不断提升 技术水平不断提升,生产成本逐步降低
光伏产业
光伏融资
中国光伏市场
2016我国光伏产业仍将保持增长 预计全年新增20GW以上
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-26 23:59:59
电池、
N
型
电池规模化生产进一步扩大。与此同时,我国近99%光伏产品采用晶硅技术,新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢,技术路线单一化程度偏高,产业后续发展隐患明显。国内光伏制造业关键工艺技术
补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响,企业扩产仍需理性。 B 发展趋势(二) 产业投资持续增强 技术水平不断提升 技术水平不断提升,生产成本逐步降低。2015年,在内外部环境的共同推动下
光伏要闻
【技术】IBC电池技术及产业化
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-12 14:11:18
厚度的
N
型
CZ硅片衬底,最高效率已达25%。SunPower目前拥有年产能为100MW的第三代(Gen3)电池生产线,并且还有年产能350MW的生产线在建。2014年该线生产的电池平均效率已高达
电池技术的研究进展 图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的
N
型
硅片衬底的背面形成相间的P+
太阳能电池
光伏技术
发电效率
你了解
N
型
高效
单晶
光伏电池技术吗?
来源:索比光伏
发布时间:2016-02-23 00:02:59
明显,且
N
型
单晶
电池市场份额将从2014年的5%左右提高到2025年的35%左右。本文论述了
N
型
单晶
硅及电池组件的优势,并介绍了各种
N
型
单晶
高效电池
结构和特点,及相关技术发展现状和产业化前景。1.引言
光伏电池
单晶
光伏
光伏技术
电池技术
光伏要闻
你了解商业化高效晶硅光伏电池技术吗?
来源:索比光伏
发布时间:2016-02-01 00:01:59
组件背面所替代。由于光生载流子需要穿透整个电池被电池背表面的pn结所收集,故IBC电池对硅片本身的质量要求较高,需采用载流子寿命较高(纯度较高)的硅晶片材料,一般采用质量较高的
n
型
FZ
单晶
硅作为衬底材料
晶硅光伏
高效晶硅
光伏电池
2015太阳能光伏行业十大新闻事件之年终盘点
来源:索比光伏
发布时间:2015-12-22 08:58:04
使用Tetra Sun的技术生产
单晶
硅电池单元,该技术是由First Solar于2013年引进的。媒体Green tech曾爆料一份Tetra Sun的演示文稿,其中有很多有意思的内容。电池单元的
主要有如下两方面原因。首先是,FirstSolar之前生产的是碲化镉材料电池,该类电池材料属性、结构与
单晶
硅电池完全不一样。该公司过去几年对铜铟镓硒技术进行了投资,但是和其他公司一样,最终也放弃了该技术
光伏行业
光伏盘点
光伏市场
【年终盘点】2015太阳能光伏行业十大新闻事件
来源:索比光伏
发布时间:2015-12-22 00:09:59
Solar在马来西亚开设了一家生产高转换率电池面板的工厂,接下来的十八个月关于该工厂的报道基本会集中在电池的转换率上面。该工厂100MW生产线将会使用Tetra Sun的技术生产
单晶
硅电池单元,该技术是由
单晶
硅电池完全不一样。该公司过去几年对铜铟镓硒技术进行了投资,但是和其他公司一样,最终也放弃了该技术。其次是电池的转换效率。过去几年,许多分析师和从业人士不重视电池的转换效率。而成本是太阳能产业最重要的
光伏行业
光伏盘点
光伏市场
冯志强:降低光伏LCOE的电池与组件技术方向探讨
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-18 08:38:26
一个点,普遍由于可以把这个分解,所以就是退货处理还是能够部分解决LID一个衰减的问题。
N
型
硅组件性能测试:PID和LID这种是介质膜在那个96小时的话,衰减那么都在就是说,LLD这个张图我讲多次,把
我的产品做一个初始测试,
N
型
硅稍微有一点,从这点来说,对于7型硅材料来说,还是一种抗BPID方面都是有好的特性,这种电池和组件成大家一个都有兴趣的一个发展方向。谢谢大家。 portant
组件技术
光伏组件
光伏人物
用原子层沉积方法制作氧化铝钝化膜的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-11 23:59:59
(Al2O3)薄层在p型或
n
型
硅表面提供了钝化良好的表面态。在低电阻率P型硅上已经证明了利用低温等离子的ALD 其SRVs13cm/s。氧化铝层中的固定负电荷密度导致P型c-Si表面存在一个累积层
光伏要闻
高效硅基异质结太阳能电池量产的关键因素
来源:索比光伏
发布时间:2015-02-25 11:10:48
了25.6%的记录,这在硅基太阳能电池技术中是最高的。 与传统的P
型
单晶
/多晶太阳能电池相比,
n
型
单晶
衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率,而且只需要很少的工艺步骤。同时,HJT具有独特
异质结
太阳能电池
光伏科技
HJT技术:引领高效太阳能光伏电池生产(图表)
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 14:33:59
批次中iVoc均匀性仍在0.84%以内。与传统的P
型
单晶
/多晶太阳能电池相比,
n
型
单晶
衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率而且只需要很少的工艺步骤。同时,其独特的无PID(电势诱导衰减)和无
HJT技术
太阳能光伏电池
HJT技术:引领高效太阳能光伏电池生产
来源:索比光伏
发布时间:2014-09-19 11:50:35
,优异的均匀性并不仅仅局限于一个生产批次。在六组连续的生产批次中iVoc均匀性仍在0.84%以内。 与传统的P
型
单晶
/多晶太阳能电池相比,
n
型
单晶
衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率而且
高效电池
HJT
光伏电池
组件
光伏科技
光伏电站价值提升策略之组件选型-
单晶
VS多晶
来源:索比光伏
发布时间:2014-08-28 23:59:59
计划在未来两年内在纽约州建设年产能1GW以上的组件工厂。这次收购事件再次验证高效
单晶
路线将是未来光伏行业的明确发展趋势。目前基于
N
型
单晶
硅片的
高效电池
组件生厂商主要是美国SunPower和日本松下(收购
光伏要闻
光伏热点:多晶硅市场将死?
来源:索比光伏
发布时间:2014-07-03 08:57:46
差(2013年数据)。 目前,量产型多晶硅电池效率水平为17%-17.5%;
N
型
单晶
电池的产业化效率水平是21%-24%;国内P
型
单晶
电池产业化水平为18.7%-19.2%,海外则为19.2
多晶硅
单晶
硅
光伏组件
保利协鑫
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