光伏咨询搜索-索比光伏网

太阳能电池组件，利用半导体材料的电子学特性，当太阳光照射在半导体PN结上，由于P-N结势垒区产生了较强的内建静电场，因而产生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴，在内
二极管中的P-N结。工作原理和二极管类似。只不过在二极管中，推动P-N结空穴和电子运动的是外部电场，而在太阳能电池中推动和影响P-N结空穴和电子运动的是太阳光子和光辐射热(*)。也就是通常所说的光生

允许在DC端浮动，到底怎么样，现在都没有结论。PID这个东西还在争论当中，但因为P型组件要求正极接地，我们大家都要求负极接地，实际上要的是什么呢？要的是电池片和玻璃之间接地。季良俊：下面有请VDE文的
本会场将进行光伏系统和电站标准制定技术研讨会。我们有请中电联标准中心水电及新能源处副处长汪毅先生主持。　　第二个我们有请全国太阳能光伏能源系统标委会秘书长刘彦龙先生主持太阳电池和组件标准制定技术研讨会

Mission）是一项政策推动型项目，包括政府的补贴。这是一次机会，有助于开发国内整个太阳能电池价值链的制造基地。国内产品含量的条件为国内外开发商提供了平等的机会来投资制造部门的建设
电镀金刚石钢丝线切割的工艺）生产的单晶硅片，产品包括直拉N型单晶硅片、直拉区熔单晶硅片等。公告显示，备忘录约定拟由SunPower菲律宾提供多晶硅原料，环欧国际进行晶体、晶片制造并销往SunPower菲律宾的

法除硼的动力学极限，结合高真空除磷技术和真空熔炼定向凝固一体化技术，成功开发出一套具有普适性和自主知识产权的完整冶金法提纯多晶硅工艺，实现高纯度(6N)的冶金法太阳能硅材料，将B、P含量为 10
有限公司合作，研发了炉外精炼与改进型二次精炼/定向凝固等核心关键技术，形成一套完整的多晶硅生产工艺，建成一条年产1500吨的多晶硅稳定生产线，产品中P、B 含量均在 1 mg/kg左右，金属杂质含量

技术，突破了冶金法除硼的动力学极限，结合高真空除磷技术和真空熔炼定向凝固一体化技术，成功开发出一套具有普适性和自主知识产权的完整冶金法提纯多晶硅工艺，实现高纯度（6N）的冶金法太阳能硅材料，将B、P含量
、管理制度； 3、与福建亿田硅业有限公司合作，研发了炉外精炼与改进型二次精炼/定向凝固等核心关键技术，形成一套完整的多晶硅生产工艺，建成一条年产1500吨的多晶硅稳定生产线，产品中P、B 含量均在

100nm的n型CdS窗口层用化学浴淀积（CBD）技术再FTO/玻璃衬底上制备，其方块电阻是14/sq。用自制的近空间升华（CSS）装置在玻璃/FTO/CdS模板上制备CdTe吸收层。改变升华时间控制CdTe
(a)所示。对于0.5m厚CdTe太阳能电池来说，见图1(b)和(d)，CdTe晶粒尺寸几乎减少一个数量级，为0.2～0.7m。太阳能电池效率是4.7%。如以后要讨论的，效率的降低是因为晶粒比较小的CdTe

索比光伏网讯:太阳能硅片的清洗很重要，它影响电池的转换效率，如器件的性能中反向电流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介绍清洗的作用和清洗的原理。清洗的作用1.在太阳能材料制备过程中
质量大大提高。3.硅片中杂质离子会影响P-N结的性能，引起P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能。4.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定。清洗的原理要了解清洗的原理，首先

合掉了,从而会使电池效率大大下降。尽管n型硅材料的少子迁移率较小,但其寿命较长,且对杂质沾污的敏感性较低,所以比较适合于制作背结电池。2.1.1IBC太阳电池IBC
(Interdigitatedbackcontact)电池出现于20世纪70年代,是最早研究的背结电池,最初主要应用于聚光系统中,见图1。电池选用n型衬底材料,前后表面均覆盖一层热氧化膜,以降低表面复合。利用光刻技术,在电池背面分别进行