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强度是硅的10倍，电子饱和速率是硅的2倍。　　　　　　在这次展会上，三菱电机也展出多款碳化硅器件，包含适用于新能源发电的全碳化硅MOSFET模块。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有关断拖
新纪元视为责无旁贷的义务与使命。凭借优越的技术与创造力贡献产业的发展以促进社会繁荣。　　三菱电机半导体产品包括三菱功率模块（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等

索比光伏网讯:富士电机开始推进SiC MOSFET的实用化。最初打算用于该公司2014年8月开始量产的大型光伏电站用逆变器，该逆变器的输入电压为DC1000V、输出功率为1000kW。该公司已经推出
了SiC二极管产品，在逆变器的升压电路中采用了配备该SiC二极管和该公司的SiC MOSFET的功率模块，由此提高了转换效率并实现了小型化。新款逆变器的转换效率为98.8％，属于行业最高水准（富士电机

。英飞凌已连续十年稳居功率半导体市场榜首，是少数能为光伏逆变器提供从控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一，其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽

罗姆在PCIM Europe 2014并设的会议上，发表演讲介绍了耐压为1200V的沟道型SiC MOSFET的情况，除了这种MOSFET的特点以外，还公布了实用化时间，计划从2014年秋季开始陆续
样品供货。该公司此前已经投产了平面型SiC MOSFET，此次是首次投产沟道型SiC MOSFET。即使在功率元件行业，估计这也是首次实现沟道型SiC MOSFET的实用化。沟道型SiC MOSFET

蓄电池组，使得充放电能同时进行，通过智能核心控制既可以对负载放电，同时叉可以在充电条件到达时对备用储能电池组充电，两组蓄电池之间的切换由系统实时监测其电压状态决定。 MOSFET充放模块由智能管理
核心驱动的MOSFET充电模块，可根据系统的不同，选取不同电压等级的MOSFET，来实现系统对蓄电池的充放电。MOSFET可选用InternationalRectifier公司的第三代HEXFETs产品

和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的财富1000 强企业，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器