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对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从
(metal Wrap Through)电池，它通过激光穿孔和灌孔印刷技术将正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导到硅片背面，通过16个电极孔收集光生电流，如图3所示，直接减少了主栅的遮光面积。在MWT电池组件的

钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的
电极穿过硅片基体引导到硅片背面，通过16个电极孔收集光生电流，如图3所示，直接减少了主栅的遮光面积。在MWT电池组件的封装技术中，导电胶的采用将背面正负极同时与基板连接，这样增加堆积密度，不仅方便安全

结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用
，通过16个电极孔收集光生电流，如图3所示，直接减少了主栅的遮光面积。在MWT电池组件的封装技术中，导电胶的采用将背面正负极同时与基板连接，这样增加堆积密度，不仅方便安全，而且也减少FF损失和提高Jsc

，通过技术升级提升产品性能，国内的扩产将集中在提升PERC、IBC、MWT等高效电池组件的规模化生产能力上。 C 存在问题（一）融资难严重制约企业转型升级补贴不能及时发放成为新瓶颈融资难
16.2万吨，同比增长19.1%，在产16家多晶硅企业绝大多数处于满产状态，即使如此，进口量仍超过10万吨。全球太阳能光伏组件产量约为60GW，同比增长15.4%，我国太阳能组件产量约为43GW，同比

增长19.1%，在产16家多晶硅企业绝大多数处于满产状态，即使如此，进口量仍超过10万吨。全球太阳能光伏组件产量约为60GW，同比增长15.4%，我国太阳能组件产量约为43GW，同比增幅达到20.8
%，前10家组件企业平均毛利率超15%。多家企业开始在海外设厂，生产布局全球化趋势明显。根据对部分通过《光伏制造行业规范条件》的企业进行统计显示，2015年上半年，组件企业销售收入同比增长8.9

Surface Field, FSF）以及良好钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向
、减反膜寄生吸收、长波段不完美光陷阱、自由载流子吸收的影响等，如图3所示。图3 IBC电池单层膜(a,c)及多层膜(b,d)的光学损失分布图在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能受前

电站长期衰减比多晶硅低至少3%以上，单晶硅电站投资回报率(IRR)比多晶电站至少高2.78%。综上所述，单多晶材料性能对比，单晶VS多晶，行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与
逐步在低端市场扩大应用，特别是随着单晶产能的提升和硅片价格的持续下降，来自发电端投资回报意识的提升降低了盲目抢装，单晶组件最近几年在国内开始持续扩大装机量，并以发电端实实在在的对比优势逐步呈现，使得

比多晶硅电站的实际发电量多5~6%以上，单晶硅电站长期衰减比多晶硅低至少3%以上，单晶硅电站投资回报率(IRR)比多晶电站至少高2.78%。综上所述，单多晶材料性能对比，单晶VS多晶，行业公认单晶
越来越大。而根据测算，电池转换效率每提高1个百分点，每瓦系统成本降低5-7个百分点(见表2)。所以做高功率电池组件，单晶的成本永远比多晶低。目前，单多晶在电池端成本已打平。 ITRPV也同样做出权威

损失，相当于增加了有效半导体面积，有利于增加电池效率；（2）有可能大大降低组件装配成本，因为全部外部接触均在单一表面上；（3）从建造结构的观点看来提供了增值，因为汇流条和焊线串接存在引起的视觉不适被
组件背面所替代。由于光生载流子需要穿透整个电池被电池背表面的pn结所收集，故IBC电池对硅片本身的质量要求较高，需采用载流子寿命较高（纯度较高）的硅晶片材料，一般采用质量较高的n型FZ单晶硅作为衬底材料

脉冲，因而会对系统的控制性能产生一定的影响;Fibonacci算法的优点是精度高，适应环境突变的能力较强，缺点是搜索速度较慢;基于状态空间的 MPPT算法的优点是鲁棒性好，阴影条件下仍具有较好的跟踪
性能，其缺点是算法过于复杂;基于电压扫描和电导增量法多峰MPPT算法具有搜索速度快的优点，缺点是鲁棒性差。在未来最大功率点跟踪技术将朝着效率高、算法简单、响应速度快、鲁棒性好等的方向发展。

前后间距：ink"光伏系统所处纬度（北半球为正,南半球为负） H：为后排光伏组件底边至前排遮挡物上边的垂直高 21、太阳高度角计算 1、冬至日太阳高度角计算公式：An=90-
1. 转换效率；=Pm（电池片的峰值功率）/A（电池片面积）；其中：Pin=1KW/㎡=100mW/cm2； 2. 充电电压；Vmax=V额1.43倍； 3.电池组件串并联； 3.1电池组件